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電工電子技術(shù)第7章電子元器件基礎(chǔ)-免費閱讀

2025-06-05 18:58 上一頁面

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【正文】 場效應管的主要參數(shù)有飽和漏源電流 Idss、夾斷電壓Up和跨導 gM等。 8.普通硅二極管的正向?qū)妷杭s為 ,鍺管約為 ~。 2.電容在電路中具有隔斷直流電,通過交流電的作用,主要用于耦合、濾波、去耦、旁路及調(diào)諧等電路中。一般規(guī)定此電壓為正向轉(zhuǎn)折電壓 U BO的 80%。當控制電路中的開關(guān) S斷開時,白熾燈不亮,說明晶閘管不導通。由最外的 P1層和 N2層各引出一個電極,分別為陽極 A和陰極 K,由中間 P2層引出的電極是門極 G。注意漏源電壓、柵源電壓、最大電流、耗散功率不要超過極限運用參數(shù)。 2) 結(jié)型和絕緣柵型場效應管的控制原理相同??鐚г酱?,表示放大能力越好。耗盡型在柵壓為零時,導電溝道就已經(jīng)存在,只有當柵 源電壓小于(或大于)某個值時,導電溝道會被 “ 夾斷 ” ,使漏 源之間不能流過電流。而場效應管在工作過程中只有一種極性的多數(shù)載流子參與導電,因此也稱為 “ 單極型晶體管 ” 。管腳引線不應短于 10mm,焊接動作要快,每根引腳焊接時間不應超過兩秒。在此區(qū)域內(nèi),特性曲線近似于一簇平行等距的水平線,IC的變化量與 IB的變化量基本保持線性關(guān)系,即 ΔIC=βΔIB,此時三極管具有電流放大作用。通常當 UCE大于 1V后的輸入特性曲線變化不大,實際應用中就用這條曲線代表三極管的輸入特性曲線。以發(fā)射極為輸入端,集電極為輸出端,基極為輸入回路和輸出回路的公共端。 三極管的工作狀態(tài) 1. 三極管的放大作用 NNPE BE CI EI CI B集 電 結(jié)發(fā) 射 結(jié)電 子 流R BR C圖 7 1 5 晶 體 三 極 管 內(nèi) 部 電 流 示 意 圖CBE III ??BCII?1?BCII????2. 三極管放大電路的三種連接 根據(jù)輸入回路和輸出回路公共端的不同,可以有共發(fā)射極、共集電極和共基極三種接法,如圖 716所示。根據(jù)三極管允許的最高結(jié)溫而定出的集電結(jié)最大允許耗散功率。 T O P 3 AT O P 3 LMT 200TO 3 金封國產(chǎn)金封圖 7 1 4 常 見 大 功 率 三 極 管 封 裝 三極管的主要參數(shù) ① 共射電流放大系數(shù) β 。按照允許耗散的功率大小分類,有小功率管和大功率管;按封裝形式可分為塑料封裝和金屬封裝,常見三極管的封裝外形見圖 713和 714所示。 ③反向電流 I R:二極管處于反向偏壓而未被擊穿時的電流值,又稱為反向漏電流。 ( 6) 光電二極管 光電二極管的特點是當其 PN結(jié)受光照射后,其反向電阻會變小,反向電流隨光照強度增大而增大。 ( 3) 穩(wěn)壓二極管 因半導體摻雜的不同,穩(wěn)壓二極管除具有普通二極管的單向?qū)щ娦酝?,當其反向電壓增大到一定?shù)值時,電流會像雪崩一樣地增加,使二極管進入反向擊穿區(qū)。當反向電壓逐漸增大到某一數(shù)值時,反向電流突然急劇增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。 PN結(jié)反向偏置時,少子定向移動,耗盡層逐漸變厚,反向電阻增大,從而使 PN結(jié)處于截止狀態(tài),如圖 78( b)所示。 2.雜質(zhì)半導體 在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì),可使半導體的導電性發(fā)生顯著變化。共價鍵中的價電子為這些原子所共有,并為它們所束縛,在空間形成排列有序的晶體。接插件也叫做連接器。 ( 6) 其他 包括沖擊力、震動、碰撞、以及惡劣氣候的要求,要求較高的甚至要有抗鹽霧,霉菌以及硫化等。 ( 2) 接觸電阻 開關(guān)接通時,連接觸頭導體間呈現(xiàn)的電阻。 色標法標注的電感值單位通常是微亨( μH)。 2.電感器的主要參數(shù) ( 1)電感量 與電阻、電容類似,電感器上的電感量數(shù)值也是標稱值。反映自感大小的量就是電感。文字符號表示其電容量的單位: p、 n、 μ、 m、F等。 第二部分:用字母表示介質(zhì)材料。 ( 5) 損耗 電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。