【正文】 （3）空壓系統(tǒng)主要為儀表系統(tǒng)提供儀表空氣。廠房內(nèi)部布置按工藝流程順序合理排布，滿足生產(chǎn)的要求。地面采用不發(fā)火花水泥砂漿地面，廠房墻體采用加氣混凝土砌快，混合砂漿砌筑，屋面采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面，防水，有組織排水，門采用普通鋼木大門，窗采用普通塑鋼窗。 維修本項目設(shè)置維修班組，負責日常的設(shè)備維修和電儀維修任務(wù)。備用設(shè)備，零部件及易耗品存放于備件庫房。③循環(huán)水裝置循環(huán)冷卻水量為1500m3/H，分別為冷凍循環(huán)、冷卻水和工藝冷卻水。 設(shè)計范圍本設(shè)計包括裝置界區(qū)生產(chǎn)、生活、消防給水管網(wǎng)設(shè)計。 人員編制在全廠設(shè)立電工班，其中班長1名、電工3人。所有設(shè)備上的電機均利用專用PE線作接地線。所有金屬設(shè)備、管道及鋼平臺扶手均應(yīng)與防靜電接地干線作可靠焊接，具體參見接地裝置安裝03D5014。所有防雷及接地構(gòu)件均應(yīng)熱鍍鋅,焊接處須防腐處理。水平連接條采用熱鍍鋅扁鋼404，水平連接條距外墻3米。防雷防靜電及電氣保護接地均連成一體,組成接地網(wǎng),接地電阻不大于10歐,如未達到要求應(yīng)增打角鋼接地極。低壓配電柜安裝在配電室內(nèi)。進行廠區(qū)綠化時，應(yīng)注意問題如下：綠化的樹種應(yīng)根據(jù)當?shù)氐淖匀粭l件和植物生態(tài)習性以及項目安全特性，選擇以草皮為主，適當栽種易成活、生長快、成蔭早、便于管理和病蟲害少的樹種。 運輸量，其中運入量為5280t/a。三氯氫硅精制還原、尾氣回收廠房、。廠內(nèi)各建、構(gòu)筑物與相鄰單位的建、構(gòu)筑物的防火間距、廠內(nèi)各建筑物與廠外道路的安全間距，均能滿足《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB50016200《工業(yè)企業(yè)總平面設(shè)計規(guī)范》GB5018793的要求。7　總圖運輸與公用輔助工程 總圖運輸 設(shè)計采用的國家標準和規(guī)范（1）《建筑設(shè)計防火規(guī)范》GB500162006（2）《工業(yè)企業(yè)總平面設(shè)計規(guī)范》GB501871993（3）《化工企業(yè)總圖運輸設(shè)計規(guī)范》HG/T 206491998（4）《廠礦道路設(shè)計規(guī)范》GBJ12287 總平面布置的原則和功能劃分（1）因地制宜，在滿足生產(chǎn)使用的要求下，做到經(jīng)濟上合理、技術(shù)上可靠、減少投資、降低造價、節(jié)約用地。10080t/a；，15840t/a。廠區(qū)采用DN150。（2）地質(zhì)擬建廠址為全新統(tǒng)沖積層，具二元結(jié)構(gòu)，上層為粘性土層，有積土，亞粘土，亞砂土分層，局部地段有淤泥透鏡體，上述三層各處厚度不一，發(fā)育程度各異，粘性土層有向北，向東漸薄趨勢，下部為砂，砂礫卵石層、細砂、中粗砂及砂礫卵石層，一般厚度19～24m，全新統(tǒng)以下為第三系砂巖及砂礫巖，有時夾灰色泥巖，厚度在1000m以上。09′15″。h/a45128蒸汽t/a10080 原料供應(yīng)來源原料氫氣、氯氣和蒸氣從廠對面的*****化工有限公司購買，只需通過管道輸送至三氯氫硅裝置即可，項目原料有較大的成本優(yōu)勢；工業(yè)硅可從河南、安徽、四川、湖北等地購買。