20xx年醫(yī)學(xué)專題—放射性核素的吸附現(xiàn)象-預(yù)覽頁
【正文】 2,16,第十六頁，共八十七頁。晶格中第一組分的離子被第二組分離子取代。,2. 第Ⅱ類混晶（植入同晶現(xiàn)象）。 3.空間充滿的混晶（空間充滿同晶現(xiàn)象）。,19,第十九頁，共八十七頁。 5. 反?；炀А?20,第二十頁，共八十七頁。 區(qū)別真共沉淀和吸附共沉淀的標(biāo)志是，在真共沉淀時，微量組分的分配系數(shù)是常值，而吸附共沉淀時，沉淀——溶液間很快建立平衡，而真沉淀時，建立平衡較慢；表面電荷對吸附共沉淀有影響，而對真共沉淀沒有影響。)原則。,（4.1),x－微量組分在晶體中的量；x0－微量組分在體系中的總量； mT－晶體質(zhì)量； mP－溶液(r243。,方程（4.1）與能斯特方程一致，因為 VT和VP－固相和溶液的體積；cT和cP－微量組分(zǔf232。,如果常量組分和微量組分在溶液中活度系數(shù)不為1，那么微量組分在溶液和固相間的熱力學(xué)結(jié)論也必須十分嚴(yán)格。)固相和溶液相中的組分 平衡時，μAT＝ μAP μBT＝ μBP,25,第二十五頁，共八十七頁。,26,第二十六頁，共八十七頁。 平衡常數(shù) K＝ aBT aAP/（ aAT aBP) （4.7a) 由于純固相的熱力學(xué)活度aT＝1，故對于純組分A、B的飽和溶液： μ 0AT ＝μAH ＝ μ0AP +RTln aAH （4.8a） μ 0BT ＝μBH ＝ μ0BP +RTln aBH （4.8b）,27,第二十七頁，共八十七頁。,如v可離解成v＋和v－兩種離子 ai＝ ai v＋＋ ai v－＝ ai177。由(4.5)(4.7)得 mAH 組分A在飽和液體溶液中的摩爾濃度。此外(cǐw224。ng)（4.11)可寫成 （4.15),D=xBmAH/(xAmB) （4.16) D－A、B體系(tǐx236。對于理想溶液，α＝1，因此D=K，即僅與溫度有關(guān)。,由式4.14和4.17得： D0=D(γAH / γB） 即A、B兩組分的熱力學(xué)平衡分配與體系中的結(jié)晶系數(shù)(x236。)有關(guān)。ng)分配過程的影響,1 溫度的影響 由共沉淀時的熱力學(xué)平衡分配（參見4.15）得： (4.21) 含微量組分的稀固體溶液中，常量組分A的摩爾份數(shù)接近(jiēj236。ng)由（4.3)(4.4)(4.7)求得： μ0BP－ μ0BT 一摩爾組分B溶于mB＝1的該物質(zhì)組分溶液中化學(xué)勢變化。)組分B在實際固體溶液中的化學(xué)勢μ‵和在理想固體的化學(xué)勢μ〞的表達(dá)式,可得fB與溫度的函數(shù):,4.25,37,第三十七頁，共八十七頁。 ěr)組分B在理想固體溶液中的溶解熱。,39,第三十九頁，共八十七頁。如果改變液相組成時，由于絡(luò)合形成不離解的化合物或其他原因，導(dǎo)致常量組分的熱力學(xué)活度發(fā)生不同的變化則Kx、D發(fā)生相應(yīng)的變化。當(dāng)濃度增加時， Kx下降；濃度降低時， Kx增加； 如果向溶液加入(jiār249。,在Ba(NO3)2Ra(NO3)2H2O中，加入BaCl2，Kx降低(ji224。,44,第四十四頁，共八十七頁。,絡(luò)合物的存在，對結(jié)晶系數(shù)有顯著影響。ngsh249。j249。ng)（4.10)(4.13)(4.20)得：,對于(du236。,從該方程(fāngch233。,（4.32),49,第四十九頁，共八十七頁。