【正文】 小的變化，就可以控制產(chǎn)生集電極電流大的變化，即電流放大作用好。為什么能實(shí)現(xiàn)放大呢？ iBiC輸入信號(hào)負(fù)載VCCVBB晶體管共射電路基極電流是由發(fā)射結(jié)間電壓控制的 ,較小的結(jié)間電壓變化,就會(huì)使基極電流產(chǎn)生相應(yīng)的變化 ,再通過(guò) iB對(duì) iC的控制作用 ,在集電極回路引起了 iC對(duì)應(yīng)的幅度上放大了 β 倍的變化 .⑷ 關(guān)于 PNP型晶體管lPNP管與 NPN管之間的差別： (1)電壓極性不同。⑵ 晶體管的電流分配關(guān)系l電流 iC由兩部分組成：l一部分是 ICEO， 它是 iB=0時(shí)流經(jīng)集電極與發(fā)射極的電流，稱為穿透電流。l電路接法：共基接法。kURRuou+ +– –（ b）UDuo（ c）UR+UD⑶ 二極管電路的分析方法 雙極型三極管1. 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型l有 NPN和 PNP兩種結(jié)構(gòu)類型。DURRuou+ +– –（ a）kURRuou+ +– –（ b）UD⑶ 二極管電路的分析方法l從圖 (b)的等效電路可見，當(dāng) u0且 uUR+UD時(shí)，二極管 D導(dǎo)通，開關(guān)閉合，輸出電壓 UO = UR十 UD。 D為普通二極管。uo+_u+_ RLD4D2 D1D3io AB（ a）uou+_RLD4D2 D1D3io AB（ c）+⑶ 二極管電路的分析方法l圖 (a)是一個(gè)二極管組成的限幅電路 (Clipping Circuit)。l 當(dāng)交流電源 u0時(shí)，二極管 Dl、 D3導(dǎo)通，相當(dāng)于開關(guān)閉合； D D4截止，相當(dāng)于開關(guān)斷開，如圖 (b)所示。這樣的電路叫整流電路 (Rectifier Circuits)。計(jì) 算分析法 ，其做法 為 ： 根據(jù)不同的條件利用二極管的等效 電 路來(lái)近似分析和 計(jì) 算 電路。l當(dāng)外加電壓 UUD時(shí)，二極管不通，電流為零，相當(dāng)于開路。為了簡(jiǎn)化分析，常常要做一些近似處理，可用某些線性電路元件來(lái)等效二極管，畫出二極管的等效電路。2. 二極管的伏安特性(a)二極管理論伏安特性正向特性CDoBAUBRuDiD2. 二極管的伏安特性② 反向特性l反向電流： 很小。(c)平面型 往往用于集成電路制造中。 半導(dǎo)體二極管l在 PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。幾皮法 ~幾百皮法。⑶ PN結(jié)的反向擊穿 l加大 PN結(jié)的反向電壓到某一值時(shí)，反向電流突然劇增，這種現(xiàn)象稱為 PN結(jié)擊穿 ，發(fā)生擊穿所需的電壓稱為 擊穿電壓 ，如圖所示。⑵ PN結(jié)的伏安特性 l外加反向電壓時(shí)， U為負(fù)值，當(dāng) |U|比 UT大幾倍時(shí)， I≈IS216。⑵ PN結(jié)的伏安特性 l定量描 繪 PN結(jié) 兩端 電壓 和流 過(guò)結(jié) 的 電 流的關(guān)系的曲 線 —— PN結(jié) 的伏安特性。l少子 的值與外加電壓無(wú)關(guān)，因此 反向電流的大小與反向電壓大小基本無(wú)關(guān)，故稱為反向飽和電流。PN結(jié)的反向電流很小，而且與反向電壓的大小基本無(wú)關(guān)。l不大的正向電壓，產(chǎn)生相當(dāng)大的正向電流 。 空間電荷區(qū)也稱作“ 耗盡區(qū) ” “ 勢(shì)壘區(qū) ” l自建電場(chǎng)阻止擴(kuò)散，加強(qiáng)漂移。lPN結(jié)是構(gòu)成多種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。l漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的電流稱為 漂移電流 。l(2)本征半導(dǎo)體中加入三價(jià)雜質(zhì)元素，便形成 P型半導(dǎo)體 ?？瘴晃徑拥膬r(jià)電子填充，從而留下一個(gè)空穴。l把 這 種半 導(dǎo) 體稱 為 N型半 導(dǎo) 體，其中的 電 子稱 為 多數(shù) 載 流子（ 簡(jiǎn) 稱多子），空穴稱 為 少數(shù) 載 流子（ 簡(jiǎn)稱少子）。