freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

直拉單晶硅設備與工藝研究畢業(yè)設計(存儲版)

2024-10-07 07:50上一頁面

下一頁面
  

【正文】 副室達到和主室相同的真空條件。籽晶提升機構(gòu)有快速和慢速兩個驅(qū)動電機。在爐蓋上升并向右旋轉(zhuǎn)偏離爐體后, 主爐室才可上升。真空系統(tǒng)由主爐室真空系統(tǒng)和副爐室真空系統(tǒng)組成。 (三)籽晶軸和坩堝軸的密封圈經(jīng)常清洗,避免贓物聚集,保持良好的密封。( 3)籽晶軸或坩堝軸不垂直。 (三)漏油 單晶爐膛漏水會使單晶氧化,嚴重影響單晶質(zhì)量。用尼龍布(也可以用毛巾)沾無水乙醇擦干凈爐壁、坩堝軸和籽晶軸。在單晶爐內(nèi)裝多晶硅時,先將石英坩堝 放入托碗,然后可按裝多晶步驟往石英坩堝內(nèi)放多晶塊,多晶硅裝完后,用塑料布將坩堝蓋好,再把防渣罩和裝好籽晶的夾頭裝在籽晶軸上。熔硅溫度升到 1000℃ 時應轉(zhuǎn)動坩堝,使坩堝各部受熱均勻。下種后籽晶周圍馬上出現(xiàn)光圈,而且籽晶與熔硅接觸面越來越小,光圈抖動厲害,表示溫度偏高,應立即降溫,否則會熔斷,這種情況有兩種可能:直拉單晶硅設備與工藝研究 10 一是實際加熱功率偏高,應適當降低功率,隔幾分鐘再下種;二是由于熔硅和加熱器保溫系統(tǒng)熱惰性引起的,說明硅熔 完后下種過急,溫度沒有穩(wěn)定,應穩(wěn)定幾分 鐘后再下種??s頸方法有兩種:快縮頸和慢縮頸??s頸 — 放肩 — 等直徑,光圈的變化為:閉合 — 開口 — 開口增大 — 開口不變 — 開口縮小 — 開口閉合。單晶爐一般都有溫度和單晶等直徑控制系統(tǒng)。完成收尾后,使單晶脫離熔體約 20毫米。出現(xiàn)掛邊或搭橋要及時處理,首先降低坩堝位置,快速升高溫度,一旦掛邊和搭橋消失,快速降溫,快速升高坩堝,避免產(chǎn)生硅跳。處理掛邊和搭橋時注意及時降溫,防止熔硅溫度過高產(chǎn)生硅跳。一般單晶爐搜裝有水壓繼電器,單晶爐不通水,加熱電源送不上。在一定距離內(nèi),某方向的溫度相差越大,單位距離內(nèi)溫度變化也越大,溫度梯度也越大。 單晶硅是在單晶爐熱場中進行生長的,熱場的優(yōu)劣對單晶硅的生長和質(zhì)量有很大影響。單晶逐漸生長到尾部,平坦的生長界面逐漸凹向熔體,越接近單晶尾部,生長界面越凹。 硅晶體產(chǎn)品的完整性與均勻性是晶體生長爐最關(guān)鍵的技術(shù)指標,要求在長達3040個小時的成晶過程中確保晶體的無錯位生長,同時盡可能避免晶體的內(nèi)應力與微缺陷;因此需要讓單晶硅按要求進行有規(guī)律地生長,這就要 求有一個精確的、穩(wěn)定的熱場溫度控制晶體生長環(huán)境。 2)通過監(jiān)測保溫罩石墨內(nèi)筒的溫度,對溫度進行自動設定和調(diào)節(jié),保溫罩石墨圓筒的亮度與加熱器的溫度有關(guān),爐外的溫度傳感器將這個光信號轉(zhuǎn)換成電信號,并給出一個讀數(shù),這個讀數(shù)與設定的讀數(shù)相比較,來控制加熱功率。 直拉單晶硅設備與工藝研究 20 參考文獻 [1] 龍柏 。但是不能過大單晶即能良好生長,又不產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷和產(chǎn)生晶變,應盡量使溫度梯度變化平滑,不產(chǎn)生溫度突變,不使單晶生長受到較大的熱沖擊。在操作上,溫度的控制一般有三種方式。 直拉單晶爐熱場控制系統(tǒng) 直拉單晶 爐熱場溫度控制系統(tǒng)包括熱場系統(tǒng)和電氣溫度控制系統(tǒng) 。 單晶硅最初等直徑生長時,生長界面 凸向熔體,界面的經(jīng)向溫度梯度是正值,隨單晶不斷的增長,結(jié)晶界面由凸向熔體逐漸變平,界面的徑向溫度梯度逐漸趨近于零。拉晶時,由于晶體生長放出結(jié)晶潛熱,影響溫度分布,熔體液面下降,使溫度分布發(fā)生變化,而晶體生長的表面積增加,散熱面積增加,溫度分布也發(fā)生變化,這樣溫度梯度不斷變化的熱場稱為動態(tài)熱場。 熱系統(tǒng)的大小、高矮、厚薄不同,溫度的變化不同,常用溫度梯度從數(shù)量上描述熱系統(tǒng)的溫度分布情況。氣氛下熔硅或拉晶突然停電后,首先把所有的開關(guān)旋鈕放到零位,以后的處理辦法和在真空下相同。同時,溫度過高,加快熔硅和石英坩堝反應,產(chǎn)生一氧化硅 氣泡產(chǎn)生硅跳。搭橋指硅將熔完時,部分硅塊在硅熔體上面形成一座“橋”。完成收尾后,把單晶提離熔體約 20 毫米。 一般來說,單晶等直徑生長過程是緩慢降溫過程,在單晶等直徑生長過程中,為了減少降溫幅度或不降溫,逐步降低拉速,連續(xù)升高坩堝,可達到目的。