ito導(dǎo)電玻璃入門知識(shí)(存儲(chǔ)版)
【正文】 ，更容易出現(xiàn)直線放射型的缺 劃或電阻偏高帶；另一些廠家的玻璃 ITO 層則會(huì)出現(xiàn)微晶溝縫。 ITO 導(dǎo)電玻璃按尺寸分，有 14” x14”、 14” x16”、 20” x24”等規(guī)格；按厚度分，有 、 、 、 、 等規(guī)格，厚度在 以下的主要用於 STN 液晶顯示器產(chǎn)品。 附著力：在膠帶貼附在膜層表面並迅速撕下，膜層無損傷；或連撕三次後， ITO 層方塊電阻變化值不超過 10%。點(diǎn)狀缺陷的直徑定義為： d=(缺陷長(zhǎng) +缺陷寬 )/2。 B、判定標(biāo)準(zhǔn)：根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻平均值及電阻資料分散值，結(jié)果在要求範(fàn)圍內(nèi)既是合格。 光電性能與可靠性： A、測(cè)試方法：把待測(cè)玻璃與現(xiàn)生產(chǎn)用玻璃按現(xiàn)生產(chǎn)工藝參數(shù)，選擇一型號(hào)製作成成品並測(cè)試其光電與可靠性性能； B、判定標(biāo)準(zhǔn)：光電性能與可靠性測(cè)試結(jié)果與現(xiàn)生產(chǎn)用玻璃結(jié)果相當(dāng)，並在測(cè)試產(chǎn)品型號(hào)要求範(fàn)圍之內(nèi)。因此需要通過表面性能。在 ITO 澱積過程中，由於薄膜中產(chǎn)生氧空位和 Sn攙雜取代，形成高度簡(jiǎn)並的 n型半導(dǎo)體。 表面處理對(duì) ITO 電性能的影響 OLED 是空穴注入限制器件，空穴注入的數(shù)目直接影響整個(gè)器件的性能。因環(huán)境空氣中存在大量水份，所以水是固體表面最常見的污染物。等離子體的作用通常是改變表面粗糙度和提高功函數(shù)。此法操作簡(jiǎn)單，表面微觀型貌良好 ，無方向性，主要用於清除表面積汙、微觀凸起及較淺線條，並具有強(qiáng)化表面的作用。 表 1 各種表面處理方法的比較 表面處理方法 面阻（Ω /□） 功函數(shù)（ eV） 表面粗糙度（ nm） 未處理 機(jī)械拋光 Ar 等離子體 氧等離子體 王水 王水 /氧等離子體 氧等離子體 /王水 HCL 4 結(jié)束語 通過上面的對(duì)比發(fā)現(xiàn)，使用機(jī)械拋光法能得到最光滑的 ITO 表面，氧等離子體處理能得到功函數(shù)最高的 ITO 表面， UV 臭氧處理的 ITO 表面電阻率最低。 有效鍍膜面為除去邊緣 3mm區(qū)域的玻璃面。 c) 耐溶劑性能 將鍍膜玻璃放入丙酮 (.)、無水乙醇 (.)或由 100 份去離子水加 3 份 EC101 配製成的清洗液中浸泡 5 分鐘後， SiO2 阻擋層性能仍符合 節(jié)所述的規(guī)格要求。在距邊緣 3mm內(nèi)有四個(gè)裝架卡具處無鍍膜層，其餘邊緣部分均有膜層。 b) 耐酸性 經(jīng)溫度為 60177。 成份為 100%的 SiO2。通過紫外線直接對(duì)有機(jī)物作用使有機(jī)物分解，這樣不僅在表面形成了一層富氧層，而且去除了表面的碳污染。 Ar 等離子處理是通過除區(qū)在裝載基片過程中吸附的氧來清潔 ITO 表面的。將基片放在底座上，在真 空系統(tǒng)中通入不同的混合氣體，並在金屬電極上家射頻電壓將氣體電離，形成等離子體，以非?？斓乃俣绒Z擊 ITO基片。 ITO 表面處理方法 固體表面的結(jié)構(gòu)和組成都與內(nèi)部不同 ，處於表面的原子或離子表現(xiàn)為配位上的不飽和性，這是由於形成固體表面時(shí)被切斷的化學(xué)鍵造成的。 表面處理對(duì) ITO 表面性能的影響 ITO 陽極是 OLED 光出射面，粗糙的 ITO 表面將使光線發(fā)生漫反射，減少出射光的強(qiáng)度，降低 OLED 的外量子效率。 ITO 的導(dǎo)帶主要由 In 和 Sn的 55 軌道組成，價(jià)帶由氧的 2S 軌道占主導(dǎo)地位。 ITO 導(dǎo)電玻璃搬運(yùn)方法： 易碎品，小心輕放，保持搬
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