通信電路原理_第11章(存儲版)
【正文】 p,q=|177。 一、混頻電路 (圖 119 p348) (a)結型 (b)雙柵 MOS型 二、場效應管混頻特點 1. iD中無高次項，組合頻率干擾小； 動態(tài)范圍大 (vs可較大 )；輸入、輸出阻抗大。 三、 混頻器的分析方法 1. vS(ωo)、 vL(ωL)幅度均較小 采用冪級數(shù)法 (p201) v = V0m+V1mcosω1t +V2mcosω2t 代入冪級數(shù)展開式，取前四項，得 : 含有： 2. vS(ω0)小、 vL(ωL)大 采用時變參量法， (p203 631式 ) i = (Io+ I1cosωLt + I2cos2ωLt +...)+ (go+ g1mcosωLt +g2mcos2ωLt+...)V smcosωSt 乘積項： g1cosωLtVsmcosωSt 含有： (p190) 令： v1=Vcm(1+mcosΩt)cosωot v2= VLm cosωLt (本地參考信號） (ωo ≈ωL ) 則： v3= Kv1v2 = KVcmVLm(1+mcosΩt)cosωot cosωLt = (K/2)Vcm VLm(1+mcosΩt)cos(ωo+ωL)t + (K/2)Vcm VLm(1+mcosΩt)cos(ωoωL)t 經(jīng)帶通濾波器（ fo’ =fo + fL , B =2F) v上混頻 =(K/2)Vcm VLm (1+mcosΩt)cos(ωo+ωL)t 經(jīng)帶通濾波器（ fo’ = fo fL , B =2F) v下混頻 =(K/2)Vcm VLm (1+mcosΩt)cos(ωoωL)t 167。 112 晶體管混頻 [2] 167。 1
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