【正文】 若A端為正,則電流方向依序?yàn)锳 D1 C C1 C2 D3 B(負(fù))Vout=Vin* 2 f=60HZ*2=120HZ當(dāng)輸入為110VAC時(shí),只有D3,D4在工作,而SW也處于ON狀態(tài),若B端為正,則電流方向依序?yàn)锽 D4 C C1 COM A?！癐”是電流強(qiáng)度,單位是安培(A),簡(jiǎn)稱安.,這種電流叫恒定電流,簡(jiǎn)稱直流(DC),用大寫(xiě)字母“I”,則稱這種為交變電流,簡(jiǎn)稱交流(AC),用小寫(xiě)字母”i”表示． １A=10 mA=10 uA=10 nA ,所失去或獲得的電能.即　　U=W/Q ()式中“U”是A,B兩點(diǎn)間的電位差(電壓),單位是伏特,簡(jiǎn)稱伏(V)。10%(Ω)二:電容器 英文Capacitor┼ (a) (b) (a),(b)分別表示為無(wú)極性,有極性的電容器的電路符號(hào). : C=Q/U=ΣS/4πd,單位法拉(F).電容器可分為:陶瓷電容,電解電容,安規(guī)電容,貼片電容,塑料電容.(1) 標(biāo)準(zhǔn)容量及允許偏差(2) 額定電壓(3) 損耗系數(shù)DF值 DF=P耗/P總 P耗為充放電損耗功率, P總為充放電總能量.(4) 溫度系數(shù)(1) 直標(biāo)法(2) 色標(biāo)法:類(lèi)似電阻器之色標(biāo)法,三色環(huán)無(wú)偏差表示,單位PF(英文Choke 即線圈)1. 電路符號(hào)(普通電感無(wú)極性)2. 主要參數(shù)(1) 電感量及允許偏差(2) 品質(zhì)因子(Q值) 感抗xL=WL=2πfL Q=2πfL/R Q即為品質(zhì)因子3. 種類(lèi)可分為固定電感器,帶磁心電感線圈,可變電感器 (英文 Diode)DIODETest Description1VFForward voltage2IRReverse current leakage3BVRBreakdown voltage1. 電路符號(hào)▔┼2. 單向?qū)щ娦? 二極管只能一個(gè)方向流過(guò)電流,~,~,即二極管正向壓降基本保持不變,當(dāng)外加正向電壓達(dá)到一定程度,二極管正向電流會(huì)很大,二極管的反向電流很小,即反向時(shí)二極管的內(nèi)阻很大,二極管會(huì)反向擊穿. 是由一個(gè)P型半導(dǎo)體和一個(gè)N型半導(dǎo)體構(gòu)成,組成一個(gè)PN結(jié),PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?(1)普通二極管 (2)發(fā)光二極管 (3)穩(wěn)壓二極管 (4)變?nèi)荻O管 (1) 最大平均整流電流IF: 個(gè)周期內(nèi)的平均電流值不能超過(guò)IF,否則二極管將會(huì)燒壞.(2) 最大反向工作電壓VR(3) 反向電流IR:是在最大反向工作電壓下的二極管反向電流值(4) 工作頻率:表示二極管在高頻下的單向?qū)щ娦阅?ZENERTest Description1VFForward voltage2BVZMinimum Zener voltage.(Use test 5)3BVZMaximum Zener voltage.(Use test 5)4IRReverse current leakage5BVZBVz with programmable soak6ZZ1 KHz Zener Impedance(requires ZZ1000 or Model 5310)IiU (圖一) (圖二) 從(圖二)穩(wěn)壓特性曲線可以看出,當(dāng)穩(wěn)壓管反向擊穿后,流過(guò)二極管的工作電流發(fā)生很大變化時(shí),穩(wěn)壓二極管的電壓降壓V2基本不變,那么穩(wěn)壓管處于截止?fàn)顟B(tài),即開(kāi)路.3. 主要參數(shù)(1) 穩(wěn)定電壓(2) 穩(wěn)定電流:穩(wěn)壓管工作對(duì)參考電流值,電流小于該值,穩(wěn)壓效果會(huì)略差 些.