通信高頻開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)-免費(fèi)閱讀
【正文】 電路參數(shù)的選擇：設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路，就是合理地選擇電路元件的有關(guān)參數(shù)。對(duì)于直流量而言，電感上電阻很小，其上壓降也很小，因此負(fù)載上得直流電壓平均值=。2），使用于大功率。~。所承受得最大正反向電壓均為=373V. 取400V濾波電容所承受得最大正向電壓為2倍市網(wǎng)電壓，即,考慮到電網(wǎng)電壓有的電壓波動(dòng)，故考慮安全裕量，取=500V緩沖電路里邊電容的計(jì)算：,取，?。?H臨界電感:LC濾波電路：，為濾波電路的輸出電壓，為高頻變壓器副邊整流電路的輸出。 電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路 IGBT的驅(qū)動(dòng)?xùn)旁撮g、柵射間有數(shù)千皮法的電容，為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓，要求驅(qū)動(dòng)電路輸出電阻小使MOSFET開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般10~15V，使IGBT開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般15 ~ 20V關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓（一般取 5 ~ 15V）有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗在柵極串入一只低值電阻（數(shù)十歐左右）可以減小寄生振蕩，該電阻阻值應(yīng)隨被驅(qū)動(dòng)器件電流額定值的增大而減小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣雙極型晶體管（IGBT）,共同得特點(diǎn)都是電壓控制型器件，柵—源或柵射之間都是絕緣的，不需要靜態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，驅(qū)動(dòng)功率小；其柵—源之間有輸入電容，快速開(kāi)關(guān)時(shí)，要求有尖峰電流和放電尖鋒電流。由于本次課程設(shè)計(jì)只中，我們組設(shè)計(jì)的電路圖里邊半橋型直流變換器中開(kāi)關(guān)管承受的最大電壓約為400V左右，所以開(kāi)關(guān)管只能用IGBT,而不適宜用功率MOSFET。（2），電壓驅(qū)動(dòng)：高輸入阻抗和低驅(qū)動(dòng)電流。,二極管的選擇216。c),要注意合閘沖擊。對(duì)于正弦波電壓的變壓器來(lái)說(shuō)，因電壓習(xí)慣于用有效值來(lái)表示，所以各繞組的容量定義喂該繞組電壓和相應(yīng)電流有效值之積，變壓器容量為一次繞組容量和二次繞組容量的平均值。關(guān)于平衡不平衡變換的應(yīng)用則要從信號(hào)的相位考量，若初級(jí)（或次級(jí)）線圈兩端信號(hào)相位相差180度，則稱為平衡信號(hào)，若相位相同則稱為不平衡信號(hào)。變壓器容量越大，鐵芯構(gòu)成越好，轉(zhuǎn)換效率就越高，實(shí)際匝數(shù)就越接近理論匝數(shù)。次級(jí)線圈在初級(jí)線圈外邊。由式可知，改變開(kāi)關(guān)接通時(shí)間和工作周期的比例，AB間電壓的平均值也隨之改變，因此，隨著負(fù)載及輸入電源電壓的變化自動(dòng)調(diào)整TON和T的比例便能使輸出電壓V0維持不變。一方面從輸出端取樣，經(jīng)與設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，然后去控制逆變器，改變其頻率或脈寬，達(dá)到輸出穩(wěn)定，另一方面，根據(jù)測(cè)試電路提供的數(shù)據(jù)，經(jīng)保護(hù)電路鑒別，提供控制電路對(duì)整機(jī)進(jìn)行各種保護(hù)措施。控制電路 ： 一方面從輸出端取樣，經(jīng)與設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，然后去控制逆變器，改變其頻率或脈寬，達(dá)到輸出穩(wěn)定，另一方面，根據(jù)測(cè)試電路提供的資料，經(jīng)保護(hù)電路鑒別，提供控制電路對(duì)整機(jī)進(jìn)行各種保護(hù)措施。目錄第1部分 課程設(shè)計(jì)的目的………………………..……………………...2第2部分,課程設(shè)計(jì)的內(nèi)容…………………………………………………2, 通信高頻開(kāi)光電源的設(shè)計(jì)…………………………………………..2，新電解大功率直流可控電源的設(shè)計(jì)…………………………………3 ,設(shè)計(jì)一臺(tái)交直交PWM變頻電源……………………………………..3第3部分，課題的選擇……………………………………………………4第4部分，課程設(shè)計(jì)主體部分……………………………………………4，總體設(shè)計(jì)方案…………………………………………………………4，高頻開(kāi)關(guān)電源電路原理………………………………………………5 通信高頻開(kāi)關(guān)電源電路……………………………………………….6………………………………………………………………...6………………………………………………………..…….8…………………………………….…………………..……8……………………………………….…………………..…8…………………………………..………………..…..9，功率開(kāi)關(guān)器件的選擇……………………………………………….11,電阻的擇…………………………………….………………………11,二極管的擇…………………………….……………………………11………………………...………………………..12,電感的選擇………………………………………………………….13,電容的擇……………………………………...……………………..14,高頻變壓器的選擇………………………………………………….14，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)……………………………………………….……14 電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路……………………………………….15 IGBT的驅(qū)動(dòng)
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