【正文】 工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) 33 TIMER0_H=(uint)TC0%256。 （ 2）定時器 1 遇中斷，停止自身的計時，輸出低電平。 OutPut=0。 //定時器 1 停止 TL1=TIMER1_L。 //開中斷 圖 63 鍵盤中斷處理子程序流程圖 Y N EA=0 軟 件 延 時消抖 外 部 中 斷入口 鍵盤掃描，得到鍵碼 查 表 取 鍵值 i 實 時 顯示 鍵 盤 口 初始化 EA=1 結(jié)束 鍵處理 是否為抖動 蘭州理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) 34 定時器中斷子程序 定時器中斷子程序中有定時器 0 與定時器 1 中斷，頻率定時器 0 中斷流程圖與占空比定時器 1 流程圖分別如圖 圖 10 所示。 //頻率定時初值 TC1=(length(fosc*ZKB)/(12*100*PL)+)。 } if(i==4) //按鍵為 4 號，頻率減 100 {PL=PL100。i++) if(tabl2[i]==keycode)break。 //鍵盤掃描碼，采用逐行掃描的方法 while(scancode!=0xff) { KEY_PORT=scancode。 要注意的是占空比的初值是 50％，我們定義的 ZKB 為 50（百分比的分子部分，為一整數(shù)），故調(diào)節(jié)占空比時， ZKB 會進行加 1，減 1 操作。 //延時開鍵盤中斷，處理好（避免又利用）連擊問題 } 鍵盤掃描程序 關(guān)于鍵盤掃描程序的說明： 頻率可調(diào)時，占空比保持原狀不變，反之亦然，只能進行單一變量的調(diào)節(jié) ，狀態(tài)標志 flag 的初始值為 0。 send(tabl[c])。 if(d==0) {d=10。 c=PL/100。 } 顯示子程序 利用分離頻率的各位數(shù)值，將各位數(shù)值分別顯示出來。 TMOD=0x11。 SCON=0x00。當 LE 端施密特觸發(fā)器的輸入滯 后作用，使交流和直流噪聲抗擾度被改善 400mV。 P0 口與 74LS245 輸入端相連 ,E 端接地，保證數(shù)據(jù)線暢通。當整體系統(tǒng)需要多單片機時，彼此可以經(jīng)由并列傳輸接口來快速傳輸資料。 蘭州理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) 20 圖 54PIC16F877 接腳說明 基本電路 （ 1） PIC 振蕩頻率電路 單片機振蕩電路與整體系統(tǒng)工作速度有 直接的關(guān)系，例如同步∕異步串行傳輸、定時器等，都與振蕩頻率有關(guān)，不同系列單片機有不同振蕩頻率，根據(jù)產(chǎn)品資料手冊， PIC16F877 振蕩頻率最高可到 20MHz；在圖 54 中，振蕩電路接于 Pin13(OSC1/CLKIN)與 Pin14(OSC2/CLKOUT)，而振蕩電路有以下四種形式： LP：使用低功率振蕩晶體 (Low Power Crystal) XT：使用振蕩器∕諧振器 (Crystal/Resonator) HS：使用高速振蕩器 (High Speed Crystal/Resonator) RC：使用 電阻∕電容 (Resister/Capacitor) 一般常用振蕩晶體或是諧振器作為單片機振蕩源，外接電路及 PIC 內(nèi)部電路說明如圖 55 所示。 單片機 16f877 原理簡介 （ 1） PIC16F877 特性： PIC16F877 是由 Microchip 公司所生產(chǎn)開發(fā)的新產(chǎn)品，屬于 PICmicro 系列單片微機，具有 Flash program 程序內(nèi)存功能，可以重復(fù)燒錄程序，適合教學(xué)、開發(fā)新產(chǎn)品等用途；而其內(nèi)建 ICD(In Circuit Debug)功能，可以讓使用者直接在單片機電路或產(chǎn)品上，進行如暫停微處理器執(zhí)行、觀看緩存器內(nèi)容等，讓使用者能快速地進行程序除錯與開發(fā)。 晶閘管驅(qū)動電路 晶閘 管觸 發(fā) 電路 由 光 電隔 離 電路 與 集 成 驅(qū)動 芯片 ir2113 組成 ,如下圖所示： 蘭州理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) 17 圖 51 光電隔離電路 圖 52 Ir2113 及其外圍電路 蘭州理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) 18 單片機斬波電路控制原理 pic 單片機斬波控制電路主要由：單片機 16f87鍵盤掃描電路、顯示電路、晶閘管驅(qū)動電路四部分構(gòu)成。