（2）設(shè)計標準及規(guī)定《爆炸和火災(zāi)危險環(huán)境電力裝置設(shè)計規(guī)范》 GB5005892《自動化儀表選型規(guī)定》 HG/T205072000《儀表供電設(shè)計規(guī)定》 HG/T205092000《儀表供氣設(shè)計規(guī)定》 HG/T205102000《信號報警、安全連鎖系統(tǒng)設(shè)計規(guī)定》 HG/T205112000（3）自控水平及主要技術(shù)方案根據(jù)所確定的工藝技術(shù)方案和工藝流程，本著“技術(shù)先進、經(jīng)濟合理、運行可靠、操作方便”的原則，本設(shè)計決定采用現(xiàn)場控制，以完成整個生產(chǎn)過程的主要工藝參數(shù)的監(jiān)測、分析、顯示、記錄、報警和實時控制。還原尾氣經(jīng)兩級螺旋板換熱器降溫后進入尾氣回收器，未凝氣體與還原尾氣經(jīng)換熱后進入水噴淋洗滌塔洗滌，再經(jīng)絲網(wǎng)阻火器進入氫氣氣柜。采用純化水經(jīng)電解槽電解，制氫裝置分離氫、氧等初步處理，再進入氫氣凈化裝置凈化（工序同上述氫氣精制工序）得到高純氫氣供還原車間等生產(chǎn)使用。 工藝流程簡述三氯氫硅工藝流程簡述（1）氯化氫合成工序開啟HC1合成爐合成段冷卻水，管道氫氣經(jīng)阻火器、氫氣緩沖罐、冷水冷卻器冷卻后去干燥器干燥、除氧器除氧、干燥器干燥（:1）進入HC1合成爐；管道氯氣經(jīng)氯氣緩沖罐后進入HC1合成爐；通過冷卻水量、氯氣和氫氣量控制合成爐出口溫度在400～500℃。硅烷法是采用精制后的硅烷進行熱分解反應(yīng)，析出硅，從而獲得多晶硅棒，再經(jīng)進一步處理后而獲得多晶硅產(chǎn)品。這是當今最成熟的工藝技術(shù)，國內(nèi)外三氯氫硅生產(chǎn)企業(yè)基本上都采用此種工藝。5177。根據(jù)市場預(yù)測和原材料的供應(yīng)情況，以及**通能硅材料有限公司現(xiàn)有規(guī)劃，擬定本工程的產(chǎn)品方案及規(guī)模為：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅（其中商品量為6000t/a），副產(chǎn)品四氯化硅1000t/a。近年來，我國建起了多條太陽能電池模塊封裝線，使太陽能電池的年生產(chǎn)量迅速增加，硅太陽能電池的生產(chǎn)能力已從三年前的十幾兆瓦發(fā)展到超過100兆瓦，制造太陽能電池的上游原料多晶硅的需求隨之快速增長：“十一五”期間，我國半導(dǎo)體集成電路市場將進一步擴大，年均增長速度將保持在20%左右，太陽能和半導(dǎo)體這兩大行業(yè)的迅猛發(fā)展導(dǎo)致基礎(chǔ)原材料多晶硅的市場需求不斷提高預(yù)計我國的多晶硅至2008年將有超過5000噸的缺口。 國內(nèi)外內(nèi)生產(chǎn)情況及市場預(yù)測世界多晶硅主要由美、日、德三國壟斷。因此，本項目是可行的。 研究范圍本可行性研究范圍包括下述內(nèi)容：（1）市場預(yù)測（2）產(chǎn)品方案和生產(chǎn)規(guī)模（3）工藝技術(shù)方案（4）與工藝裝置配套的公用工程及輔助設(shè)施（5）環(huán)境保護及治理措施（6）勞動保護與安全生產(chǎn)（7）投資估算及資金籌措（8）經(jīng)濟效益初步評介 研究結(jié)論（1）**通能硅材料有限公司擬建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項目，項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策和“十一五”發(fā)展規(guī)劃。