(3) 額定功率損耗(4) 電壓溫度系數(shù)(5) 動(dòng)態(tài)電阻(又稱晶體三極管) TRANSISTORTest Description1hFEForwardcurrent transfer ratio2VBEBase emitter voltage(see also Appendix F)3IEBOEmitter to base cutoff current 4VCESATSaturation voltage5ICBOCollector to base cutoff current6ICEOCollector to emiter cutoff currentICER,with base to emiter load,ICEX,reverse bias,orICESshort(see also Appendix F)7BVCEOBreakdown voltage,collector to emitter,BVCERwith base to emiter load,BVCEXreverse bias,orBVCESshort(see also Appendix F)8BVCBOBreakdown voltage,collector to base9BVEBOBreakdown voltage,emitter to base10VBESATBase emitter saturation voltage ICc (a)NPN (b)PNPcccccccc 集電極IcbcccIbbcccP=NbcccIbbcccNecccP= N eccccccc Ie (a) NPNecccIe eP= (b) PNP Ie ,構(gòu)成兩個(gè)PN結(jié),即集電結(jié)和發(fā)射結(jié),基結(jié)3個(gè)電極,分別是集電極,基極,發(fā)射極,管子中工作電流有集電極電流Ic,基極電流Ib,發(fā)射極電流Ie,Ie=Ib+Ic Ic=βIb, β為三極管電流放大倍數(shù).ic cE1E1UcUcUbUb E2E2 uceUeUe (1)NPN (2) PNP (3)共發(fā)射極輸出特性曲線(1) 放大區(qū)發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,E1E2,即 NPN型三極管VcVbVe,PNP型三極管 VcVb=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的電流能量是由電源提供的,此時(shí)Ube=~(NPN硅管)(2) 截止Ib≦0的區(qū)域稱截止區(qū),UBE,三極開(kāi)始截止,為了截止可靠,常使UBE≦0,即發(fā)射結(jié)零偏或反偏,截止時(shí),集電結(jié)也反向偏置.(3) 飽和區(qū) 當(dāng)VCEVBE,即集電結(jié)正向偏置,發(fā)射結(jié)正向偏置時(shí),三極管處于飽和區(qū).飽和壓降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒,鍺管UCE(sat)≒4. 主要參數(shù)(1) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)β,即Hfe, β=IC/IB(2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)β. β=ΔIC/ΔIB(3) 集電極,基極反向飽和電流ICBO(4) 集電極,發(fā)射極反向飽和電流ICEO,即穿透電流(5) 集電極最大允許功耗PCM(6) 集電極最大允許電流ICM(7) 集電極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO(8) 發(fā)射極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO(9) 集電極,發(fā)射極反向擊穿電壓U(BR)CBO(英文簡(jiǎn)稱SCR,也叫晶閘管)SCRTest Description1IGTGatetrigger current2IGKOReverse gate current5VGTGatetrigger voltage6BVGKOReverse gaet breakdown voltage7IDRMForward Blocking current8IRRMReverse Blocking current9ILLatching current11IHHolding current(see also Appendix F)13VTMForward on voltage15VDRMForward blocking voltage16VRRMReverse blocking voltage1. 電路符號(hào) A K 陽(yáng)極 G 控制極 陰極2. 工作原理(1) 在陽(yáng),陰極間加上一個(gè)正電壓,再在控制極和陰極之間加上正電壓,可控硅導(dǎo)通.(2) 可控硅導(dǎo)通后,去掉控制極上的電壓,可控硅仍然導(dǎo)通,所以控制極上的電壓稱為觸發(fā)電壓.(3) 導(dǎo)通后,UAK=~(4) 要使導(dǎo)通的可控硅截止,得降低 UAK,同時(shí)陽(yáng)極電流也下降,當(dāng)陽(yáng)極電流小于最小維持電流IH時(shí),可控硅仍能截止.3. 