【摘要】五邑大學(xué)電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)報(bào)告題目:二級(jí)晶體管放大電路院系機(jī)電工程學(xué)院專業(yè)機(jī)械工程及其自動(dòng)化學(xué)號(hào)AP100學(xué)生姓
2025-06-04 09:25
【摘要】HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案雙極型半導(dǎo)體晶體管雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流放大系數(shù)晶體管的特性曲線晶體管的參數(shù)
2025-05-12 23:17
【摘要】制作:浙江廣廈建設(shè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院信息與控制工程學(xué)院晶體管開關(guān)電路1一、模擬電路和數(shù)字電路?模擬信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上連續(xù)的信號(hào)。?數(shù)字信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上不連續(xù)的(即離散的)信號(hào)。?對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱為模擬電路。?對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱為數(shù)字電路。2數(shù)字電路和模擬電路特
2025-04-30 18:47
【摘要】Bipolarjunctiontransisitor(BJT)第三章雙極晶體管第三章雙極晶體管?雙極晶體管的工作原理?少子的分布與直流特性?低頻共基極電流增益?非理想效應(yīng)?等效電路模型?頻率特性?大信號(hào)開關(guān)特性?其他的雙極晶體管結(jié)構(gòu)?無(wú)源器件(pa
2025-01-14 10:46
【摘要】電子電路綜合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)三晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告信息與通信工程學(xué)院摘要:簡(jiǎn)易晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路由三極管類型判別電路,三極管放大倍數(shù)檔位判別電路,顯示電路,報(bào)警電路和電源電路五部分構(gòu)成。三極管有電流放大功能,當(dāng)放大后的電流大小不同時(shí),三極管的集電極電壓也不同。一般
2025-08-16 17:52
【摘要】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁(yè)完本頁(yè)完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點(diǎn)為返回返回1、發(fā)射機(jī)主振器的頻率可以降低,對(duì)穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應(yīng)越低。一般主振器頻率不宜超過(guò)5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【摘要】第14章半導(dǎo)體器件二極管穩(wěn)壓二極管雙極型晶體管PN結(jié)及其單向?qū)щ娦园雽?dǎo)體的導(dǎo)電特性光電器件本章要求:1.理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,晶體管的電流分配和電流放大作用;2.了解二極管、穩(wěn)壓管和晶體管的基本構(gòu)造、工作
2025-05-01 00:06
【摘要】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來(lái)看,晶體管由兩個(gè)十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個(gè)P-N結(jié)將晶體管劃分為三個(gè)區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個(gè)區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號(hào)E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【摘要】晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告班級(jí):****姓名:****學(xué)號(hào):****班內(nèi)序號(hào):****【摘要】晶體管是工程上常見的一種元器件,放大倍數(shù)為其基本參數(shù)。為了檢測(cè)出不同晶體管的放大倍數(shù)的粗略值,本實(shí)驗(yàn)利用集成運(yùn)放和發(fā)光二極管,將晶體管的放大倍數(shù)分成若干個(gè)檔位進(jìn)行測(cè)量。利用本實(shí)驗(yàn)的電路,可以成功實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體管類型的判斷,對(duì)晶體管放
2025-08-01 21:37
【摘要】**1目 錄退 出下一頁(yè)上一頁(yè)最后一頁(yè)章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁(yè)上一頁(yè)最后一頁(yè)第7章晶體管特性圖示儀本章要點(diǎn)§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測(cè)量方法§?用晶體管特性圖示儀測(cè)量二極管、三極管和場(chǎng)效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁(yè)上
【摘要】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter8.FET的補(bǔ)充分析CMOS器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù),主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)?;綜MOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴先進(jìn)CMOS器件的
2025-05-03 08:13
【摘要】1功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強(qiáng)型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【摘要】微電子器件原理第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【摘要】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場(chǎng)效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00
【摘要】南京信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)說(shuō)明書作者 學(xué)號(hào)系部 電子信息學(xué)院專業(yè) 無(wú)線電(微波技術(shù)與器件)題目晶體管運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
2025-06-24 19:55