數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)ppt課件(存儲版)
【正文】 入 （ 2） 列真值表 Y7=m12+m13+m14+m15 （ 3） 寫標準與或表達式 Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12 Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y3=m3+m5+m11+m13 Y1= 0 Y2=m2+m6+m10+m14 (4)畫 ROM存儲矩陣結(jié)點連接圖 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 B13B12B11B10m0W0)()(11mW W2 3W W4W5 6W W7 8W9W W10W11W12W13 14W W15或門陣列陣矩取存（）址 門（碼）地陣器列與譯Y76YY5Y4Y3Y2Y10YY3=m3+m5+m11+m13 Y7=m12+m13+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 數(shù)學(xué)運算是數(shù)控裝置和數(shù)字系統(tǒng)中需要經(jīng)常進行的操作，如果事先把要用到的基本函數(shù)變量在一定范圍內(nèi)的取值和相應(yīng)的函數(shù)取值列成表格，寫入只讀存儲器中，則在需要時只要給出規(guī)定 “ 地址 ” 就可以快速地得到相應(yīng)的函數(shù)值。其缺點是一旦停電 ， 所存內(nèi)容便全部丟失 。 RAM可分為 單極型和雙極型 ：雙極型工作速率高，但是集成度不如單極型的高，目前，由于工藝水平的不斷提高，單極型RAM的速率已經(jīng)可以和雙極型 RAM相比，而且單極型 RAM具有功耗低的優(yōu)點。 為了存取方便 ， 給它們編上號 。其中高 3位 A7～ A5用于列譯碼輸入，低 5位 A4～ A0用于行譯碼輸入。 4． 從邏輯電路構(gòu)成的角度看 ， ROM是由與門陣列 （ 地址譯碼器 ） 和或門陣列 （ 存儲矩陣 ） 構(gòu)成的 組合邏輯電路 。 后者又可細分為 PROM、 EPROM、E2PROM和快閃存儲器等 ， 特別是 E2PROM和快閃存儲器可以進行電擦寫 ， 已兼有了 RAM的特性 。它包含有 SRAM和 DRAM兩種類型 ， 前者用觸發(fā)器記憶數(shù)據(jù) ，后者靠 MOS管柵極電容存儲數(shù)據(jù) 。 行 、 列譯碼器的輸出即為行 、 列選擇線 ，由它們 共同確定 欲選擇的地址單元 。 DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比 SRAM慢，不過它還是比任何的 ROM都要快，但從價格上來說 DRAM相比 SRAM要便宜很多，計算機內(nèi)存就是 DRAM的。 在多字 1位結(jié)構(gòu)中 ， 每個寄存器都只有 1位 ， 例如一個容量為 1024 1位的 RAM， 就是一個有1024個 1位寄存器的 RAM。 EPROM舉例 —— 2764 V Vpp ccCEP G MA AD D12 007~~地2764AAAAAAAAAAA012345678910AA1112OOOOO0O12O345O6722321242534567898kB 8276 410V P P127P G M(P G M )V CCV IH20CSOECSOE221112131415161718地址輸入數(shù)據(jù)據(jù)輸出A A12 0~D D7 ~CE0P G MV pp ccV引腳 功能地址輸入芯片使能編程脈沖電壓輸入數(shù) 據(jù)第六章 半導(dǎo)體存儲器 只讀存儲器（ ROM） 隨機存儲器（ RAM） 隨機存取存儲器 （ RAM, randomaccess memory ）可以在任意時刻 、 對任意選中的存儲單元進行信息的存入 （ 寫入 ） 或取出 （ 讀出 ） 操作 。 ROM的應(yīng)用 （ 1） 分析要求 、 設(shè)定變量 自變量 x的取值范圍為 0～ 15的正整數(shù) ， 對應(yīng)的 4位二進制正整數(shù) ， 用 B=B3B2B1B0表示 。 amp。 amp。 （ 3） 光可擦除可編程 ROM（ EPROM） 。 ROM 的分類 按照數(shù)據(jù)寫入方式特點不同 ， ROM可分為以下幾種： （ 1） 固定 ROM。 存 儲 器 M D3 D2 D1 D0 A1 A0 第六章 半導(dǎo)體存儲器 只讀存儲器（ ROM） 隨機存儲器（ RAM） ROM (readonly memory)由 地址譯碼器和存儲體兩部分構(gòu)成。 （ 2） 只讀存儲器 （ ROM） 其內(nèi)容只能讀出不能寫入 。 RAM的缺點是數(shù)據(jù)易失 ， 即一旦掉電 ， 所存的數(shù)據(jù)全部丟失 。二根地址線有四種地址組合，假設(shè)對應(yīng)輸出數(shù)據(jù)如表。 首先通過字線和位線選擇需要編程的存儲單元 ， 然后通過規(guī)定寬度和幅度的脈沖電流 ， 將該存儲管的熔絲熔斷 ， 這樣就將該單元的內(nèi)容改寫了 。 E2PROM的電擦除過程就是改寫過程 ， 它具有 ROM的非易失性 ， 又具備類似 RAM的功能 ， 可以隨時改寫 （ 可重復(fù)擦寫 1萬次以上 ） 。 44位ROM 0A1A0m0W ??0A1A1m1W ??0A1A2m2W ??0A1A3m3W ??地址譯碼器 存儲體 3 0 2 0 2 2 1 2 3 1 2 31 0 3 0 3 0 0 1 3 0 1 3D = W + W = m + m D = W + W + W = m + m + mD = W + W = m + m D = W + W + W = m + m + m 1 1 D 3 D 2 D 1 D 0 A 1 A 0 W 0 W 1 W 2 W 3 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 amp。 A1=0A0=1 D3=0 D2=1 D1=0 D0=1 W0=0 W1=1 W2=0 W3=0 地 址 A 1 A 0 字 線 W 0
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