高電壓絕緣技術(shù)課后題答案-免費閱讀
【正文】 若采用的凡士林較臟，損耗較大（ r? =， 3tan 2 10? ??? ），問由此引起多大的測量誤差？ 解：在分界面上有（ 1 為凡士林、 2為聚乙烯），兩個電容為串聯(lián)關(guān)系： 1112221212111aACdACdACddCC????????? 則有： 121212dddd??????= 介損的測量誤差： 2 2 . 2 9 7 5 2 . 3 0 . 0 0 2 5? ? ?? ? ? ? ? ? ? 測量 tan? 時： 12221 2 1 1 1 2 2 2221 2 1 1 2 2ta nta n ta nP P P QP P P C U C UQ Q Q C U C U?? ? ? ???? ? ?? ? ? ?? ? ? ? 其中： 21121212122. 2 22. 3 0. 05CUUCCCUUCCCC???????? 則有： 4ta n 2 .4 6 1 0PQ? ?? ? ? 則產(chǎn)生的誤差為： 4 4 4ta n 2 . 4 6 1 0 2 1 0 0 . 4 6 1 0? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? 6高壓單芯電纜（見圖 657）長 20m，其 tan ? ? ， r? =。 解：（ 1）由介損計算公式，在工頻電壓作用下： 2 1 2 21 ta n 2 5 0 2 0 0 0 1 0 ( 1 0 0 0 0 0 ) 0 . 0 1 6 2 . 8 3 WP CU? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? （ 2）在直流電壓作用下： 222 6100000 5W2 0 0 0 1 0UP R? ? ?? 與交流下?lián)p失的比值為： Ratio=5/= （ 3） 21121ta n1 / ( )UP RUQ C RC? ??? ? ? 則有 81 1211 1. 59 10ta n 2 50 20 00 10 0. 01R C? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ? ? 它與直流絕緣電阻的比值： Ratio2= 861 .5 9 1 0 0 .0 7 9 52 0 0 0 1 0? ?? 6圖 656 為局部放電試驗原理接線圖，其中 Cx 代表是試品為1000pF， Ck 代表耦合電容為 100pF， RmCm 代表檢測阻抗。 （ 2）如電纜絕緣層的溫度為 10176。在 20176。C 時充的氣壓為 ，試求該設(shè)備中 SF6 的氣體密度？及該設(shè)備中 SF6 氣體的液化溫度為多少？ 解：根據(jù) SF6的物理性質(zhì)，當氣壓為 ，溫度為 20176。 nm? ?? 可見光的波長范圍在 400750nm，不在可見光的范圍。 2. 離地高度 10m 處懸掛單根直徑 3cm 導線，導線上施加有效 值 工頻交流電壓，請計算導線表面最大場強。若將該導線更換為水平布置的雙分裂導線，兩導線總截面積保持與單根導線一致，線間距離 30cm，請重新計算導線表面最大場強。 解： 19 42 232 2 1 2 . 5 1 . 6 1 03( ) 1 2 . 5 , , 9 . 6 6 1 8 1 0 ( )2 3 3 1 . 3 8 1 0iii ww O e V w K T T KK??? ? ?? ? ? ? ? ??? 氣體的絕對溫度需要達到 96618K。C 時其密度為 ，則由 pV nRT? 當氣壓增至 時， SF6物質(zhì)的量 n 也增至原來的 倍，故此時密度為： 7 .5 6 .1 6 4 4 6 .2 3m n m o lVV? ?? ? ? ? ? 其中 mol 為 SF6的摩爾質(zhì)量； 由圖 56，當氣壓 ，其液化溫度約為 20176。C 時充氣氣壓為，求該稍不均勻場氣體間隙的擊穿電壓？它與 500kV 系統(tǒng)要求 的沖擊絕緣水平（ BIL） 1550kV 相比有多大裕度？ 解：由圖 519，設(shè)內(nèi)外半徑分別為 r、 R： =? 極間場強 / ( l n ( / ) ) 0 . 9 7 5 8 /xE U x R r U x??； 沿 x 軸方向電子有效電離系數(shù)為： 2 7 .7 0 .4 ( 8 8 5 ) 2 7 .7 9 8 0 5 .8 2 7 .0 3 / 9 8 0 5 .80 .4x xE E U x? ? ? ? ? ? ? ? ? 擊穿時，電子崩長度為臨界電子崩長度 xc，則有： c critUxrE??（ 1） 其中： 8 8 5 0 .4 3 5 4 k V / c mcritE ? ? ? 由（ 1）式大于 0，故 8 .9 3 5 4 3 1 5 0 .6 k VU ? ? ? 由式（ 56）有： 27 .0 3 l n 98 05 .8 13crx c cr rxdx U xr?? ?? ? ?? （ 2） 根據(jù)（ 1）、（ 2）可得擊穿電壓： ? 故裕度為： 3327 .5 155 0 100% 114. 7%1550 ? ?? 第六章 6測量固體電介質(zhì)體積電阻率 V? 和表面電阻率 s? 的試樣如圖 655所示。C 及 30176。若加到某一高電壓時， Ck 中發(fā)生視在放電量為 5pC 的局部放電，請問此時會誤解為 Cx中發(fā)生了多大的局部放電量？ 解：設(shè)放電之后 Ck兩端的殘余電壓為 U’ ，則有： 39?，F(xiàn)其中有 1m 因發(fā)生局部損壞， tan? 增至 ， r? 基本不變。聚乙烯的電氣特性為： r? =， 4tan 2 10? ??? 。 答：由電容容值計算公式，放入介質(zhì)后： 0 3. 18 0. 1 0. 31 8 μ FAC d??? ? ? ? 介質(zhì)損耗： 2 6 225ta n 0. 12 50 0. 31 8 10 50 00PCU? ?? ?? ? ?? ? ? ? ? 6一臺電容器電容 C=2020pF， tan? =，而直流下的絕緣電阻為 2020MΩ，求： （ 1）工頻（有效值） 100kV 下的功率損失； （ 2）直流 100kV 下的損失，它與交流下?lián)p失的 比值； （ 3）交流下介質(zhì)損失的并聯(lián)等值回路中的等值電阻，它與直流絕緣電阻的比值。C 時電纜的體積絕緣電阻。 4 1 7 7 5 . 6 7 l n 1 0 0 5 . 6 7 4 1 2 8 . 2 1 k V / c mWnxx ??? ? ? ? ? ? ? ? 耐受場強下降比例為： 15 4. 32 12 8. 21 16 .9 2%15 4. 32ratio ??? 5 500kV 氣體絕緣電纜為分相封閉
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