,4 第二個微量組分的影響 如果溶液中存在兩個互不作用的微量組分，并且當(dāng)它們植入常量(ch225。這種情況下，生成固體溶液的焓不變，,52,第五十二頁，共八十七頁。這就是吸附共沉淀現(xiàn)象。,溶液中放射性同位素的吸附，在放射化學(xué)中起重要作用。 許多情況下，離子的吸附遵循弗雷德里希（Freundlich）方程 x＝Kc1/n （4.31) 和朗格米爾方程(Langmuir）方程 x＝Kcx∞/(1+Kc） （4.32) x 、x∞－溶液離子濃度為c時和吸附飽和時的吸附量。ngy232。,法斯特1913年將吸附率與放射性同位素陽離子同沉淀陰離子形成的化合物溶解度關(guān)聯(lián)起來。,但該規(guī)則有許多局限性。ng)了沉淀表面電荷對溶液離子吸附的影響。zǐ)生成的化合物溶解或者離解越少，吸附越強(qiáng)烈。j236。d249。,59,第五十九頁，共八十七頁。粒子越小，越易吸附。)不被吸附。,61,第六十一頁，共八十七頁。溶液組成影響這些過程，隨溶液組成的變化，S、A層電荷也在發(fā)生變化。n)吸附。,常量組分和微量組分從溶液向晶體近表層S的遷移，叫做電位形成吸附。 雙電層和外殼層還銜接有離子擴(kuò)散層。n)吸附,當(dāng)溶液中存在晶體表面離子的同位素或同晶離子時，在溶液和沉淀表面間發(fā)生離子交換。,65,第六十五頁，共八十七頁。 s01克吸附劑表面積。,66,第六十六頁，共八十七頁。,67,第六十七頁，共八十七頁。i)。 Pn，則,4.2.4 二級交換(jiāohu224。n)后得 （4.41) （4.42),69,第六十九頁，共八十七頁。,ThB2＋在溴化鉈上的吸附(xīf249。,吸附是一種快速過程。)中的濃度，微量組分很難滲透到固體內(nèi)部 x－x∞＝K1e－α1t ＋ K2e－α2t （4.50) 即對數(shù)坐標(biāo)為一曲線，理想狀態(tài)下為兩條直線,4.2.5 吸附(xīf249。 內(nèi)吸附的性質(zhì)與同結(jié)晶共沉淀不同：內(nèi)吸附建立平衡的時間短。)間分配的結(jié)晶系數(shù)的影響：,4.2.6 內(nèi)吸附(xīf249。放射性核素的物理化學(xué)狀態(tài)與他們的氧化態(tài)以及物理、化學(xué)性質(zhì)有密切關(guān)系。,4.3 放射性膠體(jiāo tǐ)和放射性氣溶膠 4.3.1 概述,76,第七十六頁，共八十七頁。,77,第七十七頁，共八十七頁。,4.3.2 放射性同位素在溶液(r243?？稍谠S多情況下，當(dāng)放射性元素濃度(n243。,戈德列夫斯基認(rèn)為：放射性衰變子體產(chǎn)物具有電荷，這些(zh232。 實驗結(jié)果證實放射性溶液中存在真膠體和假膠體。第Ⅲ族和第Ⅵ族元素在PH＝4～5時，生成膠體；而第V族元素在PH1～2時生成膠體。由于一些化合元素(yu225。,82,第八十二頁，共八十七頁。)中添加該類物質(zhì)，會破壞已形成的膠體。,2.4 雜質(zhì)離子污染溶液(r243。,2.5 溶液的影響 研究放射性膠體的形成主要是水溶液中進(jìn)行的,對其他(q237。,85,第八十五頁，共八十七頁。 氣溶膠粒子和放射性原子在氣體介質(zhì)中的狀態(tài)如同液體中一樣，也具有電荷，所以在直流電場中會沉積。ng)總結(jié),第四章 放射性核素的低濃物理化學(xué)。i)。和朗格米爾方程(Langmuir）方
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