⑵ 雜質(zhì)半導(dǎo)體① N型半導(dǎo)體l在本征半 導(dǎo) 體中加入微量的五價(jià)元素，可使半 導(dǎo) 體中自由 電 子 濃 度大 為 增加，形成 N型半 導(dǎo) 體 。l摻入的微量元素 ——“ 雜質(zhì) ” 。l(2)本征半 導(dǎo) 體中， 電 子和空穴 總 是成 對(duì)地 產(chǎn) 生， ni = pi。圖 41(b)晶體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖BA空穴自由電子圖 41(b)晶體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖+4 +4 +4+4+4+4 +4+4 +4C共價(jià)鍵⑴ 本征半導(dǎo)體l由于空穴帶正電荷，且可以在原子間移動(dòng)，因此， 空穴是一種載流子 。電子和空穴總是成對(duì)地產(chǎn)生，稱為 電子空穴對(duì) 。l在室溫條件下，本征半導(dǎo)體便具有一定的導(dǎo)電能力。l圖 41(b)是晶體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)的平面示意圖。① 溫度升高 時(shí)，純凈的半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力顯著增加；② 在純凈半導(dǎo)體材料中 加入微量的 “雜質(zhì) ”元素，它的電導(dǎo)率就會(huì)成千上萬(wàn)倍地增長(zhǎng)；③ 純凈的半導(dǎo)體 受到光照 時(shí)，導(dǎo)電能力明顯提高。第 4章 半導(dǎo)體二極管和三極管 l 內(nèi)容主要有：半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能PN結(jié)的形成及單向?qū)щ娦园?導(dǎo) 體器件的 結(jié)構(gòu)、 工作原理 、 工作特性 、 參數(shù)l 半 導(dǎo) 體器件 主要包括：半 導(dǎo) 體二極管（包括 穩(wěn)壓 管）三極管 PN結(jié) 1. 半導(dǎo)體⑴ 半導(dǎo)體的物理特性l物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電性能分為 導(dǎo)體 ：導(dǎo)電能力良好的物質(zhì)。⑴ 半導(dǎo)體的物理特性l半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力具有獨(dú)特的性質(zhì)。 l單晶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)l共價(jià)鍵 :由相鄰兩個(gè)原子各拿出一個(gè)價(jià)電子組成價(jià)電子對(duì)所構(gòu)成的聯(lián)系。⑴ 本征半導(dǎo)體l本征半導(dǎo)體在絕對(duì)零度（ T=0K相當(dāng)于T=－ 273℃ ） 時(shí)，相當(dāng)于 絕緣體 。⑴ 本征半導(dǎo)體l在本征半導(dǎo)體中，激發(fā)出一個(gè)自由電子，同時(shí)便產(chǎn)生一個(gè)空穴。l空穴是載流子嗎？⑴ 本征半導(dǎo)體l空穴的運(yùn)動(dòng)實(shí)質(zhì)上是價(jià)電子填補(bǔ)空穴而形成的。l半導(dǎo)體中存在載流子的 產(chǎn)生 過(guò)程載流子的 復(fù)合 過(guò)程⑴ 本征半導(dǎo)體綜 上所述：l(1)半 導(dǎo) 體中有兩種 載 流子： 自由 電 子和空穴， 電 子 帶負(fù)電 ，空穴 帶 正 電 。l本征半導(dǎo)體的物理性質(zhì)：純凈的半導(dǎo)體中摻入微量元素，導(dǎo)電能力顯著提高。 l雜質(zhì) 半導(dǎo)體分為： N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體 。l自由 電 子 的數(shù)目高 ， 故 導(dǎo)電 能力顯著提高 ?？瘴籄圖 43 P型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)示意圖+4 +4 +4+4+4+3 +4+4 +4共價(jià)鍵216。 N型半導(dǎo)體中，電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子