【正文】 未結束，將重復這一過程。 DS1820 內部對此計算的結果可提供 ℃的分辨力。如用于華氏溫度，必須要用一個轉換因子查找表。然后讀取計數器中剩余的值，這個值是門周期結束后保留下來的值（ COUNT_REMAIN）。 TH 或 TL 的最高有效位直接對應 16 位溫度寄存器的符號位。這樣就允許許多 DS1820 并聯在一起同時測溫，如果某個地方的溫度超 過了限定值，報警的器件就會被立即識別出來并讀取，而不用讀未報警的器件。最后 8 位是以上 56 位的CRC 碼。單線總線控制器必須得天獨厚提供 5 個 ROM 操作命令其中之一： 1） Read ROM， 2） Match ROM，3） Search Rom， 4） Skip ROM， 5） Alarm Search。 CRC 計算等式如下： DS1820 同樣用上面的公式產生一個 8 位 CRC 值，把這個值提供給總線控制器用來校驗傳輸的數據。單線 CRC 可以用一個由移位寄存器和 XOR 門構成的多項式發(fā)生器來產生，見圖 7。 存儲器 DS1820 的存儲器結構示于圖 8。數據經過校驗后，用一個拷貝暫存器命令會把數據傳到非易性（ E2） RAM 中。第三和第四字節(jié)是 TH 和 TL 的拷貝，是易失性的，每次上電復位時被刷新。這個字節(jié)是以上八個字節(jié)的 CRC 碼。關于這種總線分三個題目討論：硬件結構、執(zhí)行序列和單線信號（信號類型和時序）。一個多點總線由一個單線總線和多個掛于其上的從機構成。在恢復期間，如果單線總線處于非活動（高電平）狀態(tài)，位與位間的恢復時間可以無限長。 主要性能參數： 178。全靜態(tài)操作： 0Hz－ 24MHz 178。 32個可編程 I／ O口線 178。低功耗空閑和掉電模式 功能特性概述： 4k 字節(jié) Flash 閃速存儲器， 128字節(jié)內部 RAM， 32 個 I／ O 口線，兩個 16位定時計數器，一個 5向量兩級中斷結構，一個全雙工串行通信口，片內振蕩器及時鐘電路。 引腳功能說明 178。 11 作為輸出口用時，每位能吸收電流的方式驅動 8個 TTL邏輯門電路，對端口寫“ 1”可作為高阻抗輸入端用。 P1 口： P1 是一個帶內部上拉電阻的 8位雙向 I／ O口， P1 的輸出緩沖級可驅動（吸收或輸出電流） 4 個 TTL 邏輯 門電路。 178。在訪問 8 位地址的外部數據存儲器（如執(zhí)行MOVXRI 指令）時， P2 口線上的內容（也即特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中 R2 寄存器的內容），在整個訪問期間不改變。 P3 口輸出緩沖級可驅動（吸收或輸出電流） 4 個 TTL 邏輯門電路。 178。 ALE／ PROG： 當訪問外部程序存儲器或數據存儲器時， ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。 如有必要，可通過對特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH單元的 DO 位置位，可禁止 ALE 操作。 PSEN：程序儲存允許（ PSEN）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當 AT89C51 由外部程序存儲器取指令（或數據）時，每個機器周期兩次 PSEN有效，即輸出兩個脈沖。欲使 CPU僅訪問外部程序存儲器（地址為 0000H— FFFFH），EA端必須保持低電平（接地）。 178。 178。對外接電容 C C2雖然沒有十分嚴格的要求，但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用 30pF177。采用外部時鐘的電路如圖 5右圖所示。 4 顯示器 12864 液晶是一種具有 4 位 /8 位并行、 2 線或 3 線串行多種接口方式，內部含有國標一級、二級簡體中文字庫的點陣圖形液晶顯示模塊；其顯示分辨率為 128179。 16 點陣的漢字 . 也可完成圖形顯示 .低電壓低功耗是其又一顯著特點。 64點 內置漢字字庫，提供 8192個 16179。 *注釋 3：如背光和模塊共用一個電源，可以將模塊上的 JA、 JK 用焊錫短接。 模塊主要硬件構成說明 控制器接口信號說明： RS， R/W 的配合選擇決定控制界面的 4 種模式： RS R/W 功能說明 L L MPU 寫指令到指令暫存器（ IR） L H 讀出忙標志（ BF）及地址記數器（ AC）的狀態(tài) H L MPU 寫入數據到數據暫存器（ DR） H H MPU 從數據暫存器（ DR）中讀出數據 E信號 16 E狀態(tài) 執(zhí)行動作 結果 高 —— 低 I/O 緩沖 —— DR 配合 /W進行寫數據或指令 高 DR—— I/O 緩沖 配合 R進行讀數據或指令 低 /低 —— 高 無動作 ● 忙標志 :BF BF標志提供內部工作情況 .BF=1表示模塊在進行內部操作 ,此時模塊不接受外部指令和數據 .BF=0時 ,模塊為準備狀態(tài) ,隨時可接受外部指令和數據 . 