慢放肩主要調(diào)整熔硅溫度,緩慢降溫,細頸逐漸長大,晶體將要長到規(guī)定直徑時開始升溫,緩慢提高拉速,使單晶平滑緩慢達到規(guī)定直徑,進入等直徑生長??s頸是為了排除引出單晶中的位錯。準確的引晶溫度只有籽晶和熔硅接觸后才能確定。 (三)熔硅 開啟加 熱功率按鈕,使加熱功率分 23次(大約半小時)升到熔硅的最高溫度(約 1500℃ ),熔硅時,特別注意真空度的高低,真空低于 102乇 ,應暫時停止加溫,待真空回升后,再繼續(xù)緩慢加溫;多晶硅塊附在坩堝邊時應進行處理;多晶硅塊大部分熔化后,硅熔液有激烈波動時必須立即降溫。將清理干凈的石墨器件裝入單晶爐,調(diào)整石墨器件位置,使加熱器、保溫罩、石墨托碗保持同心,調(diào)節(jié)石墨托碗,使它與加熱器上緣水平,記下位置,然后把裝好的籽晶夾頭和防渣罩一起裝在籽晶軸上。用萬分之一光學天平稱好摻雜劑,放入清潔的小塑料袋內(nèi)。單晶爐發(fā)現(xiàn)漏油或漏真空,首先找出原因,針對情況進行維修。 1)密封圈過緊,潤滑不變,密封部分有贓物。 (一) 每次開爐前把籽晶軸和坩堝軸 擦干凈,在軸密封部分注入少量的擴 散泵油,保持潤滑良好?;厮髦饕鋮s部位的管路上均裝有水溫檢測開關(guān),當水溫 超過 55℃ 時,給出報警信號。電機通過減速器帶動螺母絲杠機構(gòu),爐 蓋和副爐室分別通過連接支臂與提升桿連接,實現(xiàn)升降。籽晶 提升組件經(jīng)過動平衡實驗以使籽晶旋轉(zhuǎn)時振動降到最低。爐蓋上設有一充氣口,可以滿足不同的工藝要求 7)翻板閥 翻板閥固定在爐蓋上,關(guān)閉此閥后,可在維持主爐室工藝氣氛不變的情況下,打開副室,從而裝卸籽晶或取晶。各部件均采用 SUS304L 不銹鋼焊接而成,并采用雙層水冷結(jié)構(gòu)。坩 堝軸的旋轉(zhuǎn)密封采用磁流體密封,升降密封采用焊接波紋管密封。其具體要求為: 氬氣純度: % 氬氣壓力: ~ 氬氣流量: 100L/mim 氬氣管道泄漏率: 3)泵組系統(tǒng)泵 直拉單晶硅設備與工藝研究 5 泵與主機之間設置有電動閥及除塵器,中間用波紋管 連接,以減少振動傳遞。 底座機架:全鑄鐵機架和底座。 和自由表面處生長,而與坩堝接觸,可以減少熱應力。 但用此法制單晶硅時,原料易被坩堝污染,單晶硅純度降低,拉制的單晶硅電阻率大于 50 歐姆 區(qū)熔法 區(qū)熔法又稱 Fz 法,即 懸浮區(qū)熔法。直拉法生長單晶硅的設備和工藝比較簡單,容易實現(xiàn)自動控制,生產(chǎn)效率高,易于制 備大直徑單晶,容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,可以制備低電阻單晶。目前單晶硅制備的主要方法有直拉法與區(qū)熔法,而國內(nèi)大部分單晶硅都是采用直拉法制備的。從熔體中生長單晶所用直拉法和區(qū)熔法,是當前生產(chǎn) 單晶硅 的主要方法。 直拉單晶硅設備與工藝研究 2 直拉法設備和工藝比較簡單,容易實現(xiàn)自動控制;生產(chǎn)效率高,易于制備大直徑單晶;容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,可以制備低阻單晶。 直拉法單晶硅生長的優(yōu)點 可以方便地 觀察晶體生長過程 。 下爐筒:包括抽真空管道。 2)氬氣源 氬氣應使用純度 ≥ %的氬氣源,與設備連接部位應采用專用接口,管道為不銹鋼材料。 5)坩堝驅(qū)動裝置 坩堝軸為兩段組裝空心水冷結(jié)構(gòu),在軸的下部設有一水套可以引入冷卻水。 6)主爐室 主爐室由爐底、下 爐筒和爐蓋組成。通過控徑儀支架可以調(diào)節(jié)控徑儀的位置和角度。籽晶提升機構(gòu)與旋轉(zhuǎn)軸連接,旋轉(zhuǎn)電機通 過楔形帶帶動旋轉(zhuǎn)軸,實現(xiàn)籽晶提升部件的整體旋轉(zhuǎn)。副爐室和爐蓋升降用一個升降電機。水冷系統(tǒng)的主管路上裝有水流開關(guān)、壓力表,可以檢測水壓大小,在進水斷流時,水流開關(guān)給出報警信號。保養(yǎng)主要有以下幾個方面 。一般說來,籽晶軸和坩堝軸顫動主要原因有 以下幾條。單晶爐真空機組的閥門由于經(jīng)常開關(guān)磨損也容易引起漏真空。 (一 )裝爐前的準備 在高純工作室內(nèi),戴上清潔處理過的薄膜手套, 一般把坩堝放入經(jīng)過清潔處理的單晶爐后,再裝多晶硅。否則,晶體生長方向會偏離要求晶向,也可能拉晶時籽晶脫落、發(fā)生事
點擊復制文檔內(nèi)容
環(huán)評公示相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1