【正文】 正確 78． 空間點(diǎn)陣有 14 種，他們每個點(diǎn)陣都代表一個原子。 正確 70．共價鍵是由兩個或多個電負(fù)性相差不大的原子間通過共用電子對而形成的化 學(xué)鍵。 錯誤 62．范氏力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性和飽和性。 ，即使在熱力學(xué)平衡狀態(tài)下也是如此。 錯誤 。 錯誤 是指間隙。 正確 。 能力。 錯誤 D=D。 錯誤 ，否則是同一相。√ ( )?√ ?！獭?聚乙烯相似，聚四氟乙烯的結(jié)晶鏈也是平面鋸齒形?！獭?15．共析鋼中的碳含量為（ A） ～ %（ B）%（ C） ～ %（ D） %C B 為 ____，小晶粒 ____。√√？（ C%≤ 2%。 (A)容易， (B)不易， (C)， (D)A 由于粗糙度涉及到，未講，建議去掉 ，熔體的表面張力一般將 ____。 √ ?！獭?的過程。 √√ 。 √ ，二元凝聚系統(tǒng)最多可以 3 相平衡共存，它們是一個固相、一個液相和一個氣相。 （ A）共晶，（ B）共析，（ C）包晶 物理意義是 ____。 （ A） 1，（ B） 2，（ C） 3，（ D） 成的四面體間隙數(shù)為 ____。 (A)密排六方， (B)體心立方， (C)面心立方， (D)簡單立方 ，晶胞中原子體積是 ，其點(diǎn)陣常數(shù)為 ___。 a)最小，（ B）最大，（ C）居中 fcc 和 bcc 結(jié)構(gòu)中，一切相鄰的平行晶面間的距離可用公式： d=a/(h2+k2+l2)1/2√ d=a/[(h2+k2+l2)]1/2適用于 ____的一切晶面（ h， k， l 為密勒指數(shù)）。 ABDCHGFE（ A） BG，（ B） CH，（ C） CE，（ D） GEHAA， F 為原點(diǎn)可？（ HAH 為原點(diǎn)， A 點(diǎn)坐標(biāo)為 1， 1， 0）也可是 GB,G 點(diǎn)為原點(diǎn)， B 點(diǎn)坐標(biāo)為 1， 1， 0) (121)晶面為 ____。 （ A）（ 111），（ B）（ 110），（ C）（ 101），（ D）（ 011） 簡單立方點(diǎn)陣晶胞， AD 的晶向指數(shù)是 ____。 （ A） ，（ B） ，（ C） ，（ D） 結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是 ___。 （ A） 21/2a/2，（ B） 21/2a/4，（ C） 31/2a/2，（ D） 31/2a/原子半徑 R 為單位， fcc晶體的點(diǎn)陣常數(shù) a是 ____。（ A） 12，（ B） 14，（ C）16，（ D） 中只可能劃分出 ____個晶系。 √ ?！蹋?T＝ 0K 時） 6．費(fèi)米能級是，在 T＝ 0K 時，金屬原子中電子被填充的最高能級，以下能級全滿，以上能級全空。 √√？（只能是兩個原子間） 9．離子化合物的配位數(shù)取決于離子最有效的堆積?！?1．隨著兩個原子間 距離減小，相互間的吸引力下降，排斥力增加。 √ ，它的基本特點(diǎn)是電子共有化。 ，也無飽和性。 6．在四個量子數(shù)中， n是第一量子數(shù)，它決定體系的能量。 錯誤改正： 2個固相和 1個液相 ABCA。 ，熔體的表面張力一般將減少。 。 。 bcc 晶格的致密度，原子半徑都最小。 [SiO4]4構(gòu)成，層狀結(jié)構(gòu)中，橋氧原子有 3 個。 錯誤 79． Solidsolution是指固溶體； 雜質(zhì)原子等均勻分布于基體晶體的固體。 正確 ZnS 晶胞中的 Zn 原子和 S原子數(shù)量分別為 4和4。 正確 63．再擴(kuò)散過程中，原子的流量直接正比于濃度梯度。 正確 ， C%≤ %。 錯誤 a， b， c和α，β，γ表示。 。 ，相互間的吸引力下降，排斥力增加。 正確 。 Exp(Q/RT)，顯然擴(kuò)散激活能與擴(kuò)散激系數(shù)成正比，Ｑ值越大，Ｄ值越大。 正確 、富勒烯、巴基管和金剛石都是碳的同素異形體，均有相同的晶體結(jié)構(gòu)。 √（√） ?！?14．聚乙烯晶體屬于體心立方晶系。 (A)長大、長大； (B)變小、長大； (C)長大、變?。? (D)A？有問題，去掉 1．在 離子晶體中，當(dāng)正負(fù)離子半徑比值在～ ，形成（ A）四面體配位（ B）八面體配位（ C）平面三角形配位（ D）立方體配位 A2．