【正文】 （3）空壓系統(tǒng)主要為儀表系統(tǒng)提供儀表空氣。廠房內(nèi)部布置按工藝流程順序合理排布，滿足生產(chǎn)的要求。地面采用不發(fā)火花水泥砂漿地面，廠房墻體采用加氣混凝土砌快，混合砂漿砌筑，屋面采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面，防水，有組織排水，門采用普通鋼木大門，窗采用普通塑鋼窗。 維修本項(xiàng)目設(shè)置維修班組，負(fù)責(zé)日常的設(shè)備維修和電儀維修任務(wù)。備用設(shè)備，零部件及易耗品存放于備件庫房。③循環(huán)水裝置循環(huán)冷卻水量為1500m3/H，分別為冷凍循環(huán)、冷卻水和工藝?yán)鋮s水。 設(shè)計(jì)范圍本設(shè)計(jì)包括裝置界區(qū)生產(chǎn)、生活、消防給水管網(wǎng)設(shè)計(jì)。 人員編制在全廠設(shè)立電工班，其中班長1名、電工3人。所有設(shè)備上的電機(jī)均利用專用PE線作接地線。所有金屬設(shè)備、管道及鋼平臺(tái)扶手均應(yīng)與防靜電接地干線作可靠焊接，具體參見接地裝置安裝03D5014。所有防雷及接地構(gòu)件均應(yīng)熱鍍鋅,焊接處須防腐處理。水平連接條采用熱鍍鋅扁鋼404，水平連接條距外墻3米。防雷防靜電及電氣保護(hù)接地均連成一體,組成接地網(wǎng),接地電阻不大于10歐,如未達(dá)到要求應(yīng)增打角鋼接地極。低壓配電柜安裝在配電室內(nèi)。進(jìn)行廠區(qū)綠化時(shí)，應(yīng)注意問題如下：綠化的樹種應(yīng)根據(jù)當(dāng)?shù)氐淖匀粭l件和植物生態(tài)習(xí)性以及項(xiàng)目安全特性，選擇以草皮為主，適當(dāng)栽種易成活、生長快、成蔭早、便于管理和病蟲害少的樹種。 運(yùn)輸量，其中運(yùn)入量為5280t/a。三氯氫硅精制還原、尾氣回收廠房、。廠內(nèi)各建、構(gòu)筑物與相鄰單位的建、構(gòu)筑物的防火間距、廠內(nèi)各建筑物與廠外道路的安全間距，均能滿足《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016200《工業(yè)企業(yè)總平面設(shè)計(jì)規(guī)范》GB5018793的要求。7　總圖運(yùn)輸與公用輔助工程 總圖運(yùn)輸 設(shè)計(jì)采用的國家標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范（1）《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB500162006（2）《工業(yè)企業(yè)總平面設(shè)計(jì)規(guī)范》GB501871993（3）《化工企業(yè)總圖運(yùn)輸設(shè)計(jì)規(guī)范》HG/T 206491998（4）《廠礦道路設(shè)計(jì)規(guī)范》GBJ12287 總平面布置的原則和功能劃分（1）因地制宜，在滿足生產(chǎn)使用的要求下，做到經(jīng)濟(jì)上合理、技術(shù)上可靠、減少投資、降低造價(jià)、節(jié)約用地。10080t/a；，15840t/a。廠區(qū)采用DN150。（2）地質(zhì)擬建廠址為全新統(tǒng)沖積層，具二元結(jié)構(gòu)，上層為粘性土層，有積土，亞粘土，亞砂土分層，局部地段有淤泥透鏡體，上述三層各處厚度不一，發(fā)育程度各異，粘性土層有向北，向東漸薄趨勢(shì)，下部為砂，砂礫卵石層、細(xì)砂、中粗砂及砂礫卵石層，一般厚度19～24m，全新統(tǒng)以下為第三系砂巖及砂礫巖，有時(shí)夾灰色泥巖，厚度在1000m以上。09′15″。h/a45128蒸汽t/a10080 原料供應(yīng)來源原料氫氣、氯氣和蒸氣從廠對(duì)面的*****化工有限公司購買，只需通過管道輸送至三氯氫硅裝置即可，項(xiàng)目原料有較大的成本優(yōu)勢(shì)；工業(yè)硅可從河南、安徽、四川、湖北等地購買。