【正文】 +_RLD4D2 D1D3io AB（ c）+⑶ 二極管電路的分析方法l圖 (a)是一個二極管組成的限幅電路 (Clipping Circuit)。DURRuou+ +– –（ a）kURRuou+ +– –（ b）UD⑶ 二極管電路的分析方法l從圖 (b)的等效電路可見，當 u0且 uUR+UD時，二極管 D導通，開關(guān)閉合，輸出電壓 UO = UR十 UD。l電路接法：共基接法。為什么能實現(xiàn)放大呢？ iBiC輸入信號負載VCCVBB晶體管共射電路基極電流是由發(fā)射結(jié)間電壓控制的 ,較小的結(jié)間電壓變化,就會使基極電流產(chǎn)生相應的變化 ,再通過 iB對 iC的控制作用 ,在集電極回路引起了 iC對應的幅度上放大了 β 倍的變化 .⑷ 關(guān)于 PNP型晶體管lPNP管與 NPN管之間的差別： (1)電壓極性不同。μAICBO(b) PNP管VμAICBO(a) NPN管VICBO的測量① 集電極 基極反向飽和電流 ICBOl反向 電壓 大小改 變時 ， ICBO的數(shù) 值 可能稍有改 變 。② 反向擊穿電壓 l反向擊穿電壓是指各電極間允許加的最高反向電壓 。3. 晶體管的特性曲線l晶體管特性曲線是表示晶體管各極間電壓和電流之間的關(guān)系曲線。在 這 個區(qū)域中， 電 流 iC很小，基本不 導 通，故稱 為 截止區(qū)。l飽和時的 值稱為飽和壓降 ⑵ 共射輸出特性 l放大區(qū) : 輸出特性上在飽和區(qū)和截止區(qū)之間的區(qū)域為放大區(qū)。一般的，溫度每升高 1℃ ， 增加約 (~1)% ，即稱為 的溫度系數(shù)。公式為：l通常手冊上給出的 ICBO是溫度為 25℃ 時的值，如果實際工作溫度高于 25℃ ，則應用上式算出實際值。(a)3AX1的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB = 0放大區(qū) 截止區(qū)飽和區(qū)2046820℃2 6 8 10 12晶體管的輸出特性iC(mA)uCE(V)iB= 00. 2mA20℃放大區(qū)飽和區(qū)100203040(b)3DG4的輸出特性5 10 15 20 25 30 3550⑵ 共射輸出特性 l 飽和區(qū)是對應于 uCE較?。?uCEuBE） 的情況。 uCE≥1V以后 ，基區(qū)中集電結(jié)邊界處的電子濃度很低。lPCM、 U(BR)CEO和 ICM三個極限參數(shù)，決定了晶體管的安全工作區(qū)。μAbceICEO(a) NPN管μAbceICEO(b) PNP管ICEO的測量⑶ 極限參數(shù) l① 集電極最大允許耗散功率 PCMl晶體管電流 iC與電壓 uCE的乘積稱為集電極耗散功率 PC =iCuCE， 這個功率將導致集電結(jié)發(fā)熱，溫度升高。 找出 F點和 G點，對應于 F點， iC=，iB=；對應于 G點， iC=，iB=；于是 △ iC==， △ iB==，所以 =uCE(V)iC(mA)iB=0FBG0 3AX3的輸出特性23468② 共射交流短路電流放大系數(shù)l定 義n 根據(jù)晶體管的電流分配關(guān)系，可以得到下列換算關(guān)系 ③ 共基直流 電 流放大系數(shù) 和共基交流 電 流放大系數(shù)與 與,的數(shù)值相差很小 ,在后面的分析里 ,只用共基極電流放大系數(shù) 與共射極電流放大系數(shù) ,而不區(qū)分是直流或是交流⑵ 極間反向電流① 集電極 基極反向飽和電流 ICBOlICBO是指發(fā)射極開路，集電極與基極之間加反向電壓時產(chǎn)生的電流，也就是集電結(jié)的反向飽和電流 。另一部分是 ，它表示 iC中受基極電流iB控制的部分。 3AX313DG63AD6(a)外形示意圖1. 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型N NPcb e SiO2絕緣層(b) NPN硅管結(jié)構(gòu)圖NcbePN型鍺銦球銦球(c) PNP鍺管結(jié)構(gòu)圖1. 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型lPNP型 c集電極b基極集電區(qū)PN基區(qū)發(fā)射區(qū)P集電結(jié)發(fā)射結(jié)e發(fā)射極 (a) PNP型ebc1. 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型lNPN型c集電極b基極集電區(qū)NP基區(qū)發(fā)射區(qū)N集電結(jié)發(fā)射結(jié)e發(fā)射極 (b) NPN型ebc1. 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型l三極管在結(jié)構(gòu)上的兩個特點： (1)摻雜濃度： 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū)； (2)基區(qū)必須很薄。若 D為硅管，則正向?qū)▔航?UD = 。uo+_u+_ RLD4D2 D1D3io AB（ a）u uo+_RLD4D2 D1D3io AB（ b）+⑶ 二極管電路的分析方法l當 u 0時，二極管 D D4導通， Dl、 D3截止，如圖 (c)所示。l下面將 結(jié) 合例子來 說 明各種分析方法。⑴ 理想二極管等效 電 路uDiDoD K理想二極管等效電路l 如果二極管導通時的正向壓降遠遠小于和它串聯(lián)的電壓，二極管截止時的反向電流遠遠小于與之并聯(lián)的電流，則可以忽略二極管的正向壓降和反向電流，把二極管理想化為一個開關(guān)，如圖所示。n (3) 平面型二極管n (2)面接觸型二極管n (4) 二極管的代表符號(b)面接觸型 陽極陰極半導體二極管圖片半導體二極管圖片半導體二極管圖片2. 二極管的伏安特性 l二極管的伏安特性的測出 。lPN結(jié)反向工作時，勢壘電容起主要作用，正向工作時擴散電容起主要作用 。⑵ PN結(jié)的伏安特性 l曲線 OD段 表示 PN結(jié)正向偏置時的伏安特性，稱為 正向特性 ；l曲線 OB段 表示 PN結(jié)反向偏置時的伏安特性，稱為 反向特性 。② PN結(jié)外加反向電壓 結(jié)論 ：lPN結(jié)的單向?qū)щ娦?： PN結(jié)加正向電壓產(chǎn)生大的正向電流， PN結(jié)導電。 ② PN結(jié)外加反向電壓 l如圖所示， 電源的正極接 N區(qū)，負極接 P區(qū)，這種接法叫做 PN結(jié)加反向電壓或反向偏置 。l濃度差引起載流子的擴散。l(3)雜質(zhì)半導體中， 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子由本征激發(fā)產(chǎn)生，其濃度與溫度有