為了減小門極的損耗，觸發(fā)信號常采用脈沖形式。 蘭州理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) 15 晶閘管的選擇 ⑴ 晶閘管的額定電壓 由三相全控橋式整流電路的波形（圖 41）分析知，晶閘管最大正、反向電壓峰值均為變壓器二次線電壓峰值 26FM RMU U U?? ﹙公式 10﹚ 故橋臂的工作電壓幅值為： VU m ??? ﹙公式 11﹚ 考慮裕量，則額定電壓為： ? ? ? ? ? ?VUU mN ~~23~2 ???? ﹙公式 12﹚ ⑵ 晶閘管的額定電流 晶閘管電流的有效值為： AII dVT a x ??? ﹙公式 13﹚ 考慮裕量，故晶閘管的額定電流為： ? ? ? ? ? ? AII VTAVVT ~ ~~)( ??? ﹙公式 14﹚ 平波電抗器的選擇 為 了限制輸出電流脈動和保證最小負載電流時電流連續(xù)，整流器電路中常要串聯(lián)平波電抗器。 圖 42 中除給出 ud 波形和 id 波形外 ， 還給出了晶閘管 VT1 電流 iVT1 的波形，可 與帶電阻負載時的情況進行比較。 同一相的上下兩個橋臂，即 VT1 與 VT4， VT3 與 VT6， VT5 與 VT2，脈沖相差 180176。共陰極組中與 a、 b、 c三相電源相接的 3 個晶閘管分別為 VT VT VT5， 共陽極組中與 a、 b、 c 三相電源相接的 3 個晶閘管分別為 VT VT VT2。國內(nèi)外電鍍工作者大量的實踐證明，脈沖電鍍是一項既能提高鍍層質(zhì)量，又能提高沉積速率的經(jīng)濟效率很高的電鍍新技術(shù)。 數(shù)字脈沖電源的概述 所謂數(shù)字脈沖電源，就是采用微處理器等數(shù)字電路對脈沖電源中的直流斬波進行控制，并實現(xiàn)數(shù)字顯示與數(shù)字調(diào)節(jié)的一種脈沖電源。但會出現(xiàn)鍍層厚度不一致的現(xiàn)象。由于脈沖時的峰值電壓遠大于直流鍍時的電壓所以陰極表面鈍化膜易被擊穿而有利于鍍層與基體間的結(jié)合，因此脈沖鍍提高了結(jié)合力。結(jié)品細化，改善與提高鍍層的均鍍能力 :脈沖電鍍時，山于脈沖瞬間陰極表而上具有很高的電流密度。一般直流電源的輸出電流波形如圖，而特殊電源的 脈沖電源，有著與直流電源完全不同的波形如圖。 三、方波脈沖電源測量與顯示系統(tǒng)可采用電流表顯示平均值電流 Ic ,脈沖電流的通電時間 Ton 脈沖電流的斷電時間 Torn 和脈沖電流之頻率 f 可使用示波器觀察分析。 四、雙脈沖電源也存在它的局限性，由于這種電源采用手動調(diào)節(jié)參數(shù)，因此在設(shè)定好上述十個參數(shù)之后，即成為單一參數(shù)的脈沖波形參數(shù)，進入電鍍過程。 第三階段 :隨著上述新工藝的研究對脈沖電源又提出了新的要求其要求歸納起來大致可分以下三個方面 : 一、變極性脈沖電鍍電源的研制根據(jù)工藝要求有正反脈寬與峰值電流皆能改變極性脈沖電源。如峰值電流為 10A 多波形脈沖電鍍電源及峰值電流為 20A,50A, 100A 方波脈沖電源。 隨著電鍍理論和電源技術(shù)的發(fā)展，將反向脈沖又引入電鍍，也就是說，在脈沖電鍍正向脈沖期間，適當?shù)匾肷倭糠聪蛎}沖，這樣可以將鍍層表面上的雜質(zhì)以及 結(jié)合力不太強的離子拉回，從而提高了鍍層的致密性。高質(zhì)量的表面處理技術(shù)成為軍用電子元器件設(shè)計、制造、封裝技術(shù)發(fā)展的難點和制高點。當電流關(guān)斷時，陰極區(qū)附近放電離子又恢復(fù)到初始濃度，濃差極化消除，這利于下一個脈沖周期繼續(xù)使用高的脈沖 (峰值 )電流密度，同時關(guān)斷期內(nèi)還伴有對沉積層有利的重結(jié)晶、吸脫附等現(xiàn)象。電鍍后的鍍層性能在很大程度上取代了原來基體的性能，起裝飾和防護作用，隨著科學(xué)技術(shù)與生產(chǎn)的發(fā)展，電鍍工藝已遍布各個領(lǐng)域。 