【正文】 es implementing their analytical expression. It can be used to simulate memory cells both during read operation (dc conditions) and during program and erase (transient conditions) giving always very accurate results. We will show also that, provided good description of degradation mechanisms, the same model can be used also for reliability simulations, predicting charge loss due to tunnel oxide degradation.Index TermsCircuit simulation, puter aided design(CAD), integrated circuits, modeling, semiconductor memories.I. INTRODUCTIONIn the semiconductor industry, “modeling” and “characterization” have different meanings. Compact model means an analytic model of the electrical behavior of a circuit element, as used in a SPICElike circuit simulator, and characterization means the procedure by which the parameters of pact model are determined for devices in a particular integrated circuit (IC) manufacturing technology.Compact models should be formulated physically, as functions of both the fundamental process parameters that control device electrical behavior and geometric layout parameters associated with a device (both adjustable layout parameters, such as device length and width 西 安 工 業(yè) 學 院 畢 業(yè) 論 文 35and technologydependent layout parameters derived from design rules, such as spacing between active areas and implant areas, etc.). There are three main reasons for preferring physically based pact models [1]. First, they provide the best basis for statistical modeling[2]. Second, they provide the best basis for mismatch modeling. Third, during the life cycle of a manufacturing technology there are changes, both in process flow and in design rules, that require to quickly retarget the design library.Although the importance of E2PROM memory cells has grown, very few pact models have been developed to be used in SPACElike simulators [3] to study dc and transient behavior of plex circuits containing E2PROM cells. E2PROM cells are based on floating gate (FG) devices, which are metaloxidesemiconductor (MOS) transistors where a conductive layer is interleaved between gate and channel and it is surrounded by insulator. The conductive layer is called FG. These devices’ threshold voltage can be changed by injecting and/or extracting charge in/from the FG. Because of the lack of reliable pact models in the industry plex circuits are usually simulated replacing FG memory devices with MOS transistors, whose threshold voltage is “manually” changed to simulate the erased and programmed states of the memory cell.Different from pact models proposed in the past [3], [4], the plete pact model of E2PROM cell we have developed is based on an original method to calculate FG potential in dc conditions [5]. This method does not use the fixed capacitive coupling coefficients any more and it is based on the solution of the charge balance equation at the FG node (which improves the FG voltage estimate, ., the overall modeling of the memory device) and on charge equations of the MOS transistor. Moreover, the pact model is designed to be modular, ., any transient phenomena (program, erase, leakage) can be included by adding a voltage controlled current source co。在使用 RS—485 總線時，如果簡單地按常規(guī)方式設計電路，在實際工程中可能有通信數據收發(fā)的可靠性問題。此項畢業(yè)設計囊括了專業(yè)電工、電子、電力電子技術，MCS—51 系列單片機工作原理及應用技術， PROTEL 技術等學科知識。第七周至第十二周: 初步完成具體的電路設計,運行通過。單片機負責從工業(yè)控制計算機上接收命令，并將其轉換成控制脈沖信號，從并行口發(fā)出到步進電機驅動電路。在這里，我將采用型號為 SN75LBC176，它的標準驅動節(jié)點數為 32，采用半雙工通訊。ATMEL 公司把自身的先進 Flash 存儲器技術和 80C31 核相結合，生產出 Flash 單片機 AT89C51 系列。 本設計的中心即設計一個含有特定功能的典型單片機系統(tǒng)。這樣有利于排除銅箔與基板粘合劑受熱產生的揮發(fā)性氣體。尤其是電源線和地線。布局過程中，應盡量將相關的元器件就近放置，以減少走線的長度；時鐘電路、晶振、電容應緊貼相接的芯片，這樣有利于抗干擾，提高電路工作的可靠性。最后，根據電路的功能單元對電路的全部元件進行布局。Protel99 強大的功能，可以使設計者隨心所欲的設計各種電子電路，是一個非常實用的 CAD 軟件。執(zhí)行 design/create list 命令，生成網絡報表。multiple names on 是檢查同一個網絡上是否擁有多個不同名稱的網絡標識。對元件庫進行裝載以后，可通過 place(放置)/part（元件）命令直接進行元件的放置，也可以用工具條上的按鈕，打開所對應的對話框進行元件的放置。在點擊 Design/options 后，選擇 change system font 按鈕，則可彈出字體對話框，您可以進行字體設置了。進入設計窗口后，可以在首先執(zhí)行 design(設計)/Options(選項)菜單下設置圖紙的風格和大小尺寸等，具體參數設置如下：(1)、圖紙方向的設置。用普通的 TTL 直接驅動功率場效應管,驅動電壓還顯得低一些。目前，在直流電動機的控制中，主要使用定頻調寬法。α 的變化范圍為0≤α≤1。我用的是四位八段式數碼管，所以每個數碼顯示器被點亮時每個引腳所需的最大電流為 4mA4=16mA。它的標準工作電壓 2—6V。（1）串行驅動在某些情況下，可供使用的單片機并行 I/O 口不足 8 根，數據的并行輸出已不可能，此時可考慮串行輸出方法。因此，在每個瞬間，N 位 LED 只可能顯示相同的字符，要想每一個 LED 顯示不同的字符，必須用另外一個 I/O 口控制各個 LED 顯示器公共陰極輪流接地的方法，逐一掃描點亮，使每個 LED 顯示該位應該顯示的字符。當顯示一個字符時，相應的發(fā)光二極管就恒定的導通或截止。? 共陰極接法把發(fā)光二極管的陰極連在一起構成公共陰極。 其他類似情況同上。此處采用 TIL117。 為發(fā)光二極管與光電晶體管(附基極端子)封裝的光電耦合器,結構為雙列直插 6 引腳塑封,內部電路見上。RS—485 標準RS—232 是異步串行通信中應用最早，也是目前應用最為廣泛的標準串行總線接口技術之一。正常工作狀態(tài)時 為低電平，X5045 的寫操作被禁止，以防止干擾信號發(fā)生作用。進入設置參數首先顯示第一項原設置參數（如量程下限） ，同時顯示一西 安 工 業(yè) 學 院 畢 業(yè) 論 文 13位標記位（標記參數性質既現場設置修改狀態(tài)） 。上電復位及低電壓檢測，即在上電和 Vcc 低于檢測門限時，RESET 輸出高電平；如允許看門狗定時器工作且 保持高電平時間長于看門狗超時周期，RESET 輸出高電平復位信號； 西 安 工 業(yè) 學 院 畢 業(yè) 論 文 113 單片機系統(tǒng)的硬件設計 系統(tǒng)在兩種模式下的三鍵輸入（復用） 此系統(tǒng)利用三鍵式輸入，即在工作模式、參數設定兩種狀態(tài)下有不同的作用。在這里，我將采用型號為 SN75LBC176，它的標準驅動節(jié)點數為 32，采用半雙工通訊。：外部訪問允許端。 P30 RXD （串行輸入端口）P31 TXD （串行輸出端口）P32P33P34 T0 （定時器 0 外部輸入）P35 T1 （定時器 1 外部輸入）P36P37：當訪問外部存儲器時，ALE（地址存儲允許）的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。在訪問外部程序存儲器和 16 位地址的外部數據存儲器時，P2 送出高 8 位地址。驗證時要加上拉電阻。3 個程序保密位片內帶一個 4KB 的 Flash 的程序存儲器第六章 原理圖的設計第七章 電路板的印刷第八章 開題報告中期報告相應外文資料翻譯系統(tǒng) SCH 圖致 謝設計總結參考文獻西 安 工 業(yè) 學 院 畢 業(yè) 論 文 72 單片機工作原理及應用基礎 單片機的應用 在生活和生產的各個領域中，凡是有自動控制要求的地方都會有單片機的身影出現；從簡單到復雜，從空中、地面到地下，凡是能想象的地方幾乎都有使用單片機的需求。第二章 單片機工作原理及應用基礎。單片機負責從工業(yè)控制計算機上接收命令，并將其轉換成控制脈沖信號，從并行口發(fā)出到步進電機驅動電路。1. 2 國內外相關研究狀況 近年來，直流電