ic有源元件與工藝流程介紹-免費(fèi)閱讀
【正文】 2023年 3月 12日星期日 下午 6時(shí) 28分 27秒 18:28: n 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過(guò)于提升自我。 2023年 3月 12日星期日 6時(shí) 28分 27秒 18:28:2712 March 2023 n 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 , March 12, 2023 n 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒(méi)有。 :28:2718:28Mar2312Mar23 n 1故人江海別，幾度隔山川。 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 28 NMOS工藝 由于電子的遷移率 me大于空穴的遷移率 mh，即有 me?, 因而 ， N溝道 FET的速度將比 P溝道 FET快 。 ? 多晶硅 Polysilicon， 原是絕緣體 ， 經(jīng)過(guò)重?cái)U(kuò)散 ，增加了載流子 ， 可以變?yōu)閷?dǎo)體 ， 用作電極和電極引線 。 若對(duì)不齊 ，彩色圖象就很難看 。 圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 19 鋁柵 PMOS工藝特點(diǎn)： l 鋁柵 ， 柵長(zhǎng)為 20mm。mm f T 45 GHz 40 GHz 表 : mm 柵長(zhǎng) HEMT的典型參數(shù)值 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 13 與 Si三極管相比， MESFET和 HEMT的缺點(diǎn)為 : n 跨導(dǎo)相對(duì)低 。 l 集成度低 ， 只能制作寄存器等中規(guī)模集成電路 。 讓 D， S和G三個(gè)區(qū)域一次成形 。 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 26 標(biāo)準(zhǔn)硅柵 PMOS工藝 圖 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 27 硅柵工藝的優(yōu)點(diǎn)： l 自對(duì)準(zhǔn)的 ， 它無(wú)需重疊設(shè)計(jì) ， 減小了電容 ， 提高了速度 。 BiCMOS工藝 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 47 BiCMOS工藝的特點(diǎn)就是在 CMOS工藝的基礎(chǔ)上加入雙極性器件的特殊的工序 單層多晶硅 , 單層金屬 C M OS 雙極性器件的附加工序l 形成 n 阱區(qū)? 形成掩埋集電極 n+ 層l 形成有源區(qū)l 形成溝道阻隔區(qū)? 形成深透集電極 n+ 層l 閾值電壓調(diào)整l 確定多晶硅圖形l 形成 n+ 有源區(qū)l 形成 p+ 有源區(qū)? 形成雙極性晶體管 p+ 基區(qū)l 形成接觸孔l 形成金屬連線表 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 n 靜夜四無(wú)鄰，荒居舊業(yè)貧。 2023年 3月 下午 6時(shí) 28分 :28March 12, 2023 n 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時(shí) 28分 27秒 18:28: n 1楚塞三湘接，荊門九派通。 18:28:2718:28:2718:28Sunday, March 12, 2023 n 1知人者智，自知者明。 下午 6時(shí) 28分 27秒 下午 6時(shí) 28分 18:28: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 18:28:2718:28:2718:283/12/2023 6:28:27 PM n 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 18:28:2718:28:2718:28Sunday, March 12, 2023 n 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 3月 12日星期日 下午 6時(shí) 28分 27秒 18:28: n 1比不了得就不比，得不到的就不要。 東 ?南 ?大 ?學(xué) 射 ?頻 ?與 ?光 ?電 ?集 ?成 ?電 ?路 ?研 ?究 ?所 29 了解 NMOS工藝的意義 目前 CMOS工藝已在 VLSI設(shè)計(jì)中占有壓倒一切的優(yōu)勢(shì) . 但了解 NMOS工藝仍具有幾方面的意義 : ? CMOS工藝是在 PMOS和 NMOS工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的 . ? 從 NMOS工藝開(kāi)始討論對(duì)于學(xué)習(xí) CMOS工藝起到
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