納米技術(shù)及其應(yīng)用第六章-免費(fèi)閱讀
【正文】 在偏壓很小時 ， 系統(tǒng)自由能 Fsys為 : ????????為奇數(shù)為偶數(shù)n ,1n ,02)(020nns y sPFPCneQF 寄偶自由能差，導(dǎo)致宇稱效應(yīng) 167。 當(dāng) Q0=e/2時 ， 島上的電勢也隨著改變 ， Q=Ne和 Q=(N+1)e的電子能態(tài)是簡并的 ， 庫侖島內(nèi)的電子不需要跨越 e2/2CΣ的能量臺階 ， 消除了庫侖阻塞 ， 電導(dǎo)出現(xiàn)極大值 。 一、 SET的構(gòu)造 柵 源 漏 庫侖島 勢壘 勢壘 勢壘 柵氧化層 隧道勢壘 SET的基本結(jié)構(gòu)形式 （據(jù) 《 微納電子技術(shù) 》 2022年第 4期 1118頁） 這種微電子器件呈現(xiàn)了電荷與能量量子化的特征 167。 167。 167。 量子點(diǎn)器件簡介 量子點(diǎn)旋轉(zhuǎn)門 在異質(zhì)結(jié)界面二維電子氣上用兩個量子點(diǎn)接觸形成隧道結(jié)，它們之間分裂柵圍成的空腔就是量子點(diǎn)島區(qū)（見下圖）。 這一微型化過程的最終極限是激光器發(fā)射的光的波長的一半（這一尺度是光能夠在兩塊反射鏡之間來回反射的最小尺度）。 量子點(diǎn)器件簡介 最早的激光器 最早的激光器是將某種激光材料夾在兩塊反射鏡之間，對該激光材料予以“泵激”使激光材料中的電子受到激發(fā)而從較低的能級躍遷到較高的能級。 量子點(diǎn)的類型及制備方法 ? 這種方法的特點(diǎn)：量子點(diǎn)尺寸可以小到 2～ 10nm，平均量子點(diǎn)尺寸分布大約在 5％～ 10％范圍內(nèi)，膠體量子點(diǎn)易于密集成量子點(diǎn)陣列，以形成晶態(tài)或非晶態(tài)的固體。 ? InAs和 GaAs這兩種材料具有晶格失配度，其晶格失配度為 %，晶格失配度高，生長為層島結(jié)合模式。 量子點(diǎn)的類型及制備方法 量子點(diǎn)的制備 在用分子束外延生長的異質(zhì)結(jié)片子的頂面上制作柵電極，加負(fù)壓將電極下面的二維電子氣耗盡，只有在柵的間隙區(qū)留下電子，從而獲得量子點(diǎn)。 第 6章 167。 量子阱、量子線和量子點(diǎn)的概念 點(diǎn)意味著空間一個極小的區(qū)域。 量子阱、量子線和量子點(diǎn)的概念 襯底 量子線 ——半導(dǎo)體中的一維電子氣 ：電子只能在一個維度上自由運(yùn)動，而其它兩個維度被限制。 具有量子尺寸效應(yīng)的勢阱稱為量子阱 167。 量子點(diǎn)的類型及制備方法 167。 量子點(diǎn)器件簡介 第 6章 167。 量子阱、量子線和量子點(diǎn)的概念 量子阱結(jié)構(gòu)： 襯底 a b A B Eg E39。具有這種電子系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)稱為量子線。在半導(dǎo)體制造的量子點(diǎn)中大約有百萬個電子。 量子阱中的量子尺寸效應(yīng) Back 167。 （ 1）在二維電子氣系統(tǒng)上加調(diào)制電極 n1 n2 Vp1 Vg1 Vp2 Vg2 Vp3 Vp1 Vp2 Vp3 Vg3 Vg3 GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)片子 CrCu電極 Vp1和 Vp3用來控制量子點(diǎn)與源和漏之間的耦合；Vp2控制兩個量子點(diǎn)之間的耦合； Vg Vg2 和Vg3分別來控制兩個量子點(diǎn)的尺寸（決定電子數(shù)的多少） 167。 GaAs GaAs InAs ? 其外延生長可以描述為： 1. 二維平面生長（生長處的外延層稱為浸潤層）； 2. 浸潤層厚度積累； 3. 浸潤層達(dá)到臨界厚度（約幾個原子層厚），在應(yīng)力作用下變?yōu)槿S島狀生長。 （ 3）用膠體化學(xué)方法制備 167。當(dāng)電子返回到較低能級時，它們就產(chǎn)生在兩塊反射鏡之間來回反射的光。此時，光子只有一種可能的狀態(tài)，光子別無選擇，每個光子都只能加入到公共的波中。 半導(dǎo)體量子點(diǎn)接觸形成的單電子器件 （量子點(diǎn)旋轉(zhuǎn)門平面圖） 量子點(diǎn)島區(qū) 點(diǎn)接觸 點(diǎn)接觸
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1