計(jì)算機(jī)電路基礎(chǔ)課件-第二章-免費(fèi)閱讀
【正文】 uGS＞ UGS(th) ， uDS較大， iD取決于 uGS。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（ MetalOxidesemiconductor) 電路符號(hào) g d s MOS場(chǎng)效應(yīng)管 uGS= 0 時(shí)，漏源之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的 PN結(jié)，無(wú)論漏源之間加何種極性的電壓，都不能導(dǎo)電。 半導(dǎo)體二極管 二極管符號(hào)及主要參數(shù) 二極管主要參數(shù)： IF U（ BR） A陽(yáng)極 K陰極 IN4148 IN4007 半導(dǎo)體二極管 二極管應(yīng)用舉例 二極管的伏安特性是一個(gè)非線性的曲線，在電路計(jì)算中，導(dǎo)通時(shí)管壓降近似估算為： UD≈（硅） UD≈（鍺） p42 或視為一個(gè)理想開(kāi)關(guān)，即導(dǎo)通時(shí)視為“短路”，截止時(shí)視為“開(kāi)路”。 將一塊半導(dǎo)體的一側(cè)摻雜成 P型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成 N型半導(dǎo)體，在兩種半導(dǎo)體的交界面處將形成一個(gè)特殊的薄層： PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體基本知識(shí) 3. PN結(jié)的形成 ① 多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū) 由于濃度差，電子和空穴擴(kuò)散的結(jié)果，在交界面處出現(xiàn)由數(shù)量相等的正負(fù)離子組成的空間電荷區(qū)（ PN結(jié)），并產(chǎn)生由 N區(qū)指向 P區(qū)的內(nèi)電場(chǎng) EIN。 每個(gè)磷原子都提供一個(gè)自由電子，自由電子數(shù)目大大增加，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)空穴數(shù)。 可運(yùn)動(dòng)的帶電粒子 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體基本知識(shí) ──電子和空穴 本征半導(dǎo)體（純凈的半導(dǎo)體晶體） 熱激發(fā)產(chǎn)生自由電子和空穴 室溫下，由于熱運(yùn)動(dòng)少數(shù)價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子，同時(shí)在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位這個(gè)空位稱為“空穴”。失去價(jià)電子的原子成為正離子，就好象空穴帶正電荷一樣。這種半導(dǎo)體主要依靠電子導(dǎo)電，稱為電子型或 N型半導(dǎo)體。 ② 內(nèi)電場(chǎng) EIN阻止多子擴(kuò)散，促使少子漂移。 p44 半導(dǎo)體三極管 NPN型和 PNP型三極管的結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號(hào) 半導(dǎo)體三極管 NPN型和 PNP型三極管的結(jié)構(gòu)示意圖及電路符號(hào) C 集電極 B E 發(fā)射極 P 集電
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