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The good performance of this amplifier satisfies the requirement of engineering application， and it can be applied to the receiver frontend of munication systems.Keywords： low noise amplifier； noise figure； match； electron technology。 低噪聲放大器的發(fā)展現(xiàn)狀 從上個世紀 60 年代中期開始，由于平面外延工藝的發(fā)展，雙極晶體管的工作頻率跨進微波頻段，平面外延晶體管的工作頻率達到 1GHz 以上，出現(xiàn)了微波雙極晶體管及其相應(yīng)的放大器，而同時伴隨著場效應(yīng)晶體管（ FET）理論的提出，包括金屬絕緣柵半導(dǎo)體 FET (如 MOSFET) 、結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JF