中文--離散的瞬態(tài)傳熱熱源在水中垂直矩形通道冷卻-免費閱讀
【正文】 由 適當(dāng)?shù)膬r值的指數(shù) n， 得到了一個獨特的價值 。 26 人同一圖繪制 ， 表 示吻合較好 ， 5%的偏差奴塞爾數(shù) 與本文研究 有 價值。 在 等溫條件 下 ， 分析了電子芯片的熱行為 ,瞬態(tài)傳熱采取的 75 年代加熱功率。 。 這樣的類似的電壓互感器的四個芯片被用于實驗設(shè)備 。剩下的晶片號碼順序分配到 4 個 通道 ?？岛蚃aluria 進(jìn)行了詳細(xì)的傳熱實 驗研究 ， 孤立的凸模組 在 垂直和水平 位 置 ,混合對流 ， 研究了穩(wěn)態(tài)條件下的強(qiáng)制對流 ， 觀察到傳熱 分離凸熱源和 熱傳遞 對 凸芯片的影響較小 。本文采用 瞬態(tài)層流的強(qiáng)制對流 在導(dǎo)管應(yīng)用均勻 的 平行板通道 中 的壁熱流密度。近年來 ,電子系 統(tǒng) 瞬態(tài)問題變得更加重要 ,因為它是 與 設(shè)計電子系統(tǒng)的性能和包裝熱量消散組件 相關(guān)的 。最后 ,一般 影響突出物的熱源 (B = 2 毫米 )在傳熱 狀態(tài)下對 研究 出 的四個芯片的計算結(jié)果 進(jìn)行 比較 。中文 2770 字 畢業(yè)設(shè)計外文資料翻譯 專 業(yè)： 電氣工程及其自動化 姓 名： 學(xué) 號： 外文出處： Journal of Electronic Packaging Copyright 169。 介紹 電子芯片冷卻負(fù)荷增加 ,在兩個芯片模塊的作用 下 ,良好的傳熱和熱設(shè)計比以往任何時候都更為重要。 流體流動和熱流密度隨時間改變 ,導(dǎo)致溫度的變化 。楊 、 朱研究分析 了 二維 鏈 瞬態(tài)層流 在傾斜平行板通道 的 自然對流 。然而 ,研究表明 ,所有這些 涉及到穩(wěn)態(tài)條件 ,很難有 涉及 任何瞬態(tài)傳熱離散熱源 垂直通道的流動 的 研究 。 對于 20 毫米和 5毫米寬的高度 ， 雖然大多數(shù)的長 120 毫米 通 道是用有機(jī)玻璃 ,多芯片組件加工高 溫度 導(dǎo)熱系數(shù)低 W / m?K 的矩形風(fēng)管。 測試程序 執(zhí)行實驗之前 ， 兩個 鎳鉻合金 熱電偶的都是嵌入式芯片 ， 沿流向中心線在深度 毫米 上的 晶片 間隔都為 2毫米 ,除了 邊 緣 上游和下游的芯片。然后采用瞬變試驗操作。 天文數(shù)據(jù)歸算的屏壁防護(hù) 和 所有的物理性質(zhì)的大部分評估流體溫度在這里定義為 Tb =（ Twall + Tin） /2 (1) 芯片 和液體 溫度差 T = Twall ? Tin . (2) 基于的奴塞爾數(shù) 長度 Nu=hl/k=ql/kA(Twall ? Tin) (3) 基于熱源長度 的 雷諾數(shù) Rel=Ul/v. (4) 基于熱源長度 的 Peclet 數(shù)量 被定義為 Pel=Rel*Pr (5) ) 傅里葉數(shù)其定義 Fo=at/Hc2 (6) Biot被定義為 Bi=hHc/kc (7) 估計的不確定性 ： 液體冷卻熱量損失模擬芯片被發(fā)現(xiàn)是可以忽略的。這是為了保證試驗 處于良好的工作狀態(tài)。通過 相關(guān)方程 ，可 得 加熱器 籌碼以及全面的數(shù)據(jù) 。安裝和突出的芯片為沖刷的影響 、 熱通量、冷卻劑流量率和 芯片編號進(jìn)行了研究。 確保試驗夾具條件下 ， 得到了與穩(wěn)態(tài)結(jié)果。C 確保沒有相變 流體通道。研究發(fā)現(xiàn) ,過去 3分鐘的變化是芯片壁面溫度小于 176。電阻式加熱器 是通過并聯(lián) 電壓互感器 被連接到每個芯片 并受到 控制。 芯片 1是指加熱器的上游渠道。 加利梅拉 和 愛貝克 對數(shù)組的浸泡冷卻在不同介質(zhì)的矩形突出物的液體 進(jìn)行實驗 ,以雷諾數(shù)、通道高度、間距和 流向 為 影響 對流傳熱系數(shù)與水在線數(shù)組 的 突出的 元素 。席格和 穆特 在 位置 和 時間 上， 研究 了 二維層流 傳熱數(shù)值模擬在橫向平行板渠道和墻加熱的非恒定流 。它觀察到的平均奴塞爾數(shù) 為離散加熱
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