【正文】 噪聲放大器的設(shè)計(jì)優(yōu)化 [J]. 現(xiàn)代電子技術(shù) . 2020, (3):176— 178. [13] 臧威 , 李緒誠(chéng) , 劉 橋 . CMOS 低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)分析與設(shè)計(jì) [J]. 重慶工學(xué)院學(xué)報(bào)， 2020. [14] 夏煒 , 李柏渝 , 周力等 . 基于 ADS 仿真的低噪聲放大器設(shè)計(jì) [J]. 微處理機(jī) , 2020. [15] 黃玉蘭 . 射頻電路理論與設(shè)計(jì) [M]. 北京 ： 人民郵電出版社， 2020. [16] 趙桂清 . 低噪聲放大器的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn) [J]. 電子元器件應(yīng)用 , 2020, 10(3):56— 59. [17] 陳冠 , 陳向東 , 石念 . 低噪聲放大器設(shè)計(jì) [J]. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī) . 2020. [18] 陳邦媛 .射 頻通信電路 [M]. 北京 :科學(xué)出版社 , 2020 [19] 張士化，何子述． s波段低噪聲放大器的分析與設(shè)計(jì) [J]．現(xiàn)代電子技術(shù)， 2020， (18)：7583． [20] 唐海嘯，張玉興，楊陳慶，楊玉梅．利用 ADS 軟件設(shè)計(jì) X頻段低噪聲放大器 [J]．電華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 42 訊技術(shù)， 2020. [21] 劉壕俘 }，費(fèi)元春． S波段低噪聲放大器 CAD 設(shè)計(jì) [J]．現(xiàn)代雷達(dá)， 2020. [22] 邵松．超寬帶雷達(dá)接收前端的集成化射頻模塊研究 [D]．北京：北京理工大學(xué)， 2020． [23] 馮新宇，車向前，穆秀春等， ADS 射頻電路設(shè)計(jì)與仿真 .電子工業(yè)出版社， 2020 [24] 鄭林苓 , 湯清華 , 吳國(guó)安 , 射頻寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與仿真 . 華中科技大學(xué) ,2020 [25] 劉暢 ,梁曉新 ,閻躍鵬 ,射頻寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì) . 電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào) ,2020 [26] 錢可偉，田 忠 , 0． 1 2． 8 GHz 超寬帶低噪聲放大器的研制 . 電子元件與材料 ,2020 [27] 張海波，葉曉慧，王杰玉 , 一種低噪聲放大器的自適應(yīng)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)模型的設(shè)計(jì) . 計(jì)算機(jī)測(cè)量與控制 ,2020. [28] 詹福春 ,王文騏 ,李長(zhǎng)生 . 集成低噪聲放大器的設(shè)計(jì) . 半導(dǎo)體技術(shù) , 2020. [29] 萬建崗，高玉良，左治方， 基于反饋技術(shù)的寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì) .電現(xiàn)技術(shù)， 2020. [30] Tang. A, Yuan. F, Law. E. A New CMOS LowNoise Amplifier with Automatic Gain Control[J]． 49th IEEE International Midwest Symposium on， 2020. [20] Yang Tao． Design of a GHz low noise amplifier in CMOS technology[J]． Microwave, Antenna, Propagation and EMC Technologies for Wireless Communications． 2020 International Symposium on， 2020， — 395． [31] WongSun Kim， Xiaopeng Li, Ismail． M． A GHz CMOS low noise amplifier using an interstage matching inductor[J]. Circuits and Systems. 42nd Midwest Symposium on， 1999， 2： 1040— 1043． [32] Challal． M， Azrar． A， Bentarzi． H et al． Microstrip design of low noise amplifier for application in narrowband and wideband[J]． Signals, Circuits and Systems． SCS 2020. 