主要參數(shù)(1)正向轉(zhuǎn)折電壓UB0,指在控制極開(kāi)路,使可控硅導(dǎo)通所對(duì)應(yīng)的峰值電壓 (2)通態(tài)平均電壓UF,~(3)擎住電流Ica173。圖210中以推挽式變換器為例給出一個(gè)開(kāi)關(guān)電子源（有電源負(fù)載反饋的閉環(huán)系統(tǒng)，或稱單環(huán)自動(dòng)穩(wěn)壓系統(tǒng)）的原理框圖。止前又用有機(jī)半導(dǎo)體代替電解液，也是固體式電解質(zhì)電容稱為”O(jiān)S電容“。有時(shí)加大電容容量并不能使電壓波平直，就是因?yàn)檫@個(gè)串聯(lián)寄生電感起著副作用。只要電感器電壓變化，didt其電流斜率 也變化；正向電壓，使電流從零線性上升；反向電壓，電流線性下降，根據(jù)能量守恒原理在電感器伏。雜散電容在低頻時(shí)影響不大，隨著頻率的提高而漸顯出來(lái)，到某一頻率以上時(shí)，電感也許變成了電容的特性了。換句話說(shuō)，由于“磁通連續(xù)”性，電感上的電流必須是連續(xù)的，否則將會(huì)產(chǎn)生很大的電壓尖峰波。這些元件的基本特征在這就不一一介紹了。這就是DCDC的基本手段，類(lèi)似于 “斬波”（Chop）作用。電力電子學(xué)科從此形成并有了近三十年的迅速發(fā)展。此次主要介紹一下開(kāi)關(guān)電源的原理及其設(shè)計(jì)方法。一般電力（如市電）要經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換才能符合使用的需要。所以，廣義地說(shuō)，凡用半導(dǎo)體功率器件作為開(kāi)關(guān)，將一種電源形態(tài)轉(zhuǎn)變成中一形態(tài)的主電路都叫做開(kāi)關(guān)變換器電路；轉(zhuǎn)變時(shí)用自動(dòng)控制閉環(huán)穩(wěn)定輸出并有保護(hù)環(huán)節(jié)則稱為開(kāi)關(guān)電源（Switching Power Supply）。tV1 1分類(lèi) ：按控制方式可分為三類(lèi)：脈寬調(diào)制：頻率調(diào)制：兩者結(jié)合此三類(lèi)中因調(diào)頻系統(tǒng)不如PWM開(kāi)關(guān)易控，且調(diào)頻時(shí)諧振電壓（電流）峰值高，開(kāi)關(guān)管所受應(yīng)力大，故一般用PWM控制。值得指出，主回路也不是絕對(duì)不出現(xiàn)電阻元件。電感為磁性元件，自然有磁飽和的問(wèn)題。如果將雜散電容“集成”為一個(gè)，則從電感的等效電路，也可以明白地看出在某一頻率后的電容性。秒值面積相等的某一時(shí)間點(diǎn)上，線性變化的電流重新降到零。電容的串聯(lián)電阻是與起點(diǎn)的引線有關(guān)，也與電解液有關(guān)?！監(jiān)S電容“的串聯(lián)電阻小了許多，在圖13中示出常用幾種電容的串聯(lián)電阻值，以供比較。主電路包括：輸入整流濾波、開(kāi)關(guān)逆變、輸出整流及濾波電路。173。“Q”是從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn)的電量,單位是庫(kù)侖。若A端為正,則電流方向依序?yàn)? A COM C2 D3 B Vout=Vin(rms)* 2 f=120HZ脈寬調(diào)制法(Pulse Width Modulation 縮寫(xiě)為PWM)..在臺(tái)達(dá)設(shè)計(jì)的DESKTOP轉(zhuǎn)換式電源供應(yīng)器中,PWM邏輯控制電路核心一般都采用DNA1001或UC3843,，現(xiàn)以UC3842為例簡(jiǎn)單介紹PWM邏輯控制原理.(1).工作原理由UC3842組成的PWM邏輯控制電路如圖35所示，當(dāng)接入市電后B+電壓經(jīng)R1減壓加至UC3842 Pin7 Ucc腳, ,Q1管導(dǎo)通電流從變壓器Pin1腳流向Pin2腳,因D2反向截止L2繞阻不損耗電能(變壓器存儲(chǔ)能量).當(dāng)Q1由導(dǎo)通變截止后D2正向?qū)妷汗┫騏C3842 Pin7 Ucc腳使其工作.(1) 過(guò)流保護(hù) 當(dāng)負(fù)載電流超過(guò)額定值或輸出短路時(shí),*R51V時(shí),該電壓反饋至UC3842 Pin3腳,通過(guò)內(nèi)部電流放大器使占空比變小,使輸出電壓下降,同時(shí)Pin7 ,電路停止工作,達(dá)到保護(hù)的目的. B UC3842Q1 R1 L1