【摘要】第5章載流子輸運(yùn)現(xiàn)象本章學(xué)習(xí)要點(diǎn):1.掌握載流子漂移運(yùn)動(dòng)的機(jī)理及其電流密度;掌握遷移率、電導(dǎo)率、電阻率的概念及影響因素;2.掌握載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的機(jī)理及其電流密度;掌握擴(kuò)散系數(shù)的概念;3.掌握愛因斯坦關(guān)系;了解半導(dǎo)體材料中非均勻摻雜帶來的影響;4.了解半導(dǎo)體材
2025-05-06 12:47
【摘要】溶膠-凝膠技術(shù)Sol-Geltechnique一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點(diǎn)二、溶膠-凝膠法采用的原料三、溶膠-凝膠過程的主要反應(yīng)四、溶膠-凝膠法制備薄膜及涂層材料一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點(diǎn)溶膠-凝膠法基本名詞術(shù)語(precursor):所用的起始原料。(metal
2025-08-15 20:59
【摘要】第一章緒論1.半導(dǎo)體材料的五大特性:整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)、負(fù)電阻溫度效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)和霍爾效應(yīng)所謂光電導(dǎo)效應(yīng),是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān),在它兩端加一個(gè)正向電壓,它是導(dǎo)通的;如果把電壓極性反過來,它就不導(dǎo)通,這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長(zhǎng):在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶薄膜稱為外延生長(zhǎng)。如果襯底材料和外延層是同一種
2026-01-06 01:43
【摘要】1Chap1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)2能帶一、能帶的形成?能級(jí):電子所處的能量狀態(tài)。?當(dāng)原子結(jié)合成晶體時(shí),原子最外層的價(jià)電子實(shí)際上是被晶體中所有原子所共有,稱為共有化。?共有化導(dǎo)致電子的能量狀態(tài)發(fā)生變化,產(chǎn)生了密集能級(jí)組成的準(zhǔn)連續(xù)能帶-能級(jí)分裂。3能帶?右圖為硅晶體的原子間相互作
2026-01-04 12:26
【摘要】半導(dǎo)體化學(xué)Doctor湯LatticePower(Jiangxi)Corporation1什么是半導(dǎo)體化學(xué)?研究半導(dǎo)體材料的制備、分析以及半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學(xué)問題的化學(xué)分支學(xué)科。LatticePower(Jiangxi)Corporation半導(dǎo)體材料?元素半導(dǎo)體,如硅(Si)、鍺
2025-08-01 17:58
【摘要】五、半導(dǎo)體篇——我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展前景電子信息產(chǎn)業(yè)已成為當(dāng)今全球規(guī)模最大、發(fā)展最迅猛的產(chǎn)業(yè),微電子技術(shù)是其中的核心技術(shù)之一(另一個(gè)是軟件技術(shù))?,F(xiàn)代電子信息技術(shù),尤其是計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力,來自于半導(dǎo)體元器件的技
2025-06-29 11:06
【摘要】半導(dǎo)體文件 4 7 13 16 19 25 26 29l前奏 292電冰箱典型制冷循環(huán) 303電冰箱制冷循環(huán)比較分析研究 344雙路搖環(huán)制冷系統(tǒng)存在問題及解決方案 355結(jié)語 37 37 38第2章 38 38 402.4半導(dǎo)體制冷制熱工況設(shè)計(jì) 422.5冷熱端的熱交換性能 442.6小結(jié) 47
2025-08-11 20:58
【摘要】半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量手冊(cè)質(zhì)量手冊(cè)目錄章節(jié)標(biāo)題頁碼質(zhì)量手冊(cè)封面/批準(zhǔn)頁1質(zhì)量手冊(cè)目錄2/3公司簡(jiǎn)介4應(yīng)用范圍5引用標(biāo)準(zhǔn)5術(shù)語和定義5質(zhì)量管理體系要求6/7總
2025-06-26 12:19
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)陳延湖§9異質(zhì)結(jié)?異質(zhì)結(jié)定義:由兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料形成的結(jié)稱為異質(zhì)結(jié)(heterojunction)。?由于形成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體單晶材料的禁帶寬度、介電常數(shù)、折射率、吸收系數(shù)等物理參數(shù)不同,異質(zhì)結(jié)(heterojuction)表現(xiàn)出不同于同質(zhì)結(jié)(homojunction)的性質(zhì)。?異質(zhì)
【摘要】SchoolofMicroelectronics半導(dǎo)體物理SEMICONDUCTORPHYSICS東華理工大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院Dr.彭新村?某半導(dǎo)體晶體價(jià)帶頂附近的能量E可表示為:E(k)=Emax-1026(kx2+ky2+kz2)(erg),現(xiàn)將其中一波失k=107i/cm的電子移走,試求此電子留下的空穴的有效質(zhì)
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)湖南科技大學(xué)物電學(xué)院盛威HunanUniversityofScienceandTechnology2第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布1狀態(tài)密度2費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布3本征半導(dǎo)體的載流子濃度4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度5一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布
2025-05-07 12:41
【摘要】一、晶圓處理制程?? 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴,動(dòng)輒數(shù)千萬一臺(tái),其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Ro
2025-04-07 20:43
【摘要】1目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況................................................................................5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù)...............................................................
2025-08-20 15:02
【摘要】Siliconingot硅錠Wafer晶片Mirrorwafer鏡面晶圓Patter晶圓片F(xiàn)AB:fabrication制造FabricationFacility制造wafer生產(chǎn)工廠Probetest探針測(cè)試Probecard探針板Contact連接ProbeTip探頭端部ChipFunction功能EPM:El
2025-06-27 17:38
【摘要】半導(dǎo)體廠務(wù)工作吳世全國家奈米元件實(shí)驗(yàn)室一、前言近年來,半導(dǎo)體晶圓廠已進(jìn)展到8"晶圓的量產(chǎn)規(guī)模,同時(shí),也著手規(guī)劃12"晶圓的建廠與生產(chǎn),準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。於是各廠不斷地?cái)U(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠區(qū)規(guī)模,似乎稍一停頓即會(huì)從此競(jìng)爭(zhēng)中敗下陣來。所以,推促著製程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn),(百萬位元)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶元件)記憶體密度的此際技術(shù)起,;(十億位元)集積度的
2025-06-23 17:46