元器件鑒定檢驗(yàn)工作程序和常用可靠性試驗(yàn)方法介紹-免費(fèi)閱讀
【正文】 芯片剪切強(qiáng)度不合格具有批次性。（有時(shí)規(guī)定要求在振動(dòng)中測(cè)試，也可按規(guī)定試驗(yàn)后進(jìn)行外 觀觀察和電測(cè)試后決定是否合格。電 子產(chǎn)品易受影響的頻率為 50Hz— 2022Hz。 機(jī)械試驗(yàn) 恒定加速度： ? 目的： 檢查在規(guī)定的離心加速度作用下的適應(yīng)能力或評(píng)定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。 輻照試驗(yàn)： ? 中子輻照試驗(yàn) 在核反應(yīng)堆中進(jìn)行 ，測(cè)量半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境的性能退化的敏感性，是一種破壞性試驗(yàn)，主要檢測(cè)半導(dǎo)體器件關(guān)鍵參數(shù)和中子注入的關(guān)系 ? 總劑量輻照試驗(yàn) 總劑量輻照試驗(yàn)采用鈷 60放射源以穩(wěn)態(tài)形式對(duì)器件進(jìn)行輻照。在篩選檢測(cè)中，不合格品必 須剔除。（低溫工作測(cè)試在工作溫度下限溫度做試驗(yàn)，低溫貯存在貯存溫度下限做試驗(yàn)）。 檢驗(yàn)綱要 監(jiān)督檢驗(yàn)重點(diǎn)要素 ? 鑒定檢驗(yàn)樣品的抽樣母體， X品（一個(gè)批次）， X譜（三個(gè)連續(xù)批），一般為鑒定檢驗(yàn)所需樣品數(shù)的 2倍，不包含規(guī)定數(shù)量的備份樣品和追加樣品； ? 不符合上述要求的應(yīng)進(jìn)行評(píng)審，并在檢驗(yàn)綱要中予以說(shuō)明； ? 檢驗(yàn)樣品由鑒定檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)派人到研制方現(xiàn)場(chǎng)準(zhǔn)備的母體中隨機(jī)抽取，剩余樣品封存。 c)檢驗(yàn)原始記錄須相關(guān)試驗(yàn)、測(cè)試、監(jiān)督人員簽名。 溫度循環(huán) 溫度試驗(yàn) 目的： 檢驗(yàn)電子元器件在遇到溫度劇變時(shí)其抵抗和適應(yīng)能力的 試驗(yàn)。 輻照試驗(yàn)： 目的： 試驗(yàn)時(shí)，高能粒子進(jìn)入器件，使其微觀結(jié)構(gòu)變化，產(chǎn)生附加電荷或電流甚至缺陷，導(dǎo)致器件參數(shù)退化、鎖定、翻轉(zhuǎn)或產(chǎn)生浪涌電流燒壞失效。 ? ③進(jìn)行輻照試驗(yàn)。在篩選檢測(cè)中，不合格必須剔除。（試樣在隨機(jī)激勵(lì)下產(chǎn) 生隨機(jī)振動(dòng)，由試驗(yàn)設(shè)備顯示出試樣的響應(yīng)功率譜密度。對(duì)直接連金屬化層從芯片上脫落的失效則需從金屬化鍍膜工藝去分析失效原因。 。 失效分析： 我所主要產(chǎn)品的本試驗(yàn)失效的器件多為金絲頸縮點(diǎn)、引線損傷導(dǎo)致的不達(dá)標(biāo)或通電熔斷，可采取引線斷面顯微鏡觀察確定是機(jī)械損傷（斷面凸凹不平）或電燒熔（斷面為球面）來(lái)進(jìn)行失效分析。在篩選檢測(cè)中，不合格必須剔除。 ? 所需設(shè)備： 離心機(jī) ? 合格判據(jù)： 器件無(wú)損壞，標(biāo)識(shí)清楚，其他參數(shù)測(cè)試 機(jī)械沖擊： ? 目的： 檢查在規(guī)定的沖擊條件下受到機(jī)械沖擊時(shí)的適應(yīng)性或評(píng)定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。 輻照試驗(yàn)： 試驗(yàn)程序和方法： ? ①按規(guī)范要求，選定輻照類(lèi)型、劑量或劑量率及輻照時(shí)間。 ? 所需設(shè)備： 溫濕箱 ? 試驗(yàn)程序 ? 干燥－升溫－保持－降溫－升溫－保持－降溫 循環(huán) 10次
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