【正文】 .................................................２６ 聲 明 .....................................................................................................................２６ MP4 播放器電源電路設(shè)計(jì) 成都信息工程學(xué)院學(xué)士學(xué)位論文 ５ 引 言 MPEG（運(yùn)動(dòng)圖像專(zhuān)家小組）是 ISO/IEC 的一個(gè)工作組，負(fù)責(zé)制定有關(guān)活動(dòng)圖像、視頻、音頻及其組合的壓縮、解壓縮、處理和編碼等方面的技?jí)嚎s技術(shù)的革命 .MPEG4壓縮標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)成由 DMIF(TheDellivery Multimedia Integration Framework） 即多媒體傳送整體框架、 數(shù)據(jù)平面、 (可以分為兩部分：傳輸關(guān)系部分和媒體關(guān)系部分 )緩沖區(qū)管理和實(shí)時(shí)識(shí)別 、音頻編碼 、 視頻編碼組成 . 利用這種標(biāo)準(zhǔn)制作的 MP4 成為了一種新的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品 —— 便攜式 MP4 播放器，它具有極大的市場(chǎng)前景 . 本課題的主要目標(biāo)就是以凌陽(yáng) (SUNPLUS)公司的 536方案為核心，研究 MP4播放器各個(gè)組成部分的的電源電路設(shè)計(jì) .電源是任何系統(tǒng)的核心部分 ,而對(duì)于電源的發(fā)展來(lái)說(shuō)由最開(kāi)始的線形電源發(fā)展到現(xiàn)在的開(kāi)關(guān)電源 .線形電源有其固有的穩(wěn)定性仍然沿用至今 ,而今開(kāi)關(guān)電源以體積小、重量輕、效率高、抗干擾能力強(qiáng)成為電源的主流 .而本次課題設(shè)計(jì)的電源根據(jù)成本 ,效率及其實(shí)際情況主電源電路和 TFT屏的驅(qū)動(dòng)電 路采用了開(kāi)關(guān)電源 ,而也有少部分采用了 LDO電路的設(shè)計(jì) . 論文首先簡(jiǎn)要介紹了 MPEG系列國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)音頻、視頻編解碼技術(shù)的發(fā)展， 及其近幾年 MP4的發(fā)展趨勢(shì)及其市場(chǎng)行情 ,進(jìn)而介紹了 MP4播放系統(tǒng)的原理與結(jié)構(gòu)，然后簡(jiǎn)要介紹了電源的發(fā)展 .在重點(diǎn)介紹本次課題的核心 MP4 播放器電源部分的設(shè)計(jì) .在設(shè)計(jì)這部分電路時(shí)先重點(diǎn)介紹了主電源電路的設(shè)計(jì) .然后對(duì)各個(gè)部分的供電電路設(shè)計(jì)及其芯片的選取作了詳細(xì)的介紹 .最后介紹了電源部分的布線和防干擾 . 成都信息工程學(xué)院學(xué)士學(xué)位論文 ６ PMP, 全稱(chēng)是 Portable Media Player, 國(guó)內(nèi)普遍稱(chēng)為 MP4。但同硬盤(pán) MP4 播放機(jī)相比，這種 MP4 播放機(jī)的體積小巧，并且電池持續(xù)的時(shí)間一般比較長(zhǎng)，加上價(jià)格一般不貴，因此也受到很多用戶的歡迎。開(kāi)關(guān)電 源和線性電源是現(xiàn)代電子電源發(fā)展的兩個(gè)主要方面，開(kāi)關(guān)電源以功耗小、效率高、 體積小、重量 輕的優(yōu)勢(shì)幾乎席卷了整個(gè)電子界，而線性電源則以其固有的穩(wěn)定性 仍占有一席之地。采用 TOPSwitch 器件的開(kāi)關(guān)電源與分立的 MOSFET 功 率開(kāi)關(guān)及 PWM 集成控制的開(kāi)關(guān)電源相比，具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔、成本低廉、性能穩(wěn) 定、制作及調(diào)試方便 , 自保護(hù)完善等優(yōu)點(diǎn)。 基于上述要求 .在結(jié)合實(shí)際成本 ,本款是采用的 SUNPLUS(凌陽(yáng) )的 536方案 .類(lèi)型是當(dāng)今市場(chǎng)上比較流行的閃存 攜帶方便、體積 小巧的特點(diǎn)。 90%以上的高效利用率， ， 。 因此采用了線形降壓電路 (LDO)為視頻部分供電 .如圖 27所示； C 611uFC 601uFC 6210nFBC 290. 