圖形刻蝕技術(shù)-免費(fèi)閱讀
【正文】 二月 21二月 2112:04:0812:04:08February 02, 20231意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 二月 2112:04 下午 二月 2112:04February 02, 20231少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 12:04:08 下午 12:04 下午 12:04:08二月 21沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 12:04:0812:04:0812:042/2/2023 12:04:08 PM1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。上層淀積 1um厚的 InP，摻雜為21018（ P＋ ）。第 7章：圖形刻蝕技術(shù)(Chapter 11)ImplantDiffusionTest/SortEtchPolishPhotoCompleted waferUnpatterned waferWafer startThin FilmsWafer fabrication (frontend) ? 問題：– 常見的刻蝕對象： SiO Si3N PolySi、磷硅玻璃、鋁或鋁合金、襯底材料等– 即：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、硅（半導(dǎo)體）刻蝕Photoresist mask Film to be etched(a) Photoresistpatterned substrate (b) Substrate after etchPhotoresist mask Protected filmEtch Bias、 Undercut 、 Slope and Overetch(a)BiasResistFilmSubstrateWbWaUndercutSubstrateResistFilmOveretchS = EfErEf NitrideOxideEr選擇比： SEf=被刻蝕材料的刻蝕速率Er=掩蔽層材料的刻蝕速率? 對刻蝕的基本要求：– 圖形的高保真：橫向腐蝕和各向異性腐蝕– 刻蝕剖面：– 選擇比：光刻膠和不同材料的腐蝕速度– 關(guān)鍵尺寸（ CD）控制– 均勻性：小線條和大硅片– 清潔：殘?jiān)次郇C 損傷：? ：即，化學(xué)腐蝕 ()– 腐蝕液：– SiO2： HF:NH4F:H2O=3毫升： 6克： 10毫升（ 36176。刻蝕阻擋層采用 Si3N4，厚度 1um。 二月 2112:04:0812:04Feb2102Feb211故人江海別，幾度隔山川。 二月 21二月 21Tuesday, February 02, 2023很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 2023/2/2 12:04:0812:04:0802 February 20231空山新雨后，天氣晚來秋。 02 二月 202312:04:08 下午 12:04:08二月 211最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。勝人者有力，自勝
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1