在離子晶體中，當(dāng)正負(fù)離子半徑比值在 ～ ，形成（ A）簡單立方配位（ B）面心立方配位（ C）簡單立方或面心立方配位 C A（在等電荷時，面心立方離子晶體的正負(fù)離子為八面體配位，半徑比是 ） 3．面心立方 ZnS 中的 Zn 原子位于由 S原子構(gòu)成的 ________間隙中。）7．珠光體是由鐵素體和滲碳體組成的共析混合物。 (A)不變， (B)減少， (C)增加， (D)90176。 √ 活能應(yīng)等于 ____。 √？ ，所有擴(kuò)散系統(tǒng)中，物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。 √去掉√ ?該題有問題 ，它們每個點(diǎn)陣都代表一個原子。 √改正：兩個固相和一個液相。 （ A）無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度就發(fā)生共晶反應(yīng) ,（ B）無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度時，如剩余的液相具有共晶成分就發(fā)生共晶反應(yīng) ,？表達(dá)不確切（ C）無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度時，全部會變成具有共晶成分的液相而發(fā)生共晶反應(yīng) B 反應(yīng)發(fā)生在三相平衡的水平線上 ,可利用杠桿定理計(jì)算相組成物與組織組成物相對量 ,所以杠桿定理也可以在三相平衡區(qū)使用。 （ A） 4，（ B） 6，（ C） 8，（ D） 體間隙 m 個，四面體間隙 n個，其中： （ A） m=4， n=8,（ B） m=6， n=8,（ C） m=2， n=4（ D） m=4， n=12A10.每一個體心立方晶胞中有八面體間隙 m個，四面體間隙 n個，其中： （ A） m=4， n=8,（ B） m=6， n=8,（ C） m=6， n=12（ D） m=8， n=和 bcc 結(jié)構(gòu)中的八面體間隙均為正八面體。 (A)， (B)，(C)， (D)為 ____。（ A）立方晶系所包含的三種點(diǎn)陣 ,（ B）立方和四方所包含的各種點(diǎn)陣 ,（ C）簡單立方點(diǎn)陣 ,原子半徑都最小。 （ A） BGN，（ B） BEM，（ C） CFM，（ D） AFNCRPNAFDGCBEOyzxSM11.在簡單立方晶胞中畫出的 [221]晶向?yàn)?____。 [111]（ A），（ B） [110]，（ C） [101]，（ D） [011] 下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞， AB 的晶向指數(shù)是 ____。 （ A） 12，（ B） 10，（ C） 8，（ D） ____。 （ A） 2(2)1/2R，（ B） 4(2)1/2R，（ C） 4(3)1/2R，（ D） 4(3)1/2R/結(jié)構(gòu)的致密度為 ___。（ A） 5，（ B）6，（ C） 7，（ D） ____表示。 √ ，它們的晶體結(jié)構(gòu)不一定相同?！?7．按照費(fèi)米分布函數(shù)， T≠ 0 時， ， f（ E）＝ 1/2（ A） E＝ EF（ B） E＜ EF（ C） E＞ EFA8．在固體的能帶理論中，能帶中最高能級與最低能級的能量差值即帶寬，取決于聚集的原子數(shù)目?！?10．在氧化物中， O2的配位數(shù)主要有 12 三種類型?！?2．兩個原子處于平衡間距時，鍵能最大，能量最高。 11．共價鍵既有飽和性又有方向性。 √ 。 √ 7．在四個量子數(shù)中， l 是第二量子數(shù)，它決定體系角動量和電子幾率分布的空間對稱性?！獭?，可以把材料分為三種基本類型（ A）金屬材料、硅酸鹽、有機(jī)高分子材料（ B）陶瓷材料、高分子材料、鋼鐵（ C）有機(jī)高分子材料、金屬材料、無機(jī)非金屬材料（ D）有機(jī)材料、無機(jī)非金屬材料、金屬材料 C4．在四個量子數(shù)中， ms 是確定體系角動量在磁場方向的分量（ ml）。 13． S原子的價電子數(shù)是 5個。 √ ，氫鍵有方向性但無飽和性。√ 16．三種基本鍵合的結(jié)合強(qiáng)弱順序?yàn)榻饘冁I＞離子鍵＞共價鍵。 √ 斥力的合力最小的位置?！?，而分子軌道則是不同原子軌道線性組合成的新軌道。 （ A）√，（ B），（ C），（ D） 是晶體。 a)最近的原子 間距 ,（ B）晶胞棱邊的長度 ,（ C）棱邊之間的夾角。 （ A） 6，（ B） 8，（ C） 10，（ D） ___。 （ A） 2(2)1/2R，（ B） 4(2)1/2R，（ C） 4(3)1/2R/2，（ D）4R/(3)1/ ___。 √ ，其中 ABC面的指數(shù)是 ____。 ABDCHGFE（ A） AFD，（ B） ACH，（ C） ACE，（ D） CHEBEGB 乘負(fù)號 (1,1,1),原點(diǎn)為 D，由于是晶面族， X 軸方向變，可 (1,1,1),原點(diǎn)為F,， ____的晶向指數(shù)為 [111]。 √改正：晶面在晶軸上截距倒數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比 較高的晶面通常具有 ____的原子密度排列。 (A)5， (B)6， (C)4， (D) 為面心立方結(jié)構(gòu)，其點(diǎn)陣常數(shù)為，其晶胞中原子體積是 ___。 （ A） 4，（ B） 6，（ C） 8，（ D） 體間隙數(shù)為 ____。 （ A）共晶，（ B）共析，（ C）包晶 ， S→ S1+S2稱為 ____轉(zhuǎn)變。 (A)累積量 (B)瞬時量 (C)(D)，二元合金中最大平衡相數(shù)為 3。（ A）位錯線的方向 ,（ B）位錯線的運(yùn)動方向 ,（ C）晶體的滑移方向 B C，應(yīng)為 陷 ,即使在熱力學(xué)平衡狀態(tài)下也是如此。 (A)空位， (B)非化學(xué)計(jì)量缺陷， (C)雜質(zhì)缺陷， (D)體中， d 溶質(zhì)≈ d 溶劑。 √？√還有濃度差，（按照 Fick 第一定律，該表述應(yīng)是正確的） ，而菲克第二定律只適用于非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散。 （ A）隨 Q 增加而減小 ,（ B）隨 Q 增加而增加 ,（ C）與 Q 無關(guān) A13.當(dāng)液體與固體的真實(shí)接觸角大于 90 度時，粗糙度愈大，就愈 ____潤濕。 5．鐵素體是碳溶解在γ鐵中的固溶體， C%≤ %?！獭?13．在再結(jié)晶過程中，晶粒的尺寸隨再結(jié)晶溫度的升高和時間的延長而長大?！獭?同性的固體。 √（√） 。 正確 R 為單位， fcc 晶體的點(diǎn)陣常數(shù) a 是 2（ 2）1/、硬度和熔點(diǎn)。 bcc晶胞，八面體間隙 6個，四面體間隙 12 個。 錯誤 。 ，螺旋型位錯的柏氏矢量與位錯線垂直。 正確 2。 ，分裂成的能帶寬度越大。 。 60．兩原子處于平衡間距時，鍵能最大，能量最高。 正確 ，八面體間隙中心的坐標(biāo)是 1/2,1/2,1/2。 錯誤 76．費(fèi)米能級是對金屬中自由電子能級填充狀態(tài)的描述。 錯誤 ，二元合金中最大平衡相數(shù)為 3。 正確 斥力的合力最小的位置。 bcc 小。 。 錯誤 液體冷卻至共晶溫度時，如剩余的液相具有共晶成分就發(fā)生共晶反應(yīng)。 錯誤 ?！?用來制造某些有形物體的基 本物質(zhì)。1s22s22p63s1 11．按照方框圖， N 原子中 5 個價電子的填充方式為2s2p 12． Cu原子的價電子數(shù)是 ___3___個。 √ 。√ 15．氫鍵具有方向性，但無飽和性?！獭?。（ A）√，（ B），（ C），（ D） A1．當(dāng)中心原子的雜化軌道為 sp3dx2 時，其配位原子的空間排列為（ A）四方錐形（ B）三方雙錐形（ C）八面體形 軌道雜 化形成雜化軌道后，其軌道數(shù)目、空間分布和能級狀態(tài)均發(fā)生改變。 （ A）√，（ B），（ C），（ D） ，僅取決于原子間距，間距小，帶寬大。 √ （晶格）常數(shù)通常是指 ____。 （ A） ，（ B） ，（ C） ，（ D） 結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是 ___。 （ A） 21/2a/2，（ B） 21/2a/4，（ C） 31/2a/4，（ D） 31/2a/2C11.以原子半徑 R 為單位， bcc 晶體的點(diǎn)陣常數(shù) a是 ___。 √ 。 ，指數(shù)為（ 111）的晶面是 ____。 (A)平行，（ B）垂直，（ C）既不平行也不垂直，（ D） 通常用晶面在晶軸上截距的互質(zhì)整數(shù)比來表示。 (A)簡單立方， (B)體心立方， (C)密排六方， (D)心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是 ____。 （ A） 4，（ B） 3，（ C） 2，（ D） 體間隙數(shù)為 ____。