利用 STATUS RD 指令 ,可以將 BF讀到 DB7總線 ,從而檢驗模塊之工作狀態(tài) . ● 字型產生 ROM（ CGROM） 字型產生 ROM（ CGROM）提供 8192個此觸發(fā)器是用于模塊屏幕顯示開和關的控制。 2個位元組的 空間，最多可控制 4行 16字（ 64個字）的中文字型顯示，當寫入顯示數據 RAM時，可分別顯示 CGROM與 CGRAM的字型；此模塊可顯示三種字型，分別是半角英數字型 (16*8)、 CGRAM字型及 CGROM的中文字型，三種字型的選擇，由在 DDRAM中寫入的編碼選擇，在 0000H— 0006H的編碼中（其代碼分別是 0000、 000 000 0006共 4個）將選擇 CGRAM的自定義字型， 02H— 7FH的編碼中將選擇半角英數字的字型，至于 A1以上的編碼將自動的結合下一個位元組，組成兩個位元組的編碼形成中文字型的編碼 BIG5（ A140— D75F）， GB（ A1A0F7FFH）。 ● 光標 /閃爍控制電路 此模塊提供硬體光標及閃爍控制電路，由地址計數器的值來指定 DDRAM 中的光標或閃爍位置。 應用舉例： 1 、使用前的準備 先給模塊加上工作電壓，再按照下圖的連接方法調節(jié) LCD 的對比度，使其顯示出黑色的底影。8 點陣全高 ASCII 碼字符，即每屏最多可實現 32 個中文字符或 64 個 ASCII 碼字符的顯示。根據寫入內容的不同，可分別在液晶屏上顯示 CGROM（中文字庫）、 HCGROM（ ASCII 碼字庫）及 CGRAM（自定義字形）的內容。 80H 81H 82H 83H 84H 85H 86H 87H 90H 91H 92H 93H 94H 95H 96H 97H 88H 89H 8AH 8BH 8CH 8DH 8EH 8FH 98H 99H 9AH 9BH 9CH 9DH 9EH 9FH 5 系統總原理圖 19 1．測溫部分 2. 單片機最小系統 20 3. 液晶顯示驅動電路 21 4. 按鍵電路 5. 電源指示電路 6 驅動程序 1. 引腳定義 sbit DQ = P1^0。 //溫度 3 傳送數據 IO 口 //**************************************** //12864 液晶顯示部分子程序模塊 //**************************************** sbit rs = P2^6。 /*光標的移動方向 */ wr_i_lcd(0x0c)。 rs=1。 。 rw=0。 e=0。 e =1。 if(y==2) wr_i_lcd(0x90|x)。\039。 //開啟溫度 0采集程序 24 temp_to_str()。 //液晶字符顯示位置 print(TempBuffer)。 //掃描延時 } 3. ds18b20 驅動程序 //**************************************** //ds18b20 子程序模塊 //**************************************** /***********ds18b20 延遲子函數（晶振 12MHz ） *******/ void delay_18B20(unsigned int i) { while(i)。 //稍做延時 DQ = 0。 x=DQ。 for (i=8。 DQ = 1。 } /*************ds18b20 寫一個字節(jié) ****************/ void WriteOneChar(uchar dat) { uchar i=0。 DQ = datamp。 dat=1。 Init_DS18B20()。 // this message is wery important Init_DS18B20()。 a=ReadOneChar()。 if(t) { TempBuffer[0]=39。 temp_value=b4。 temp1_value=~aamp。0xf0)4。:39。139。 39。039。039。039。 for(。i++) //1ms 延時 . 27 {。 //DS18B20 初始化 Init_DS18B20_1( ) 。 print(本設計由劉振永老 )。 //液晶 顯示數據 show_temp1()。 gotoxy(2,0)。 clrram_lcd ()。同時，在此次畢業(yè)設計過 程中我也學到了許多關于 電子設計 方面的知識，實驗技能有了很大的提高。