模擬電子技術(shù)4-晶體三極管及其基本放大電路(存儲(chǔ)版)
【正文】 ]([ Lcmbeeb39。eb39。HHsmsoshCRRrrfffAUUA uu∥∥ ???????????? 2 2 5 dB3lg20 shH?，下降時(shí)，uAff???????????????H2Hmsha r c t a n180 )(1lg20lg20lg20ffffAA uu???；下降倍，每增大時(shí)， dB20lg20 10 shH uAfff ???。π39。π )1( CRgCC ???)]([ Lcmbeeb39。 約為常量 根據(jù) 討論 ：如何利用 Multisim求解頻率響應(yīng) Rc1 0 k O h m Rb22 0 k O h m RL1 0 k O h m Rb18 6 0 O h m Q12 N 2 2 2 2 AVCC15VC15uF V110mV 1kHz 0Deg 1VCC2056靜態(tài)工作點(diǎn) 頻率響應(yīng) 首先分析靜態(tài)工作點(diǎn)是否合適，然后利用 “ 交流分析 ” 獲得頻率響應(yīng)。H CRRrrf ∥∥ ??μ39。π )1( CRgCC ???Hmbwm fAfA uu ?? ?帶寬增益積?????????????m39。πsbb b 39。時(shí)， ????? 90 0 0 s ?uAf ?smsL lg20lg20 uu AAff ?? ??? 時(shí)，中頻段 20dB/十倍頻 3. 高頻電壓放大倍數(shù) )]([ π21 π21 j139。πC1. 中頻電壓放大倍數(shù) eb39。obμ )( CrCCf ?? 、?39。0 π21 j1 ???? ?????。μ C＝？ 電流放大倍數(shù)的頻率響應(yīng) CEbc UII????? μπ39。μπ39。μ )1(RgkXUkXUUICCC??????????39。 U i.U o. I.（ 1）高通電路 :信號(hào)頻率越高，輸出電壓越接近輸入電壓。 由于放大電路中耦合電容、旁路電容、半導(dǎo)體器件極間電容的存在，使放大倍數(shù)為頻率的函數(shù)。LebebLcbioRrRRIrIRRIUUAu?????????????????∥])1([ ebeb2b1i RrRRR ???? ∥∥利 ?弊 ? e39。 T（ ℃ ） →β↑→ICQ↑ →Q’ ICEO↑ 若 UBEQ不變 IBQ↑ Q’ 1. 溫度對(duì)靜態(tài)工作 點(diǎn)的影響 靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的 典型電路 直流通路？ Ce為旁路電容，在交流通路中可視為短路 （ 1）電路組成 CCb21b1bBQ VRRRU ???eB E QBQEQ RUUI ??（ 2）穩(wěn)定原理 為了穩(wěn)定 Q點(diǎn)，通常 I1 IB，即I1≈ I2；因此 基本不隨溫度變化。cCQ39。39。 ?????)()(CEBCCEBBEuifiuifu，低頻小信號(hào)模型 ?????????ce22b21cce12b11be UhIhIUhIhU??????在低頻、小信號(hào)作用下的關(guān)系式 ???????????????????CECECBBCCCECEBEBBBEBEddddddBCEBCEuuiiiiiuuuiiuuIUIU交流等效模型（按式子畫模型） 電阻 無量綱 無量綱 電導(dǎo) h參數(shù)的物理意義 beBBE11CE riuhU ????BCEBE12 Iuuh???????? CEBC21 UiihceCEC22 1B ruihi ????be間的 動(dòng)態(tài)電阻 內(nèi)反饋 系數(shù) 電流放大系數(shù) ce間的電導(dǎo) 分清主次，合理近似！什么情況下 h12和 h22的作用可忽略不計(jì)？ 簡化的 h參數(shù)等效電路 —— 交流等效模型 EQTbb39。為簡化分析，將它們分開作用，引入直流通路和交流通路的概念。其作用是“隔離直流、通過交流”。 VCC：使 UCE≥UBE，同時(shí)作為負(fù)載的能源。 少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng) 因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū) 因基區(qū)薄且多子濃度低，使擴(kuò)散到基區(qū)的電子（非平衡少子）中的極少數(shù)與空穴復(fù)合 因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 基區(qū)空穴的擴(kuò)散 ?電流分配： IE＝ IB＋ IC IE－擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流 IB－復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流 IC－漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流 C B OC E OBCBC)(1 IIiiII?????????穿透電流 集電結(jié)反向電流 直流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù) 為什么基極開路集電極回路會(huì)有穿透電流？ 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 CE)( BEB Uufi ?為什么 UCE增大曲線右移？ 對(duì)于小功率晶體管， UCE大于 1V的一條輸入特性曲線可以取代 UCE大于 1V的所有輸入特性曲線。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) Fundamentals of Analog Electronic 第四章 晶體三極管及其基本放大電路 第四章 晶體三極管及其基本放大電路 167。 小功率管 中功率管 大功率管 為什么有孔？ 二、晶體管的放大原理 ??? ???（集電結(jié)反偏），即（發(fā)射結(jié)正偏）放大的條件BECECBonBE0 uuuUu 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流 IE，復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流 IB，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流 IC。 放大電路的組成原則 一、基本共射放大電路的工作原理 二、如何組成放大電路 一、 基本共射放大電路的工作原理 VBB、 Rb：使 UBE＞ Uon，且有合適的 IB。 將兩個(gè)電源合二為一 有直流分量 有交流損失 （ 2） 阻容耦合放大電路 耦合電容的容量應(yīng)足夠大，即對(duì)于交流信號(hào)近似為短路
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