光催化分解水的研究進展(存儲版)
【正文】 uction Oxidation CB VB H2O O2 H+ H2 H+/H2（ SHE＝ 0 V） O2/H2（ E＝ V） e e +h+ e +h+ e h+ h+ hν Bulk recombination Surface rebination 光催化 半導體微粒要完全分解水必須滿足如下基本條件 ： ①半導體微粒禁帶寬度 即能隙 必須大于水的分解電壓 理論值 。 光催化 光催化 作為層狀復合氧化物的代表 , K4Nb6O17 具有兩種不同的層空間 (層 Ⅰ 和層 Ⅱ )交錯形成的二維結構 , 大部分負載的助催化劑 NiO經(jīng)過氧化還原處理后的超細 Ni粒子 (0 . 5 nm)進入層Ⅰ , 少數(shù)沉積在催化劑表面 . 紫外光 輻照下光生電子在層 Ⅰ 還原水制氫氣 , 光生空穴在層 Ⅱ 氧化水制氧氣 . 光催化 La摻雜的 Ni O /NaTaO3催化劑的掃描電鏡結果表明 , 摻入 La以后催化劑顆粒變小 (0 . 1～ 0 . 7μm) , 結晶度變高 , 并且具有非常獨特的階梯形表面結構 . 作者認為 La摻雜之后引起的顆粒尺寸減小和階梯的 出現(xiàn)不但減少了光生電子和空穴遷移到表面活性位的距離 , 還可能產(chǎn)生了新的活性位 , 這些因素可能是催化劑光催化活性較高的主要原因 . 光催化 光催化 Current record holders in terms of quantum ef?ciencies (QEs) are La/KTaO3 (QE ) 56%, pure water, UV light (QE ) 90%, aqueous Na2S/Na2SO3, light with λ 300 nm (QE ) %,pu
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