【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【摘要】第1頁,共4頁2020—2020學(xué)年度第一學(xué)期期末考試《管理信息系統(tǒng)》課程試卷(A卷)題號一二三四五六總分分?jǐn)?shù)一、單選題(1分*20=20分)1、管理信息系統(tǒng)是一種(C)A、自然系統(tǒng)B、人機系統(tǒng)
2025-08-31 12:00
【摘要】一、單項選擇題(每小題2分,共20分)1以下哪種基礎(chǔ)形式不屬淺基礎(chǔ)(B)A地下條形基礎(chǔ),B沉井基礎(chǔ),C擴展基礎(chǔ),D箱形基礎(chǔ)2下列鋼筋混凝土基礎(chǔ)中,抗彎剛度最大的基礎(chǔ)形式是(C)A柱下條形基礎(chǔ),B十字交叉基礎(chǔ),C箱形基礎(chǔ),D筏板基礎(chǔ)3對高層建筑物,其地基變形驗算應(yīng)以哪種變形特征做控制(D)A沉降量,B局部傾斜,
2025-06-27 13:51
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一本試卷共10題一、判斷下列說法是否正確,凡對者打“√”,錯者打“×”(本大題分2小題,每小題5分,共10分),正確的在括號中畫“√”,否則畫“×”。1)一個理想對稱的差分放大電路,只能放大差模輸入信號,不能放大共模輸入信號。()2)共模信號都是直
2025-01-07 21:37
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻??;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-03-26 01:56
【摘要】第一篇:應(yīng)用文寫作期末考試試卷(A卷)答案 《應(yīng)用文寫作》期末考試試卷(A卷)答案 一、(一) 1、交際性、禮節(jié)性 2、上行文、下行文 3、介紹信 4、標(biāo)題、正文 5、目標(biāo)、措施 (二...
2024-10-25 09:41
【摘要】班級姓名學(xué)號………………………………裝……………………訂……………………線………………………………XXXX建設(shè)職業(yè)學(xué)院期末考試試卷C卷20xx-20xx學(xué)年春學(xué)期工程法規(guī)科目成績一、單項選擇題:(只有一個正確答案,請將答案填在下列表格中,每題2分,共30
2025-06-27 15:06
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲
2025-06-25 00:52
【摘要】初中生自主學(xué)習(xí)能力專項調(diào)研九年級化學(xué)學(xué)科試卷命題人:冷國平審題:李玉生凌太明說明:1.本試卷共6頁,滿分100分??荚嚂r間100分鐘。2.考生必須在答題紙上指定區(qū)域內(nèi)作答,在本試卷上和其他位置作答一律無效。3.可能用到的相對原子質(zhì)量:H-1C-12N-14O-16Na-23Fe-56一、選擇題(本題包括15小題,每小題2分,共30分
2025-03-26 01:37