一般分為 3級: I級 177。常用于耦合、濾波、去耦、旁路及調(diào)諧等電路中。 色環(huán)含義:棕 紅 橙 黃 綠 藍 紫 灰 白 黑 0、金 177。符號前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值,后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù)阻值和第二位小數(shù)阻值。 第四部分:序號(用數(shù)字表示),表示同類產(chǎn)品中不同品種,以區(qū)分產(chǎn)品的外型尺寸和性能指標等。 ( 2) 允許誤差 電阻器的實際阻值對于標稱值的最大允許偏差范圍稱為允許誤差,如 2%、 5%、 10%等。 ( 3) 額定功率 在規(guī)定的環(huán)境溫度下 ,在長期連續(xù)工作而不損壞或基本不改變電阻器性能的情況下,電阻器上允許消耗的功率。例如:型號 RT11表示“普通碳膜電阻”,型號 RJ 71表示“精密金屬膜電阻”。如 =3Ω3=3R3, 3K3=。 5%、銀 177。 ( a ) 外 形( b ) 符 號圖 7 2 常 見 電 容 器 的 外 形 及 符 號1.電容器的種類 電容器可按材料、結(jié)構(gòu)或是否有極性來分類。 5%, II級 177。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。如 C瓷介, Y云母, Z紙介, J金屬化紙, B聚苯乙烯, L滌綸, D鋁, A鉭, N鈮等。與電阻的表示方法相似。 當兩個電感線圈相互靠近時,一個電感線圈的磁場變化將影響另一個電感線圈,這種影響就是互感。電感在電路中的符號為“ L”。 開關(guān)和接插件 1.開關(guān) 開關(guān)是一種在電路中起控制、選擇和連接等作用的器件。接觸電阻越小越好。對開關(guān)的機械強度,以及可焊性,耐焊接熱等方面也有明確的規(guī)定。 圖 7 5 接 插 件 實 物 圖 半導體基礎(chǔ)知識 半導體的導電特性及分類 PN結(jié) 退 出 導電性能介于導體與絕緣體之間的材料,我們稱為半導體。 1. 本征半導體 圖 7 6 硅 原 子 空 間 排 列 及 共 價 鍵 結(jié) 構(gòu) 平 面 示 意 圖 ( a ) 硅 晶 體 的 空 間 排 列 ( b ) 共 價 鍵 結(jié) 構(gòu) 平 面 示 意 圖( 2) 電子空穴對 當半導體的溫度處于絕對零度時,其中沒有自由電子。摻入的雜質(zhì)主要是三價或五價元素。 圖 7 8 P N 結(jié) 的 單 向 導 電 性( a ) P N 結(jié) 加 正 向 電 壓 ( b ) P N 結(jié) 加 反 向 電 壓 晶體二極管 二極管的結(jié)構(gòu)與特性 二極管的分類與用途 退 出 二極管的主要參數(shù)與檢測方法 二極管的結(jié)構(gòu)與特性 1. 半導體二極管的結(jié)構(gòu) 半導體二極管又稱為晶體二極管,它是電子電路中最常用的半導體器件之一。這時的電壓稱為反向擊穿電壓,不同材料與結(jié)構(gòu)的二極管,反向擊穿電壓的大小也不相同。此后,反向電流在很大范圍內(nèi)變化時,而二極管兩端的電壓值基本保持不變。當光照條件不斷變化時,光電二極管兩端便產(chǎn)生相應變化的電信號。 ④最高工作頻率 f M:二極管正常工作時的信號最高頻率。 圖 7 1 3 常 見 中 小 功 率 三 極 管 封 裝( 1) 常用小功率晶體三極管 典型的有 90 系列,一般為 TO92標準塑料封裝。指共發(fā)射極接法,集電極輸出電流的變化量△ IC與基極輸入電流的變化量△ IB之比。 ⑤ 穿透電流 ICEO 。 輸入端輸出端輸入端輸出端輸出端輸入端( a ) 共 發(fā) 射 極 接 法 ( b ) 共 集 電 極 接 法( c ) 共 基 極 接 法ECECECEBEBEERBRBRERCRCREC1C1C1C2C2C2圖 7 1 6 三 極 管 電 路 的 三 種 接 法 1) 共發(fā)射極接法。特點:電壓放大倍數(shù)大,電流放大倍數(shù)接近于 1,輸入電阻小,輸出電阻大,頻率特性好,輸入信號與輸出信號相位相同。 2)輸出特性曲線 輸出特性曲線是指集電極電流 IC隨集電極和發(fā)射極之間的電壓 UCE變化的關(guān)系曲線,如圖 717169。 4. 三極管的檢測與使用 1) 半導體三極管的管腳判別 在使用和安裝三極管之前,首先應清楚三極管的管腳排列。 (
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