光伏清洗設(shè)備培訓(xùn)詳解-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 在菜單欄“ Parameter Parameter2”，檢查第一次充填的體積在菜單欄“ Manual Etch Bath”下的“ Set volume firstfill”。 按下按鈕“ PT filling chem”， DI water 被充進(jìn)儲(chǔ)備槽（ tank），然后自動(dòng)添加化學(xué)品。未完成填充的剩余化學(xué)品數(shù)量會(huì)顯示在“ Remaining Volume”。 等待溶液溫度降到設(shè)定的工藝溫度范圍，刻蝕槽的狀態(tài)在屏幕上將變?yōu)椤?ready”。 填充堿槽 NaOH bath，按下按鈕“ fill chem.”， DI water 首先被加入進(jìn)去，然后加入NaOH。 清洗槽（ rinse1 和 rinse2） 選取菜單為“ manual rinse1”或 “ manual rinse2” 選擇 “ mode man” ，通過(guò)按鈕選擇手動(dòng)模式。 切換到自動(dòng)模式“ mode auto”開(kāi)始生產(chǎn)。 二次循環(huán)在填充過(guò)程內(nèi)就開(kāi)始了。 選取菜單為“ Manual etch bath”。 切換到自動(dòng)模式“ mode auto”開(kāi)始生產(chǎn)。為測(cè)量刻蝕深度，必須在制絨刻蝕前后分別測(cè)量硅片的重量，并將數(shù)據(jù)記錄在 Excel 文檔中。最佳刻蝕率范圍約為 ~ /min，傳送帶速為 ~。固定的比率 HF/HNO3= 相當(dāng)于 7L 的 HF 和 8L 的 HNO3。切換選單“ replenish rep. etch”，補(bǔ)充水 量為 5L/次，直到刻蝕率低于 。固定的比率 H2O/KOH=10/1，相當(dāng)于 的 H2O 和 的 KOH。 Figure 11: Replenish Rep. etch: Replenishment of etch solution Figure 12: Replenish Rep. Alkaline: Replenishment of KOH 8. 啟動(dòng)設(shè)備 打開(kāi)總電源開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)位于灰色的電氣箱上； 打開(kāi)機(jī)器上的顯示器； 登陸程序，“ login”位于窗口的右上角，填入相應(yīng)的帳號(hào)和密碼，點(diǎn)擊登陸； 注意到，選擇“ Mode Off”，則所有可操作的單位被顯示為“ Off”。轉(zhuǎn)向手動(dòng)模式“ mode man”，選取菜單“ manual etch bath”然后點(diǎn)擊“ drain bath”； 等待 etch bath 直到所有溶液排至 tank，屏幕顯示“ empty”； 按下位于屏幕右邊的“ mode off”，變?yōu)殡x線模式； 檢查一下所有推拉門(mén)窗的位置，使之能夠正確的上鎖； 按下右上角的“ Logoff”，門(mén)窗將被鎖上，同時(shí)跳出一個(gè)窗口； 如果門(mén)窗位置沒(méi)有調(diào)整好，會(huì)有 alert 警報(bào)出現(xiàn)，再次登陸，調(diào)整好門(mén)窗位置并再次登出即可； 關(guān)閉設(shè)備上的 windows 程序即關(guān)閉顯示器； 關(guān)閉位于灰色電氣箱上的開(kāi)關(guān)。 請(qǐng)各位工藝員在當(dāng)班時(shí)所做的任何參數(shù)更改或手動(dòng)加液情況，記錄在 Excel工作表上，便于跟蹤制絨槽實(shí)際穩(wěn)定情況。 因此 RENA 的工藝工程師建議我們?nèi)∠褂免g化片的做法而改為下面的方法： 在新更換了制絨槽溶液以后（初始溶液配比已經(jīng)在菜單中有所改動(dòng)，比原來(lái)的配比略低），初始溫度設(shè)為 10 度，傳送速度設(shè)為 。生產(chǎn)部門(mén)應(yīng)保證每小時(shí)測(cè)量 5 片測(cè)試片并詳細(xì)記錄在Excel 記錄表上，有任何工藝異常情況再請(qǐng)工藝員處理。 若堿槽后面的過(guò)濾器上有結(jié)晶物，則需定期進(jìn)行清理并經(jīng)常沖洗堿槽。 用戶(hù)名： SERVICE 密碼： PLU007
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