能源材料ⅱⅵ族多晶薄膜太陽電池材料-免費(fèi)閱讀
【正文】 不同氣氛條件對熱處理的影響 ： ? 在惰性氣體中，可使薄膜中 p型導(dǎo)電性能下降，電阻率升高。 CdS和CdTe晶粒結(jié)構(gòu)之間沒有更多的關(guān)聯(lián)。 ? p層由低阻的 p型 CuInSe2組成，有較低的體電阻和背接觸電阻，和高電阻 p型層形成背場，有利于開路電壓的提高。 Te擴(kuò)散入 CdS層中形成具有鉛鋅礦結(jié)構(gòu)的 CdS1y(Tey)，帶隙小于 CdS， Te擴(kuò)散進(jìn)窗口層提高了器件的短路電流。 ? 當(dāng)薄膜的組分比偏離化學(xué)計(jì)量比較大時(shí) ， 薄膜的 導(dǎo)電性主要由 Cu與 In之比決定，一般是隨著Cu/In比的增加，電阻率下降 ， p型導(dǎo)電性增強(qiáng)。 CuInSe2薄膜材料性質(zhì) 1）結(jié)構(gòu)性質(zhì) CuInSe2是一種三元 Ⅰ Ⅲ Ⅵ 族化合物半導(dǎo)體，具有黃銅礦 （ 低溫相，正方晶系）和 閃鋅礦 （ 高溫相、閃鋅礦結(jié)構(gòu)）兩個(gè)同素異形的晶體結(jié)構(gòu)。氧偏壓 ↑ ，源 襯底間距 ↓ ，電阻率 ↓ 。 紅： 640~780nm； 橙： 640~610nm。第十三章 Ⅱ Ⅵ 族多晶薄膜太陽電池材料 一、引言 化合物半導(dǎo)體太陽能電池 采用 直接由原材料到太陽能電池 的工藝路線，發(fā)展了薄膜太陽能技術(shù)。 黃： 610~530nm； 綠： 505~525nm； 藍(lán)： 505~470nm； 紫： 470~380nm。 CdS薄膜材料性質(zhì) 1）結(jié)構(gòu)性質(zhì) CdS薄膜具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙材料，帶隙寬為 。 CuInSe2是直接帶隙半導(dǎo)體材料， 77K時(shí)的帶隙為， 300K時(shí)為 。 p型導(dǎo)電性隨著 Se濃度的增加而增加。 S擴(kuò)散入 CdTe內(nèi)形成具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的合金 CdTe1xSx，帶隙小于 CdTe。 3）（ ZnCd） S/CuInSe2太陽電池 以 ZnxCd1xS代替 CdS制成 ZnxCd1xS/CuInSe2太陽電池（ x在 ~）。 用 CdCl2對 CdTe薄膜進(jìn)行熱處理，有下列作
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