【摘要】哈爾濱理工大學(xué)《模擬電子技術(shù)》單元練習(xí)題第一章半導(dǎo)體器件教學(xué)內(nèi)容:PN結(jié)的單向?qū)щ娦?;二極管的伏安特性及主要參數(shù);晶體管的基本結(jié)構(gòu)、電流分配與放大原理,晶體管特性及主要參數(shù);場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理及其特性曲線和主要參數(shù)。教學(xué)要求:了解PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕涣私舛O管的伏安特性及主要參數(shù);理解晶體管場(chǎng)、效應(yīng)管的放大原理,理解晶體管場(chǎng)、效應(yīng)管特性曲線。重點(diǎn):PN
2025-07-26 03:25
【摘要】.....學(xué)院--------------------------------------班級(jí)----------------------------------姓名--------------------------------
2025-06-29 15:32
【摘要】高一政治期末考試卷一、選擇題(60分,每題2分)1、動(dòng)畫片《喜羊羊與灰太狼》走紅后,各網(wǎng)站競(jìng)相推出《喜羊羊與灰太狼》的下載鈴音,一般為2元每首。下載的鈴音()A是商品,因?yàn)樗仁莿趧?dòng)產(chǎn)品,又用于交換B不是商品,因?yàn)樗M管是勞動(dòng)產(chǎn)品,但沒有用于交換C是商品,因?yàn)樗扔惺褂脙r(jià)值,又能滿足不同人的需要D不是商品,因?yàn)樗M管有使用價(jià)值,但沒有價(jià)值
2025-06-15 23:03
【摘要】第1頁共85頁一、填空題1、電路如圖1所示,U=伏。答案:5V2、電路如圖2所示,當(dāng)開關(guān)K打開時(shí),VA=V,VB=V,UAB=V;當(dāng)開關(guān)K閉合時(shí),VA=V,VB=V,UAB=
2025-10-18 03:12
【摘要】戰(zhàn)略管理期末考試卷A卷一、名詞解釋1、戰(zhàn)略2、企業(yè)使命3、價(jià)值鏈分析4、差異化戰(zhàn)略5、行業(yè)生命周期6、戰(zhàn)略聯(lián)盟二、問答題1、簡述持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的條件?2、如何理解PEST分析模型?3、簡述建立IFE矩陣的步驟?4、總體戰(zhàn)略的類型?5、簡述企業(yè)并購的動(dòng)因?6、虛擬經(jīng)營可采用哪幾種運(yùn)作形式?三、論述題1、如何運(yùn)用SWOT分析法對(duì)企業(yè)戰(zhàn)略
2025-04-07 23:09
【摘要】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級(jí)_______學(xué)號(hào)______姓名______分?jǐn)?shù)______題號(hào)得分閱卷一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜
2025-06-28 20:13
【摘要】試卷一答案一、單項(xiàng)選擇題(每空2分,共20分)1、(C)2、(B)3、(D)4、(D)5、(A)6、(D)7、(D)8、(A)9、(C)10、(C)二、填空題(每空1分,共30分)1、互阻放大、互導(dǎo)放大2、摻雜、光照3、Au≤1(或放大倍數(shù)小于等于1,輸出電壓
2024-11-09 11:44
【摘要】專業(yè): 層次:年級(jí):班級(jí):座號(hào):學(xué)號(hào):姓名:················
2025-06-07 21:18
【摘要】1章電力電子器件。,電力電子器件功率損耗主要為__通態(tài)損耗__,而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí),功率損耗主要為__開關(guān)損耗__。,一般由__控制電路__、_驅(qū)動(dòng)電路_、_主電路_三部分組成,由于電路中存在電壓和電流的過沖,往往需添加_保護(hù)電路__。,電力電子器件可分為_單極型器件_、_雙極型器件_、_復(fù)合型器件_三類。,承受反相電壓截止_。、_快恢復(fù)二極管_、_肖特基
2025-06-07 03:24
【摘要】做試題,沒答案?上自考365,網(wǎng)校名師為你詳細(xì)解答!2008年4月全國自學(xué)考試模擬數(shù)字及電力電子技術(shù)試卷(課程代碼2238)第I部分選擇題一、單項(xiàng)選擇題(本大題共15小題,每小題2分,共30分)在每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的,請(qǐng)將其代碼填寫在題后的括號(hào)內(nèi)。錯(cuò)選、多選或未選均無分。1.PNP型晶體管工作在放大區(qū)時(shí),三個(gè)電極直流
2025-07-14 00:30
【摘要】......模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及參考答案試卷五(本科)及其參考答案試卷五一、填空和選擇題(每小題2分共16分)1.半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是。(A)溫度穩(wěn)定性(B)單向?qū)щ娦裕–)
2025-06-23 15:07
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】第1頁,共4頁2020—2020學(xué)年度第一學(xué)期期末考試《管理信息系統(tǒng)》課程試卷(A卷)題號(hào)一二三四五六總分分?jǐn)?shù)一、單選題(1分*20=20分)1、管理信息系統(tǒng)是一種(C)A、自然系統(tǒng)B、人機(jī)系統(tǒng)
2025-08-31 12:00
【摘要】一、單項(xiàng)選擇題(每小題2分,共20分)1以下哪種基礎(chǔ)形式不屬淺基礎(chǔ)(B)A地下條形基礎(chǔ),B沉井基礎(chǔ),C擴(kuò)展基礎(chǔ),D箱形基礎(chǔ)2下列鋼筋混凝土基礎(chǔ)中,抗彎剛度最大的基礎(chǔ)形式是(C)A柱下條形基礎(chǔ),B十字交叉基礎(chǔ),C箱形基礎(chǔ),D筏板基礎(chǔ)3對(duì)高層建筑物,其地基變形驗(yàn)算應(yīng)以哪種變形特征做控制(D)A沉降量,B局部傾斜,
2025-06-27 13:51