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20w單端反激開關(guān)電源設(shè)計(jì)(存儲(chǔ)版)

2025-03-15 23:41上一頁面

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【正文】 導(dǎo)教師評(píng)語及成績(jī) 平時(shí): 論文質(zhì)量: 答辯: 總成績(jī): 指導(dǎo)教師簽字: 年 月 日 本科生課程設(shè)計(jì)(論文) II 摘 要 摘要也稱內(nèi)容提要,概括研究題目的主要內(nèi)容、特點(diǎn),文字要精練。目前所用的電力電子器件均用半導(dǎo)體制成,故也稱為電力半導(dǎo)體器件。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新,使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。輸入交流電頻率 45~65Hz,在此選擇 50Hz。 34L11 G H51011 主電路說明 由函數(shù)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生出 220V, 50Hz 的正弦電信號(hào),經(jīng)變壓器變壓后,通過單相橋式整流電路后產(chǎn)生直流信號(hào),經(jīng) R=1kΩ, L 趨于無窮大的電感負(fù)載后,整流完畢。當(dāng) U2過零時(shí),流經(jīng)晶閘管的電流也降低到零, VT2 和 VT3 關(guān)斷。 當(dāng)工作于電流連續(xù)模式時(shí): 當(dāng)電路工作在斷續(xù)模式時(shí),輸出電壓高于上式的計(jì)算值,并隨負(fù)載減小而升高,在負(fù)載為零的極 限情況下, Uo 趨向無窮,這將損壞電路中的元件,因此反激電路不應(yīng)該工作于負(fù)載開路狀態(tài)。最后, VTl 及 VT2分別輸出相位相差為 180176。 對(duì)于非線性元件,不是額定電壓小,使用麻煩,就是不宜用于抑制頻繁出現(xiàn)過電壓的場(chǎng)合。 圖 阻容保護(hù) 晶閘管的過電流保護(hù) 常見的過電流保護(hù)有:快速熔斷器 保護(hù),過電流繼電器保護(hù),直流快速開關(guān)過電流保護(hù)。因此必須抑制晶閘管可能出現(xiàn)的過電壓,常采用簡(jiǎn)單有效的過電壓保護(hù)措施。其中的變壓器可同時(shí)實(shí)現(xiàn)直流隔離和電壓變換的功能,磁性元件數(shù)目較少,成本較低?;蚍情T的另兩個(gè)輸入端分別為雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā) 器和振蕩器鋸齒波。 IGBT 關(guān)斷后的電壓為: 反激電路可以工作在電流斷續(xù)和電流連續(xù)兩種模式: ( 1)、如果當(dāng) IGBT 開通時(shí),繞組 W2 中的電流尚未下降到零,則成電路工作于電流連續(xù)模式。當(dāng) U2過零時(shí),流經(jīng)晶閘管的電流也降低到零, VT1 和 VT4 關(guān)斷。 具 體的,整流電路部分由單相橋式整流電路整流,輸出直流電信號(hào)后,通過帶隔離的直流 —— 直流變流電路中的單端反激電路,最終輸出 12V 直流電信號(hào)。本文在設(shè)計(jì)中,將包括:方案的經(jīng)濟(jì)技術(shù)論證、整流電路設(shè)計(jì)、逆變電路設(shè)計(jì)、通過計(jì)算選擇器件的具體型號(hào)、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)或選擇、繪制相關(guān)電路圖,共六部分。半導(dǎo)體硅整流的應(yīng)用涉及很多領(lǐng)域,如汽車、電站、航空電子、高頻變頻器等。電力電子技術(shù)是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù)。 輸出直流電流 2A。 繪制相關(guān)電路圖。 設(shè)計(jì)任務(wù) 方案的經(jīng)濟(jì)技術(shù)論證。 文中的圖表工整、規(guī)范。中文摘要 一般不少于 200 字 ,外文摘要的內(nèi)容應(yīng)與 中文摘要相對(duì)應(yīng)。電力電 子技術(shù)所變換的“電力”,功率可以大到數(shù)百 MW 甚至 GW,也可以小到數(shù) W 甚至 1W 以下。目前,開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備,是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。 輸出直流電壓 12V 恒定。 主電路后部分為單端反激電路,其開關(guān) S 由一個(gè)晶閘管 VT5 代替,并對(duì)晶閘管施加空占比為 50%的方波脈沖信號(hào),以觸 發(fā)晶閘管導(dǎo)通。此后有事 VT1 和 VT4 導(dǎo)通,如此循環(huán)地工作下去, 本科生課程設(shè)計(jì)(論文) 5 整流電壓 UVT 和晶閘管 VT VT4 兩端電壓波形分別如下圖所示,晶閘管承受的最大正向電壓和反向電壓分別為 和 22U 。 單端反激電路參數(shù)計(jì)算 ois UNNUU 21??offonio ttNNUU12? 本科生課程設(shè)計(jì)(論文) 8 控制電路設(shè)計(jì) 控制電路以專用 PWM 控
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