（2）設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)定《爆炸和火災(zāi)危險(xiǎn)環(huán)境電力裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》 GB5005892《自動(dòng)化儀表選型規(guī)定》 HG/T205072000《儀表供電設(shè)計(jì)規(guī)定》 HG/T205092000《儀表供氣設(shè)計(jì)規(guī)定》 HG/T205102000《信號(hào)報(bào)警、安全連鎖系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)定》 HG/T205112000（3）自控水平及主要技術(shù)方案根據(jù)所確定的工藝技術(shù)方案和工藝流程，本著“技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟(jì)合理、運(yùn)行可靠、操作方便”的原則，本設(shè)計(jì)決定采用現(xiàn)場(chǎng)控制，以完成整個(gè)生產(chǎn)過程的主要工藝參數(shù)的監(jiān)測(cè)、分析、顯示、記錄、報(bào)警和實(shí)時(shí)控制。還原尾氣經(jīng)兩級(jí)螺旋板換熱器降溫后進(jìn)入尾氣回收器，未凝氣體與還原尾氣經(jīng)換熱后進(jìn)入水噴淋洗滌塔洗滌，再經(jīng)絲網(wǎng)阻火器進(jìn)入氫氣氣柜。采用純化水經(jīng)電解槽電解，制氫裝置分離氫、氧等初步處理，再進(jìn)入氫氣凈化裝置凈化（工序同上述氫氣精制工序）得到高純氫氣供還原車間等生產(chǎn)使用。 工藝流程簡述三氯氫硅工藝流程簡述（1）氯化氫合成工序開啟HC1合成爐合成段冷卻水，管道氫氣經(jīng)阻火器、氫氣緩沖罐、冷水冷卻器冷卻后去干燥器干燥、除氧器除氧、干燥器干燥（:1）進(jìn)入HC1合成爐；管道氯氣經(jīng)氯氣緩沖罐后進(jìn)入HC1合成爐；通過冷卻水量、氯氣和氫氣量控制合成爐出口溫度在400～500℃。硅烷法是采用精制后的硅烷進(jìn)行熱分解反應(yīng)，析出硅，從而獲得多晶硅棒，再經(jīng)進(jìn)一步處理后而獲得多晶硅產(chǎn)品。這是當(dāng)今最成熟的工藝技術(shù)，國內(nèi)外三氯氫硅生產(chǎn)企業(yè)基本上都采用此種工藝。5177。根據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)和原材料的供應(yīng)情況，以及**通能硅材料有限公司現(xiàn)有規(guī)劃，擬定本工程的產(chǎn)品方案及規(guī)模為：500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅（其中商品量為6000t/a），副產(chǎn)品四氯化硅1000t/a。近年來，我國建起了多條太陽能電池模塊封裝線，使太陽能電池的年生產(chǎn)量迅速增加，硅太陽能電池的生產(chǎn)能力已從三年前的十幾兆瓦發(fā)展到超過100兆瓦，制造太陽能電池的上游原料多晶硅的需求隨之快速增長：“十一五”期間，我國半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)將進(jìn)一步擴(kuò)大，年均增長速度將保持在20%左右，太陽能和半導(dǎo)體這兩大行業(yè)的迅猛發(fā)展導(dǎo)致基礎(chǔ)原材料多晶硅的市場(chǎng)需求不斷提高預(yù)計(jì)我國的多晶硅至2008年將有超過5000噸的缺口。 國內(nèi)外內(nèi)生產(chǎn)情況及市場(chǎng)預(yù)測(cè)世界多晶硅主要由美、日、德三國壟斷。因此，本項(xiàng)目是可行的。 研究范圍本可行性研究范圍包括下述內(nèi)容：（1）市場(chǎng)預(yù)測(cè)（2）產(chǎn)品方案和生產(chǎn)規(guī)模（3）工藝技術(shù)方案（4）與工藝裝置配套的公用工程及輔助設(shè)施（5）環(huán)境保護(hù)及治理措施（6）勞動(dòng)保護(hù)與安全生產(chǎn)（7）投資估算及資金籌措（8）經(jīng)濟(jì)效益初步評(píng)介 研究結(jié)論（1）**通能硅材料有限公司擬建500t/a多晶硅、16kt/a三氯氫硅項(xiàng)目，項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)政策和“十一五”發(fā)展規(guī)劃。