關(guān)鍵詞： 電鍍； 脈沖電源； pic 單片機 蘭州理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) II Abstract Electroplating, namely by electrochemical method to make the metal ion to metal, and formed with smooth, dense requirements of the metal coating on the surface of metal or nonmetal products. The performance of plating plating after replacing the original matrix to a great extent, play a role of decoration and protection, with the development of science and technology and production, electroplating process across the field. But the electroplating technology still has some defects, such as long processing time, coating thickness uniformity of coating, prone to defects and the presence of larger internal stress. These defects greatly limits the application and development of electroplating technology, cannot adapt to the current production, especially the need of precision manufacturing. Pulse electroplating is actually an onoff DC plating. Pulse electroplating process, when the current is switched on, the pulse (peak) several times the current equivalent to an ordinary DC current or even several times, it is the instantaneous high current density of metal ions reduction in potential high, so the grain became fine。 脈沖電鍍實際上是一種通斷直流電鍍。我所曾于 90 年代中期配置了這種雙脈沖電源。為了滿足生產(chǎn)需要，脈沖電源已形成峰值電流為 30A, 50A, 100A, 200A, 300A, 500A 的系列產(chǎn)品。 隨著器件質(zhì)量進一步提高及新的大功率器件的研制成功，在脈沖電鍍電源中采用 1000V 左右高壓品體管， 大容量可關(guān)斷晶閘管及調(diào)頻晶閘管作為功率器件，上述三方面要求的電源，為期不會太遠。從電鍍實際結(jié)果來看，方波脈沖以及與其他波形適當組合對貴金屬電鍍可獲得較好的效果。 蘭州理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計 (論文 ) 5 脈沖電源工作原理 脈沖電鍍是一項新的電鍍技術(shù)。脈沖電源的這些特點在生產(chǎn)中的實際意義就是，在電鍍過程中，脈沖電源可通過 改變其輸出波形的頻率、占空比和平均電流密度，來改變電鍍槽中金屬離子電沉積過程，使電沉積過程在較寬范圍內(nèi)變化，從而可獲得均勻致密較為理想的鍍層。脈沖鍍層的品粒般為 微米左右，而直流鍍層的晶粒大于 1 微米，另外脈沖電鍍電流分布的均勻性好，這就改善了鍍層的均鍍能力。脈沖鍍在節(jié)約材料尤其貴金屬方面具有非常明顯的經(jīng)濟效益。 綜上所述，隨著科技進步，電子、通信、信息等尖端高科技工業(yè)的發(fā)展，電鍍脈沖電源的應(yīng)用將越來越廣泛，合理使用脈沖電源必將對我國金屬表面處理行業(yè)的發(fā)展起到很大的促進作用。 直流電源數(shù)字控制器開關(guān)管負載 圖 31 數(shù)字脈沖電源原理示意圖 在目前的應(yīng)用中，大多利用大功率的開關(guān)管 IGBT 對直流電源進行斬波，達到脈沖輸出的目的。 電鍍時間可鍵盤設(shè)定，為 09999s。變壓器二次側(cè)接成星形得到零線，而一次側(cè)接成三角形避免 3 次諧波流入電網(wǎng) 。 阻感負載時的波形分析 三相橋式全控整流電路大多用于向阻感負載和反電動勢阻感負載供電（即用于直流電機傳動），下面主要分析阻感負載時的情況，因為帶反電動勢阻感負載的情況，與帶阻感負載的情況基本相同。 蘭州理