1 u FU5 R T 9 16733C B123 45INGNDSH D N BPOU TVI NT P7 91R 6010KVE D IO_E NT P7 01VB AT VB AT VE D IO_3. 3V 圖 27 音頻部分供電 音頻芯片是用的 AC97,此部 分所需的電壓大小為 片為音頻 IC直接供電 ,因?yàn)橐纛l部分對(duì)信號(hào)要求很高 .將 RT9901的 磁珠進(jìn)行高頻衰減在進(jìn)行濾波處理 .如圖 28所示； 成都信息工程學(xué)院學(xué)士學(xué)位論文 １６ 3. 3 VAA3. 3VA U DR 32 680VB AT + C747uFVB AT BC 260. 1 u FC 20100nFVB AT LEARPHONEC 171uFC 181uFREARPHONEVB AT AU R STXT A LI 1R S P EA K ERAU BC LKAU D O U TVB AT XT A LO1U314567891023111213 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24252627282930313233343536373839404142434445464748D BV D DD GN D 1SD A T AOU TBI T C LKD GN D 2SD A T AI ND C VD DSY N CXT L INXT L OU TR E SE T BC R E FAVDD2NC NC NC NC AGND1PCBEEPPHONEMIC1MIC2LINEINLLINEINR AV D DAGN DVR EFM I C BI ASC OM P 1C OM P 2C OM P 3C AP 2M ON OO U TSP KGN DLOU T 2R OU T 2OUT3SPKVDDHPOUTLHPGNDHPOUTRAGND2HPVDDGPIO1GPIO2/IRQGPIO3GPIO4GPIO5 / SPDIF OUTVB AT R 1710KJ P1SP EA K ER12BC 320. 1 u FVB AT B E A DB1+C8T / C 100uF / 6. 3VC 27 220p FAU D IN3. 3 VAR 29 NCA3. 3VA U DVB AT BC 280. 1 u FBC 250. 1 u FVB AT +C9T / C 100uF / 6. 3V+M1M I C \ 8 0\ 24012R 23 22T O S P E A K E RC 26 220p FVB AT C 10NCBC 230. 1 u FA3. 3VA U DBC 240. 1 u FR 30 47K3. 3 VAR 21 22AU SY N CLS P EA K ERC 19100nF 圖 28 還有其它部分如視頻錄制 ,SD 卡 ,FLASH 都是通過(guò)這種方式供電 ,如圖 29所示： D 3 . 3 V+ C 5 6T / C 1 0 u F / 1 0 VA3 . 3 VT V+ C 3 9T / C 1 0 u F / 1 0 VB E A DB5D 3 . 3 V SD RVB AT B E A DB6B E A DB1 1T VG N D 圖 29 該部分的供電電壓大小都是 供電 .由主電壓芯片提供的輸出電壓 .要得到穩(wěn)定的 ,低頻的直流電壓 ,就采用了磁珠對(duì)高頻進(jìn)行衰減再濾波后供給各個(gè)需成都信息工程學(xué)院學(xué)士學(xué)位論文 １７ 求電壓芯片 .注意此處選擇 磁珠 是因?yàn)?磁珠 有 很高的電阻率和磁導(dǎo)率， 他等效于電阻和電感串聯(lián)， 但電阻值和電感值都隨頻率變化。鋰離子電池的工作電壓在 ，是鎳鎘和鎳氫電池工作電壓的三倍?？梢愿鶕?jù)要求隨時(shí)充電，而不會(huì)降低電池性能。 鋰離子電池在充電或放電過(guò)程中若發(fā)生過(guò)充、過(guò)放或過(guò)流時(shí)，會(huì)造成電池的損壞或降低使用壽命。鋰離子電池充電電流應(yīng)根據(jù)電池生產(chǎn)廠的建議，并要求有限流電路以免發(fā)生過(guò)流 (過(guò)熱 )。 ★、涓流充電功能可防止嚴(yán)重放電的電池受損 。 如圖 33所示： VB AT VB AT VB AT U4M C P 7386112345 6 7 8910111213141516Vs etVD D 1VD D 2VS S1PROGTHREFTHERMTHMERVS S3VB AT 1VB AT 2VB AT 3VSS2ENSTAT2STAT1VB AT R 41* 1 . 5KR 39* 1 KL I _ B A T T E R Y3 . 6 4 . 2 VVB AT VB AT GNDVB AT BC 330. 1 u FLED 1LED (gre e n / red )123VB AT VB AT BT 1H E AD ER 212C 314. 7 u F / 16 V+VB AT R 42* 1 KR 401. 