全球主要多晶硅生產(chǎn)廠家有：德山雪達（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先進硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企業(yè)。預(yù)計到2010年多晶硅需求量將達到6200噸，其中半導(dǎo)體用量為2000噸，光伏用量為4200噸。（4）利用高效節(jié)能、易于管理、技術(shù)先進、穩(wěn)妥可靠的工藝在節(jié)省能源、資源和降低成本方面采取具體措施以提高企業(yè)的經(jīng)濟效益。 可行性研究報告編制的依據(jù)和原則 編制依據(jù)（1）**通能硅材料有限公司與*******工程有限公司簽訂的委托咨詢合同。**通能硅材料有限公司在**鹽化化工基地擬征地280畝作為建設(shè)用地，并利用*****化工有限公司氯氣和氫氣的原料優(yōu)勢，生產(chǎn)三氯氫硅、多晶硅。（3）生產(chǎn)裝置及配套的公用工程、輔助設(shè)施都要充分注意技術(shù)的先進性。多晶硅是制造太陽能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料。WSTS（全球半導(dǎo)體市場統(tǒng)計）預(yù)計2006年和2007年全球半導(dǎo)體市場的規(guī)模增長分別為8%%。同時擬建項目同時增加了就業(yè)機會，具有一定的社會效益。（6）。目前多晶電池用量最大。據(jù)專家預(yù)測，到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達到7萬噸，同時，我國周邊地區(qū)的俄羅斯、韓國、新加坡、馬來西亞等國均無多晶硅生產(chǎn)條件和能力，對多晶硅有巨大市場需求。國內(nèi)多晶硅的價格亦受國際市場的影響，因全球多晶硅主要生產(chǎn)廠商只有七家，國內(nèi)產(chǎn)能極小主要依靠進口，因此預(yù)計2008年以后多晶硅的價格為1700～1800元/公斤。結(jié)晶致密，表面平整，無氧化夾層。 建設(shè)工程組成序號子項號項 目 名 稱規(guī)模備注1101氫氣凈化車間1200m22102還原主車間一4464m23103還原主車間二5616m2預(yù)留4104三氯氫硅車間768m25105精餾車間1248m26106尾氣回收車間5616m27201氫氣氣柜1000m3預(yù)留1000m38202乙類倉庫一1296m29203乙類倉庫二1296m210204貯罐區(qū)502m2250m3三氯氫硅350m3四氟化硅150m3鹽酸11205貯罐區(qū)泵房65m212301熱水池及泵房1296m213302機修車間1296m214303車庫1296m215304發(fā)配電間577m2一期使用16305循環(huán)（消防）水池500m3深3m17306循環(huán)（消防）水池泵房65m218307輔助車間1216m2冷凍、空壓19308事故應(yīng)急池270m3深3m20309污水處理系統(tǒng)1280m221310地磅一80t22311地磅二80t23401綜合辦公樓8616m 224402研發(fā)樓7476m225403門衛(wèi)一27m226404門衛(wèi)二23m227405門衛(wèi)三24m24　工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案的選擇三氯氫硅傳統(tǒng)的三氯氫硅合成工藝是將干燥氯氣及凈化后的氫氣經(jīng)各自的緩沖罐進入氯化氫合成爐中反應(yīng)成氯化氫并進入沸騰爐中。