2nd International Conference on， 2020， — 4． [33] A Thesis Presented to The Faculty of the College of Engineering and Technology Ohio University. In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree Masterof Science. By Tiow HengTary August, 1991 [34] ReinholdLudwig. RFCircuit Design: Theory andApplI cations[M]. NewJersey: PrenticHal,l 1998. 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 43 [35] DPozar. Microware Engineering[M]. NewYork: John Wiley, 1998. [36] Reinhold Ludwig,Pavel Bretchko ． RF CircuitDesign ： Theory and Application[M]．北京：電子 I)Ik出版社， 2020． 42— 45． [37] AleksandarTasic。在工作過程中，更加深化了對(duì)知識(shí)的了解，拓寬了眼界，是大學(xué)生活不可多得的寶貴財(cái)富。 本文討論了一種增強(qiáng)型 EPHEMT 管的寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)， 介紹了設(shè)計(jì)的具體流程和方法，并充分利用 ADS 仿真軟件的各項(xiàng)功能對(duì)低噪聲放大器進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，省去了復(fù)雜的華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 39 理論分析計(jì)算，大大簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過程，提高了工作效率，對(duì)低噪聲放大器的 CAD 設(shè)計(jì)具有很大的現(xiàn)實(shí)意義。并經(jīng)過多次調(diào)試，得到兩級(jí)低噪聲寬頻放大器 如圖 322所示 。 圖 317 加入源和負(fù)載阻抗的 Smith Chart Marching 采用 LC分立器件匹配過程如圖 318所示。 （ 2） 在元器件面板列表中選擇“ Smith Chart Matching”，單擊控件圖標(biāo)，在原理圖里添加“ DA— SmithChartMatching”控件，使用時(shí)需要考慮方向，如圖 313 所示。 （ 5）設(shè)計(jì)完成后，單擊工具欄中的 Push Into Hierarchy 按鈕，進(jìn)入 SSMtch 的子電路如圖 39所示。 本節(jié)主要是利用 ADS 進(jìn)行匹配電路設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容是利用無源匹配網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行阻抗變換，達(dá)到功率最大傳輸，重點(diǎn)是確保在源和負(fù)載之間形成最小反射。 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 28 圖 36 一級(jí)放大電 路的仿真結(jié)果 （ 7） 同樣將重新設(shè)級(jí)圖 35所示的單級(jí)放大電路，將兩個(gè)單級(jí)放大電路進(jìn)行級(jí)聯(lián)得到一個(gè)兩級(jí)放大電路如圖 37所示。因此，負(fù)反饋技術(shù)被廣泛地運(yùn)用于寬帶放大器的設(shè)計(jì)當(dāng)中。按鈕，然后單擊數(shù)據(jù)顯示窗口 可以看到曲線上某個(gè)頻率點(diǎn)的精確數(shù)值，如圖 33 所示。新建原理圖命名為“ LAN_schematic_1” ,添加各種元器件并設(shè)置相應(yīng)參數(shù)后的原理如圖 524 所示。因此反饋元器件常用一段微波線來代替，相當(dāng)于電感元器件的負(fù)反饋。 實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，為了保證低噪聲放大器穩(wěn)定工作，還要注意使放大器避開潛在不穩(wěn)定區(qū)。考慮到設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)潔性和經(jīng)濟(jì)性 , 兩級(jí)中的每一級(jí)都選用同一類型的放大器 , 在單級(jí)設(shè)計(jì)完成之后進(jìn)行級(jí)聯(lián)。由于 LNA 在接收系統(tǒng)中的特殊位置和作用，該部件的設(shè)計(jì)對(duì)整個(gè)接收系統(tǒng)的性能指標(biāo)起著關(guān)鍵作用。由于ω是角頻率，單擊數(shù)據(jù)顯示方式面板中的的方程控件，輸入計(jì)算表角頻率的公式如圖 225a 所示。) () τ =Im(Y21)/(ω gm)RiCgsCgd/gm () where D=1+[Re(Y11)/ (Im (Y11)+ Im (Y12))]2 () 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 15 小信號(hào)模型提取的步驟 （ 1） 新建原理圖命名為 “ TuopuCircuits” ,添加各種元件和控件 ， 按照 Avago 公司給出的 ATF55143 的模型如圖 217 畫出 ATF55143 模型的拓?fù)潆娐啡鐖D 221 所示。