微機(jī)原理與接口技術(shù)課程設(shè)計(jì)-免費(fèi)閱讀
【正文】 是計(jì)算機(jī)智能化的重要保證。計(jì)算機(jī)整機(jī)性能是與主存儲器的技術(shù)發(fā)展密切相關(guān)的。(1)計(jì)算機(jī)當(dāng)前正在執(zhí)行的程序和程序運(yùn)行中所需要的數(shù)據(jù)都是存放在存儲器中的，CPU中的控制部件所需的指令是從存儲器中取出的，CPU中的運(yùn)算部件所需的數(shù)據(jù)也是從存儲器中取出的(除了少量的暫存于CPU寄存器中的原始數(shù)據(jù)、中間結(jié)果)。此時(shí)，必須對存儲芯片擴(kuò)位，使其數(shù)據(jù)位數(shù)與CPU的數(shù)據(jù)線數(shù)相等。存盤中無任何機(jī)械式裝置，抗震性能極強(qiáng)。 U盤U盤，全稱USB閃存驅(qū)動(dòng)器，英文名“USB flash disk”。CD光盤主要分為五層，其中包括基板、記錄層、反射層、保護(hù)層、印刷層等。這些碟片外覆蓋有鐵磁性材料。由于CPU的信息處理速度常常超過其它部件的信息傳遞速度，所以使用一般的DRAM來作為信息存儲器常常使CPU處于等待狀態(tài)，造成資源的浪費(fèi)。故稱之為EPROM。常見的動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路有三管式和單管式兩種，它們的共同特點(diǎn)都是靠電容存儲電荷的原理來寄存信息的。使用SDRAM不但能提高系統(tǒng)表現(xiàn)，還能簡化設(shè)計(jì)、提供高速的數(shù)據(jù)傳輸?？梢杂靡粋€(gè)形象的存儲器分層結(jié)構(gòu)圖，來反映上述的問題。由于可以直接指向存儲器的一個(gè)很小的局部，故稱為直接存取存儲器，常用DAM表示。只讀存儲器分為掩膜型只讀存儲器MROM（Masked ROM）、可編程只讀存儲器PROM(Programmable ROM)、可擦除可編程只讀存儲器EPROM(Erasable Programmable ROM)、用電可擦除可編程的只讀存儲器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)。 隨機(jī)存儲器RAM(Random Access Memory)RAM是一種可讀寫存儲器， 其特點(diǎn)是存儲器的任何一個(gè)存儲單元的內(nèi)容都可以隨機(jī)存取，而且存取時(shí)間與存儲單元的物理位置無關(guān)。其缺點(diǎn)是當(dāng)電源消失時(shí)，所存信息也隨即丟失，是一種易失性存儲器?！ ∨c存取周期密切相關(guān)的指標(biāo)叫存儲器的帶寬，它表示每秒從存儲器進(jìn)出信息的最大數(shù)量，單位可用字/秒或字節(jié)/秒或位/秒表示。 主存的技術(shù)指標(biāo)主存的主要技術(shù)指標(biāo)是存儲容量和存儲速度。 主存中存儲單元地址的分配 主存各存儲單元的空間位置是由單元地址號來表示的，而地址總線是用來指出存儲單元地址號的，根據(jù)該地址可讀出一個(gè)存儲字。 主儲存器結(jié)構(gòu) 主存的實(shí)際結(jié)構(gòu)如上圖所示，當(dāng)根據(jù)MAR中的地址訪問某個(gè)存儲單元時(shí)，需經(jīng)過地址譯碼、驅(qū)動(dòng)等電路，才能找到所需訪問的單元。那么現(xiàn)有存儲器的種類有哪些、它們又有哪些各自不同的性能及它們是如何在計(jì)算機(jī)中發(fā)揮存儲作用的呢？為了理清楚以上問題，我做了有關(guān)于現(xiàn)有各種存儲器的對比研究的分析。河南理工大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院課程設(shè)計(jì)報(bào)告2012— 2013學(xué)年第2學(xué)期課程名稱 微機(jī)原理與接口技術(shù) 設(shè)計(jì)題目 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中各種存儲器 的對比研究 學(xué)生姓名 學(xué) 號 專業(yè)班級 指導(dǎo)教師 2013 年 3 月 13 日前言隨著現(xiàn)代科技高速發(fā)展，存儲器的使用已逐漸融入我們的生活。通過該課程設(shè)計(jì)，鞏固了以前所學(xué)的有關(guān)存儲器的知識，加深了對存儲器的分類、它們之間的區(qū)別、各存儲器與計(jì)算機(jī)的連接、以及在計(jì)算機(jī)中所起的作用等，從而對存儲器的未來有了新的認(rèn)識。讀出時(shí)，需經(jīng)過讀出放大器，才能將被選中單元的存儲字送到MDR。不同的機(jī)器存儲字長也不同，為了滿足字符處理的需要，常用8位二進(jìn)制數(shù)表示一個(gè)字節(jié)，因此存儲字長都取8的倍數(shù)。存儲容量：是指主存能存放二進(jìn)制代碼的總數(shù)，即：存儲容量＝存儲單元個(gè)數(shù)存儲字長它的容量也可用字節(jié)總數(shù)來表示，即：存儲容量＝存儲單元個(gè)數(shù)存儲字長／8存儲速度：存儲速度是由存取時(shí)間和存取周期來表示的。如存取周期為500ns，每個(gè)存取周期可訪問16位，則它的帶寬為32M位／秒?！ “雽?dǎo)體存儲器又可按其材料的不同， 分為雙極型（TTL）半導(dǎo)體存儲器和MOS半導(dǎo)體存儲器兩種。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的主存都采用這種隨機(jī)存儲器。以及近年來出現(xiàn)了的快擦型存儲器Flash Memory，它具有EEPROM的特點(diǎn)，而速度比EEPROM快得多。又因后半段操作是順序存取，故又有半順序存儲器之稱。如下圖所示: 實(shí)際上，存儲器的層次結(jié)構(gòu)主要體現(xiàn)在緩存—主存、主存—輔存這兩個(gè)存儲層次上，如下圖所示。在嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常使用。若電容上存有足夠多的電荷表示存“1”，電容上無電荷表示存“0”。EPROM芯片有多種型號，市場上常見的Intel公司的產(chǎn)品有：2716（2K
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