本項目三氯氫硅裝置生產(chǎn)工藝采用三氯氫硅沸騰床合成、加壓精鎦、冷凝分離提純生產(chǎn)高純度的三氯氫硅產(chǎn)品和四氯化硅副產(chǎn)品的傳統(tǒng)工藝。同時對還原尾氣進行處理，回收三氯氫硅，四氯化硅和氫氣。（4）尾氣吸收工序來自冷凝器的不凝性氣體進入尾氣洗滌塔，經(jīng)循環(huán)泵送出的洗滌水在尾氣洗滌塔中五處噴淋洗滌，回收HCl溶液至20%濃度后外售；氣體達標排放。精餾的釜底殘液及輕組分三氯氫硅則進入高低沸物槽，裝車外賣。 工藝流程方框圖三氯氫硅工藝流程方框圖 干燥 氫氣 脫氧 干燥 HCL合成爐 氯氣 硅粉 沸騰爐 過濾器 硅粉回收利用 空氣冷凝器 鹽水冷凝器 尾氣冷凝器 回收 粗三氯氫硅 淋洗塔 放空 精餾塔 檢驗 檢驗 三氯氫硅成品 副產(chǎn)品四氯化硅H2儲氣柜凈化裝置加壓泵粗三氯氫硅儲槽鼓泡器精三氯氫硅還原爐多晶硅檢測切割包裝多晶硅產(chǎn)品尾氣回收HCl硅芯多晶硅芯爐硅芯純H2廢水排放中和處理H2冷凝液多晶硅H2+Cl2=2HClSi+3HCl=SiHCl3+H2 并伴隨有如下副反應(yīng)：SiHCl3+HCl=SiCl4+H2SiHCl3+ H2=Si+3HCl并伴隨有如下副反應(yīng)：4SiHCl3=3SiCl4+2H2+Si 原材料消耗定額及年消耗量序號名 稱規(guī)格單位單位定額(/t)年用量備注一三氯氫硅1硅粉≥98%t52802氫≥99%m33201043氯氣≥98%m3164804氮氣≥98%m396000自產(chǎn)二多晶硅1三氯氫硅%t2010000自產(chǎn)2氫氣99%m32010000 自控方案 三氯氫硅裝置自控技術(shù)（1）自控設(shè)計范圍本設(shè)計適用于年產(chǎn)16000噸三氯氫硅項目裝置，項目裝置包括氯化氫合成、三氯氫硅合成、三氯氫硅提純、尾氣回收和洗滌吸收等工序；該控制系統(tǒng)將在生產(chǎn)裝置內(nèi)滿足本裝置的生產(chǎn)監(jiān)視、過程控制、參數(shù)報警、數(shù)據(jù)記錄及趨勢等項的功能要求，并能安全可靠運行。 多晶硅裝置自控技術(shù)a、主要技術(shù)方案本項目若實行全流程自動化控制投資較大，因此本裝置根據(jù)工藝和輔助，公用工程等的不同操作和特性，采用簡單調(diào)節(jié)、復(fù)雜調(diào)節(jié)和組合調(diào)節(jié)，重要參數(shù)均為自動調(diào)節(jié)、集中控制、并按生產(chǎn)需要設(shè)置了一些溫度、壓力、流量、液位的報警和設(shè)備的連鎖，輔助生產(chǎn)裝置的參數(shù)就地檢測和操作，一般采用單參數(shù)調(diào)節(jié)。06′33″至115176。 水文地質(zhì)及地震烈度（1）水文該地區(qū)水文地質(zhì)條件較為簡單，自上而下有兩個含水巖組，一是松散巖孔隙含水巖組，地下水賦存于砂礫卵石層，厚度一般8～10m，最厚達12m以上，地下水埋深5～7m。鹽化基地位于城區(qū)西南約2公里的福城工業(yè)園。（3）供電：供電為雙回路10KV 13000KVA容量的專用供電系統(tǒng)接入，一路是從***化工的110 KV變電站接入，另一路是從新建鹽化基地220 KV變電站接入。廠址附近無自然景觀和人文景觀，無縣級以上重點文物保護對象，無特別需要保護的生物物種，項目生產(chǎn)區(qū)對區(qū)域環(huán)境質(zhì)量影響較小，符合規(guī)劃要求。 總平面布置本項目廠內(nèi)主要建筑有氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）、還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（1