然后通過參數(shù)轉(zhuǎn)化以及相應(yīng)的計(jì)算，如圖 219 所示，求得intrinsic device 的 Y 參數(shù)，最后通過計(jì)算得到和偏置相關(guān)的本征元件的各個(gè)值。 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 11 （ 6） 單擊仿真按鈕進(jìn)行仿真。在原理圖中放入 ATF55143 的模型和“ DA_FETBias”控件，如圖 211 所示。 圖 26 元器件庫(kù)列表 （ 5） 設(shè)置 DC_FET 控件的參數(shù)，在 ATF55143 的 datasheet 里面，如圖 27 所示，可以看到 ATF55143 的 VGs 為 。 圖 21 釋放 zap文件的菜單命令 華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 5 （ 2） 彈出的“ Unarchive Project”對(duì)話框如圖 22所示，選擇“ ”文件，把它釋放到需要存放的路徑，釋放后生成一個(gè) ATF55143_prj 的 ADS 工程，值得注意的是解壓路徑最好不要采用中文；否則，可能報(bào)錯(cuò)。實(shí)際上 ,在不同的條件、分析目地、精度的要求下 ,在晶體管工作信號(hào)不同的幅度和頻率下 ,晶體管可以用不同的模型去模擬 ,即有不 同的等效電路?？蓪?shí)現(xiàn)包括時(shí)域與頻域、數(shù)字與模擬、線性與非線性、噪聲等多種仿真功能，并可對(duì)設(shè)計(jì)結(jié)果進(jìn)行成品率分析與優(yōu)化，提高復(fù)雜電路設(shè)計(jì)效率，是優(yōu)秀的微波射頻電路、系統(tǒng)信號(hào)鏈路的設(shè)計(jì)工具，是射頻工程師必備的工具軟華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 3 件之一。 本課題的研究方法及主要工作 低噪聲放大器是無線接收機(jī)前端的重要部分，其主要作用是放大微弱信號(hào)，盡量使放大器引入的噪聲減小。由于 HFET 在工藝制造過程中要精確控制薄層結(jié) 構(gòu)、陡峭的摻雜梯度以及采用更難加工的半導(dǎo)體材料 ,制造一個(gè) HEMT 要比 GaAs MESFET 的花費(fèi)昂貴得多 ,隨著華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 2 技術(shù)的進(jìn)步和科技的發(fā)展 ,人們對(duì)高性能低成本的 HEMT 需求更大。近幾年來，隨著材料生長(zhǎng)技術(shù)（比如分子束外延和分子化學(xué)蒸發(fā)沉積）和新型器件結(jié)構(gòu)可靠性的提高，開始從更高的輸出功率和效率方面改善器件的功能。 ultrabroad band?；谪?fù)反饋技術(shù)和寬帶匹配技術(shù)，利用 Avago ATF54143 PHEMT 晶體管設(shè)計(jì)了放大器電路。華北電力大學(xué) 本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） Ⅰ 大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)論文 基于 ADS 寬頻 低噪聲 放大器的設(shè)計(jì) 摘要 選用噪聲較小、增益較高且工作電流較低的放大管 ATF55143，利用兩種負(fù)反饋和寬帶匹配技術(shù)，結(jié)合 ADS 軟件的輔助設(shè)計(jì)，研制出寬帶低噪聲放大器。為了降低接收前端的噪聲，設(shè)計(jì)并制作一種超寬帶低噪聲放大器。3 dB, oper ating current below 60 mA and noise figure less than dB, with low cost and small volume. The good performance of this amplifier satisfies the requirement of engineering application， and it can be applied to the receiver frontend of munication systems.Keywords： low noise amplifier； noise figure； match； electron technology。 低噪聲放大器的發(fā)展現(xiàn)狀 從上個(gè)世紀(jì) 60 年代中期開始，由于平面外延工藝的發(fā)展，雙極晶體管的工作頻率跨進(jìn)微波頻段，平面外延晶體管的工作頻率達(dá)到 1GHz 以上，出現(xiàn)了微波雙極晶體管及其相應(yīng)的放大器，而同時(shí)伴隨著場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ FET）理論的提出，包括金屬絕緣柵半導(dǎo)體 FET (如 MOSFET) 、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JF