全球主要多晶硅生產(chǎn)廠家有：德山雪達(dá)（日）、三菱材料（日）、住友（日）、三菱多晶硅（美）、黑姆洛克（美）、先進(jìn)硅（美）、瓦克多晶硅（德）等企業(yè)。預(yù)計(jì)到2010年多晶硅需求量將達(dá)到6200噸，其中半導(dǎo)體用量為2000噸，光伏用量為4200噸。（4）利用高效節(jié)能、易于管理、技術(shù)先進(jìn)、穩(wěn)妥可靠的工藝在節(jié)省能源、資源和降低成本方面采取具體措施以提高企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。 可行性研究報(bào)告編制的依據(jù)和原則 編制依據(jù)（1）**通能硅材料有限公司與*******工程有限公司簽訂的委托咨詢合同。**通能硅材料有限公司在**鹽化化工基地?cái)M征地280畝作為建設(shè)用地，并利用*****化工有限公司氯氣和氫氣的原料優(yōu)勢(shì)，生產(chǎn)三氯氫硅、多晶硅。（3）生產(chǎn)裝置及配套的公用工程、輔助設(shè)施都要充分注意技術(shù)的先進(jìn)性。多晶硅是制造太陽能電池及高純硅制品的主要原料，是信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料。WSTS（全球半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)）預(yù)計(jì)2006年和2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模增長分別為8%%。同時(shí)擬建項(xiàng)目同時(shí)增加了就業(yè)機(jī)會(huì)，具有一定的社會(huì)效益。（6）。目前多晶電池用量最大。據(jù)專家預(yù)測(cè)，到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達(dá)到7萬噸，同時(shí)，我國周邊地區(qū)的俄羅斯、韓國、新加坡、馬來西亞等國均無多晶硅生產(chǎn)條件和能力，對(duì)多晶硅有巨大市場(chǎng)需求。國內(nèi)多晶硅的價(jià)格亦受國際市場(chǎng)的影響，因全球多晶硅主要生產(chǎn)廠商只有七家，國內(nèi)產(chǎn)能極小主要依靠進(jìn)口，因此預(yù)計(jì)2008年以后多晶硅的價(jià)格為1700～1800元/公斤。結(jié)晶致密，表面平整，無氧化夾層。 建設(shè)工程組成序號(hào)子項(xiàng)號(hào)項(xiàng) 目 名 稱規(guī)模備注1101氫氣凈化車間1200m22102還原主車間一4464m23103還原主車間二5616m2預(yù)留4104三氯氫硅車間768m25105精餾車間1248m26106尾氣回收車間5616m27201氫氣氣柜1000m3預(yù)留1000m38202乙類倉庫一1296m29203乙類倉庫二1296m210204貯罐區(qū)502m2250m3三氯氫硅350m3四氟化硅150m3鹽酸11205貯罐區(qū)泵房65m212301熱水池及泵房1296m213302機(jī)修車間1296m214303車庫1296m215304發(fā)配電間577m2一期使用16305循環(huán)（消防）水池500m3深3m17306循環(huán)（消防）水池泵房65m218307輔助車間1216m2冷凍、空壓19308事故應(yīng)急池270m3深3m20309污水處理系統(tǒng)1280m221310地磅一80t22311地磅二80t23401綜合辦公樓8616m 224402研發(fā)樓7476m225403門衛(wèi)一27m226404門衛(wèi)二23m227405門衛(wèi)三24m24　工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案的選擇三氯氫硅傳統(tǒng)的三氯氫硅合成工藝是將干燥氯氣及凈化后的氫氣經(jīng)各自的緩沖罐進(jìn)入氯化氫合成爐中反應(yīng)成氯化氫并進(jìn)入沸騰爐中。