6 KVB AT D C _D ETN O T E :W h e n c h a r g i n g b a t t e r y , t h e g r e e n l e d t u r n o n 。當(dāng)工作頻率在 1～ 10MHz 時(shí)，如果采用一點(diǎn)接地，其地線長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)波長(zhǎng)的 1/20，否則應(yīng)采用多點(diǎn)接地法。因此應(yīng)將接地線盡量加粗，使它能通過(guò)三倍于印制電路板的允許電流。 參考文獻(xiàn) [1] 馮桂林 .開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源原理與實(shí)用技術(shù) .北京希望電子出版社 . 。 成都信息工程學(xué)院學(xué)士學(xué)位論文 ２７ （ 2）學(xué)校可以采用影印、縮印或其他復(fù)制方式保存學(xué)位論文。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。 （保密論文在解密后遵守此規(guī)定） 作者簽名 : 二〇 一 〇年 九 月 二十 日 成都信息工程學(xué)院學(xué)士學(xué)位論文 ３０ 致 謝 時(shí)間飛逝，大學(xué)的學(xué)習(xí)生活很快就要過(guò)去，在這四年的學(xué)習(xí)生活中，收獲了很多，而這些成績(jī)的取得是和一直關(guān)心幫助我的人分不開(kāi)的。郭謙功老師淵博的知識(shí)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)淖黠L(fēng)和誨人不倦的態(tài)度給我留下了深 刻的印象。 回首四年，取得了些許成績(jī)，生活中有快樂(lè)也有艱辛。他無(wú)論在理論上還是在實(shí)踐中，都給與我很大的幫助，使我得到不少的提高這對(duì)于我以后的工作和學(xué)習(xí)都有一種巨大的幫助，感謝他耐心的輔導(dǎo)。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm 6X4NGpP$vSTTamp。 gTXRm6X4NGpP$vSTTamp。 6a*CZ7H$dq8Kqqf HVZFedswSyXTyamp。 MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。 849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。MuWFA5ux^Gj qv^$UE9wEwZQcUE% amp。849Gx^Gj qv^$UE9wEwZQcUE%amp。是他們?cè)谖耶厴I(yè)的最后關(guān)頭給了我們巨大的幫助與鼓勵(lì)，給了我很多解決問(wèn)題的思路，在此表示衷心的感激。 四年的大學(xué)生活就快走入尾聲，我們的校園生活就要?jiǎng)澤暇涮?hào)，心中是無(wú)盡的難舍與眷戀。沒(méi)有他們的幫助，我將無(wú)法順利完成這次設(shè)計(jì)。 作者簽名 : 二〇 一 〇年 九 月 二十 日 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）使用授權(quán)聲明 本人完全了解 濱州學(xué)院 關(guān)于收集、保存、使用畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的規(guī)定。盡我所知，除文中已經(jīng)特別注明引用的內(nèi)容和致謝的地方外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果。 本文是在吳啟滿老師，項(xiàng)目經(jīng)理俞正中的熱情關(guān)心和指導(dǎo)下完成的。通過(guò)這次設(shè)計(jì)，不僅對(duì)已學(xué)知識(shí)進(jìn)行了鞏固，更提高了我的動(dòng)手能力和自學(xué)能力 ,這對(duì)以后的學(xué)習(xí)和工作來(lái)說(shuō)都將是一筆巨大的財(cái)富。 （ 3）接地線應(yīng)盡量加粗。在地線設(shè)計(jì)中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)： （ 1）正確選擇單點(diǎn)接地 與多點(diǎn)接地 在低頻電路中，信號(hào)的工作頻率小于 1MHz，它的布線和器件間的電感影響較小，而接地電路形成的環(huán)流對(duì)干擾影響較大，因而應(yīng)采用一點(diǎn)接地的方式。成都信息工程學(xué)院學(xué)士學(xué)位論文 ２４ 此時(shí)，當(dāng) 超過(guò) 時(shí) ,即激活過(guò)度充電保護(hù)，將功率 充電芯片內(nèi)部的 MOSFET由開(kāi)轉(zhuǎn)為切斷，進(jìn)而截止充電。 ★、電池電壓稍后低于 V 即自動(dòng)進(jìn)入充電模式。1%( 例如 :