局部放電試驗????-免費閱讀
【正文】 。 ⑤ 試驗回路要緊湊 ， 試品遠離其他物體 。 低壓施加 3相倍頻電源 。 相對相：在電壓 Um放電量：在交接時不大于 20Pc。 RCL型應用普遍 。 靈敏度略低于直測法 。 4. 測試靈敏度低 ， 不能直接定量 。 三 、 放電量與各參數(shù)間的關系 一個脈沖真實放電量 qr， Ug、 Ur等參數(shù)在實際試品中是不可知的 ， 同時絕緣缺陷各不相同 ， 故真實放電量是不可以直接測量的 。 （ 理論上比起始電 壓低一半 ， 但實際上要低很多 5%20%甚至更低 ） 二 、 局部放電機理： 內部放電：絕緣材料中含有氣隙、油隙、雜質等，在電場的作用下會出現(xiàn)介質內部或介質與電極之間的放電。 不會造成絕緣損傷 。 局部放電試驗 ???? 局部放電試驗 第一節(jié) 局部放電特性及原理 一 、 局部放電測試目的及意義 局部放電： 是指設備絕緣系統(tǒng)中部分被擊穿的電氣放電 ，這種放電可以發(fā)生在導體 (電極 )附近 ， 也可發(fā)生在其它位置 。 局部放電測試的目的和意義： 確定試品是否存在放電及放電是否超標 ,確定局部放電起始和熄滅電壓 。等效原理圖： Ug Cb Cg Ca Ua Cg: 空穴電容 Ca： 介質其余部分電容 Cb： 與空穴串聯(lián)部分的電容 Ua： 外施電壓 Ua Ug Cg放電 局部放電 放電的產(chǎn)生與介質內部電場分布有關 ， 空穴與介質完好部分電壓分布關系如下： 介質總電容 : 設空穴與其串聯(lián)部分介質的總電容 Cn: bgbgaX CCCCCC???bgbgn CCCCC??因為介質電容充電電荷 q=UC C=εS/d Eg:空穴電場強度 εg:空穴介電常數(shù) Eb:與空穴串聯(lián)部分電場強度 εb: 與空穴串聯(lián)部分介電常數(shù) 設 qn為空穴充電電荷 Ug=qn/Cg 空穴電場強度 Eg= Ug/dg=q/dgCg gbbgbabgbgggagddUCCCCCdUE????????dg:空穴距離 db:串聯(lián)部分完好介質厚度 介質中平均場強 )( dbdgUaE av??gbE avEg???E avEgbg ???εg=1空穴大多為空氣 εb1 所以空穴的 E高于完好介質 ,同時 ， 完好介質的臨界場強遠高于空氣 ， 如環(huán)氧樹脂Ec=200300(kV/cm),而空氣為 2530(kV/cm)， 當外施電壓達一定值時空穴首先擊穿 ,其它介質完好 ,形成局部放電 。 局部放電將引起絕緣上所施加電壓的變化 ,產(chǎn)生一個ΔU,同時也引起絕緣介質中電荷 q的轉移 ,我們稱之為視在放電量。 一 、 超聲波傳感器的原理及應用 1. 超聲波傳感器的原理 :壓電效應
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