本項(xiàng)目三氯氫硅裝置生產(chǎn)工藝采用三氯氫硅沸騰床合成、加壓精鎦、冷凝分離提純生產(chǎn)高純度的三氯氫硅產(chǎn)品和四氯化硅副產(chǎn)品的傳統(tǒng)工藝。同時(shí)對(duì)還原尾氣進(jìn)行處理，回收三氯氫硅，四氯化硅和氫氣。（4）尾氣吸收工序來自冷凝器的不凝性氣體進(jìn)入尾氣洗滌塔，經(jīng)循環(huán)泵送出的洗滌水在尾氣洗滌塔中五處噴淋洗滌，回收HCl溶液至20%濃度后外售；氣體達(dá)標(biāo)排放。精餾的釜底殘液及輕組分三氯氫硅則進(jìn)入高低沸物槽，裝車外賣。 工藝流程方框圖三氯氫硅工藝流程方框圖 干燥 氫氣 脫氧 干燥 HCL合成爐 氯氣 硅粉 沸騰爐 過濾器 硅粉回收利用 空氣冷凝器 鹽水冷凝器 尾氣冷凝器 回收 粗三氯氫硅 淋洗塔 放空 精餾塔 檢驗(yàn) 檢驗(yàn) 三氯氫硅成品 副產(chǎn)品四氯化硅H2儲(chǔ)氣柜凈化裝置加壓泵粗三氯氫硅儲(chǔ)槽鼓泡器精三氯氫硅還原爐多晶硅檢測(cè)切割包裝多晶硅產(chǎn)品尾氣回收HCl硅芯多晶硅芯爐硅芯純H2廢水排放中和處理H2冷凝液多晶硅H2+Cl2=2HClSi+3HCl=SiHCl3+H2 并伴隨有如下副反應(yīng)：SiHCl3+HCl=SiCl4+H2SiHCl3+ H2=Si+3HCl并伴隨有如下副反應(yīng)：4SiHCl3=3SiCl4+2H2+Si 原材料消耗定額及年消耗量序號(hào)名 稱規(guī)格單位單位定額(/t)年用量備注一三氯氫硅1硅粉≥98%t52802氫≥99%m33201043氯氣≥98%m3164804氮?dú)狻?8%m396000自產(chǎn)二多晶硅1三氯氫硅%t2010000自產(chǎn)2氫氣99%m32010000 自控方案 三氯氫硅裝置自控技術(shù)（1）自控設(shè)計(jì)范圍本設(shè)計(jì)適用于年產(chǎn)16000噸三氯氫硅項(xiàng)目裝置，項(xiàng)目裝置包括氯化氫合成、三氯氫硅合成、三氯氫硅提純、尾氣回收和洗滌吸收等工序；該控制系統(tǒng)將在生產(chǎn)裝置內(nèi)滿足本裝置的生產(chǎn)監(jiān)視、過程控制、參數(shù)報(bào)警、數(shù)據(jù)記錄及趨勢(shì)等項(xiàng)的功能要求，并能安全可靠運(yùn)行。 多晶硅裝置自控技術(shù)a、主要技術(shù)方案本項(xiàng)目若實(shí)行全流程自動(dòng)化控制投資較大，因此本裝置根據(jù)工藝和輔助，公用工程等的不同操作和特性，采用簡單調(diào)節(jié)、復(fù)雜調(diào)節(jié)和組合調(diào)節(jié)，重要參數(shù)均為自動(dòng)調(diào)節(jié)、集中控制、并按生產(chǎn)需要設(shè)置了一些溫度、壓力、流量、液位的報(bào)警和設(shè)備的連鎖，輔助生產(chǎn)裝置的參數(shù)就地檢測(cè)和操作，一般采用單參數(shù)調(diào)節(jié)。06′33″至115176。 水文地質(zhì)及地震烈度（1）水文該地區(qū)水文地質(zhì)條件較為簡單，自上而下有兩個(gè)含水巖組，一是松散巖孔隙含水巖組，地下水賦存于砂礫卵石層，厚度一般8～10m，最厚達(dá)12m以上，地下水埋深5～7m。鹽化基地位于城區(qū)西南約2公里的福城工業(yè)園。（3）供電：供電為雙回路10KV 13000KVA容量的專用供電系統(tǒng)接入，一路是從***化工的110 KV變電站接入，另一路是從新建鹽化基地220 KV變電站接入。廠址附近無自然景觀和人文景觀，無縣級(jí)以上重點(diǎn)文物保護(hù)對(duì)象，無特別需要保護(hù)的生物物種，項(xiàng)目生產(chǎn)區(qū)對(duì)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量影響較小，符合規(guī)劃要求。 總平面布置本項(xiàng)目廠內(nèi)主要建筑有氫氣凈化車間（101）、還原主車間一（102）、還原主車間二（103）、三氯氫硅車間（104）、精餾車間（1