基于ds18b20的溫度采集系統(tǒng)顯示設計說明(存儲版)
【正文】 部程序存儲器（地址為0000HFFFFH），EA端必須保持低電平(接地)。值得注意的是:每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。作輸入口使用時,被外部信號拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流(I)。部分端口還有第二功能,如表1所示: 表1 P1口部分引腳第二功能P2口:P2口是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口, P2口的輸出緩沖級可驅動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路。作為輸出口用時，能驅動8個TTL邏輯門電路。方案二:進而考慮到用溫度傳感器，在單片機電路設計中，大多都是使用傳感器，所以這是非常容易想到的，所以可以采用一只溫度傳感器DS18B20，此傳感器，可以很容易直接讀取被測溫度值，進行轉換，就可以滿足設計要求。能實現(xiàn)溫度上下限的設置，并能夠超限報警（用proteus實現(xiàn)） 硬件設計部分，根據(jù)設計的任務選定合適的單片機，根據(jù)控制對象設計接口電路。單片機AT89S51強大的功能可為許多嵌入式控制應用系統(tǒng)提供高性價比的解決方案。在Flash編程時，P0口接收指令字節(jié)，而在程序校驗時，輸出指令字節(jié)，校驗時，要求外接上拉電阻。在訪問外部程序存儲器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(例如執(zhí)行MOVXDPTR指令)時,P2口送出高8位地址數(shù)據(jù)。當振蕩器工作時，RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上的高電平時間將使單片機復位。該位置位后,只要一條MOVX和MOVC指令才會激活ALE。Flash存儲器編程期間，該引腳用于施加+12V編程電壓（VPP）。圖中低溫度系數(shù)晶振的振蕩頻率受溫度影響很小，用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號送給計數(shù)器1。（2）DS18B20中的溫度傳感器可完成對溫度的測量，以12位轉化為例：用16位符號擴展的二進制補碼讀數(shù)形式提供，℃/LSB形式表達，其中S為符號位。這樣可以在一秒之內(nèi)測量一次被測溫度，其程序流程見圖4所示。團結協(xié)作是我們實習成功的一項非常重要的保證。同時在以后的日子里我會慢慢改正在這次課程設計中所犯的錯誤、把學過的知識掌握的更加牢固。通過這次課程設計使我懂得了理論與實際相結合是很重要的，只有理論知識是遠遠不夠的，只有把所學的理論知識與實踐相結合起來，從理論中得出結論，才能真正為社會服務，從而提高自己的實際動手能力和獨立思考的能力。mov r4 ,20djnz r4,$djnz r3,wr1setb retread:mov r6,8re1: setb ；先釋放總線nop clr ；把要寫的字節(jié)的最低位右環(huán)移到C中nop ；寫開始mov r4,4 ；保持低電平015ussetb ；將C中的位寫到DQ總線上re2: djnz r4,re2 ；產(chǎn)生讀時間mov c, ；將總線上的位讀到Cmov r5,30djnz r5,$ ；持續(xù)60usrrc a ；將C里的位右環(huán)移到A里djnz r6,re1 ；讀下一位setb ret hbcd:mov a,temp6mov b,10div abmov temp3,b ；將個位存到TEMP3mov b,10div abmov temp2, ；將十位存到TEMP2mov temp1,a ；將百位存到TEMP1ret hb2:clr amov r3,amov r4,amov r5,amov r2,10h hb3: mov a,r7rlc amov r7,amov a,r6rlc amov r6,amov a,r5addc a,r5da amov r5,amov a,r4addc a,r4da amov r4,amov a,r3addc a,r3mov r3,adjnz r2,hb3retdisp:mov dptr,disptabmov r0,4dp1: mov r1,140loop: mov a,temp7 ；取出小數(shù)部分movc a,a+dptr ；取出相應的字型碼mov p1,a ；顯示在數(shù)碼管上setb ；數(shù)碼管位選acall delay100 ；延時clr ；清數(shù)碼管位選mov a,temp3 ；取個位movc a,a+dptranl a,7fh ；顯示小數(shù)點mov p1,asetb acall delay100 ；取十位clr mov a,temp2movc a,a+dptrmov p1,asetb
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