直流斬波電路課程設(shè)計(jì)-免費(fèi)閱讀
【正文】 case 3: OCR1B=768。 //檔位 1 3V PORTB=0x01。0x02)==0) { delay(10)。z)。 但本次設(shè)計(jì)仍有不足，沒(méi)有考慮到 IGBT 集電極的過(guò)流保護(hù)和負(fù)載過(guò)流保護(hù)問(wèn)題，在以后的學(xué)習(xí)和生活中還需要繼續(xù)學(xué)習(xí)，彌補(bǔ)本次設(shè)計(jì)的缺陷。 GCE 圖 51 IGBT 的柵極保護(hù) 電路 IGBT 的 集電極和發(fā)射極的保護(hù) 一般情況下，對(duì) IGBT 的集電極和發(fā)射極進(jìn)行保護(hù)主要考慮的是其過(guò)電壓?jiǎn)栴}。 控制電路原理圖 控制電路原理圖如圖 41 所示 A T M E G A 1 6V c cV c cR E S E TP W M 輸 出P D 4P A 2P A 3V c cG N DS 1S 2L 1L 2L 3L 4C 1C 2C 3S 3R 18 M 圖 41 控制電路原理圖 7 AVR 單片機(jī)外接 8MHZ 的晶體振蕩器， PD4 輸出 PWM 接驅(qū)動(dòng)電路 TLP250 的 2引腳， 3 引腳和單片機(jī)的 GND 相連。 (max) 開(kāi)關(guān)時(shí)間 (max) 如 圖 31 所示， TPL250 的輸入和輸出通過(guò)光耦安全的隔離開(kāi)來(lái)，避免輸出側(cè)的波動(dòng)對(duì)控制電路的影響。 2）能向 IGBT 提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪驏艍?，一般?+15 V 左右的正向柵壓比較恰當(dāng)，取 5V 反向柵壓能讓 IGBT 可靠截止。輸出電壓與輸入電壓之比 由控制信號(hào)的占空比來(lái)決定 。 因?yàn)楸敬卧O(shè)計(jì)打算設(shè)定 4 個(gè)輸出檔位，分別為 3V， 5V， 10V， 15V，而且采用 ATMEGA16 單片機(jī)可以使用其剩余引腳進(jìn)行電路的其他控制，例如顯示輸出電壓幅值等。輸入端與輸出端進(jìn)行隔離。 優(yōu)點(diǎn)：可以直接用市電進(jìn)行整流調(diào)節(jié)。 控制電路的選擇 控制電路的功能是控制電力電子器件 IGBT 的通斷，現(xiàn)有兩種主電路的設(shè)計(jì)方案，現(xiàn)進(jìn)行比較分析。而 IGBT 截止時(shí)，電感 L開(kāi)始放電為負(fù)載供電，二極管 VD 導(dǎo)通，形成回路。因而設(shè)計(jì)中還需要有帶電器隔離的部分。 根據(jù)以上幾點(diǎn) 要求 ，本次設(shè)計(jì)采用 TPL250 為 IGBT 的驅(qū)動(dòng)芯片。 具有兩個(gè) 16 位定時(shí)器和計(jì)數(shù)器，通過(guò)配置 控制寄存器 TCCR1A和 TCCR1B 使 PD5 和 PD4發(fā)出兩路獨(dú)立的 PWM。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動(dòng)過(guò)程中使得柵極回路斷開(kāi)，在不被察覺(jué)的情況下給主電路加上電壓，則 IGBT 就可能會(huì)損壞。 9 EC 圖 52 RC 緩沖電路 IGBT 的過(guò)熱保護(hù) 一般情況下，流過(guò) IGBT 的電流比較大，開(kāi)關(guān)頻率較高，故而器件的損耗也比較大，如果熱量不能及時(shí)的散掉，使得器件的結(jié)溫超高額定值則可能使 IGBT損壞。yx。 OCR1B=153。 n=n1。 case 2: OCR1B=512。 } } } 14 參考文獻(xiàn) [1] 王兆安，劉進(jìn)軍 .電力電子技術(shù) [M ].機(jī)械工業(yè)出版社， 2021 [2] 于正林 . AVR 單片機(jī)原理及應(yīng)用 [M].機(jī)械工業(yè)出版社， 2021 [3] 李俊梅 . 電力電子器件與應(yīng)用 [M ].浙江大學(xué)出版社， 2021 。 //檔位 2 5V
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