【正文】 間直流環(huán)節(jié)，故變頻效率高，但其連續(xù)可調(diào)的頻率范圍窄，一般為額定頻率的1/2以下，故它主要用于容量較大的低速拖動系統(tǒng)中。2．按電壓的調(diào)制方式分（1）PAM(脈幅調(diào)制) 變頻器輸出電壓的大小通過改變直流電壓的大小來進(jìn)行調(diào)制。3. 按直流環(huán)節(jié)的儲能方式分電流型 直流環(huán)節(jié)的儲能元件是電感線圈L 電壓型 直流環(huán)節(jié)的儲能元件是電容器C UVWRST RSTUVW LF CF 電流型與電壓型的儲能方式 a. 電流型 b. 電壓型 ﹡本設(shè)計(jì)使用三菱變頻器。低速旋轉(zhuǎn)時(shí)轉(zhuǎn)矩均勻。5) 具有過電流、過載、過電壓、欠電壓、接地過電流、輸出短路、失速防止等保護(hù)。模式的選用應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)過程的控制要求和生產(chǎn)作業(yè)的現(xiàn)場條件等因素來確定，達(dá)到既滿足控制要求，又能夠以人為本的目的。起動信號：端子信號 STF起動控制 變頻器控制的電動機(jī)起動除了應(yīng)遵循電動機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩大于負(fù)載轉(zhuǎn)矩這一原則外，還應(yīng)使電動機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩與負(fù)載轉(zhuǎn)矩交點(diǎn)的頻率小于變頻器設(shè)定的最大起動頻率。可以從0開始，而對于慣性較大或摩擦轉(zhuǎn)矩較大的負(fù)載，需要加大起動轉(zhuǎn)矩，也即應(yīng)使起動頻率加大至某一值，此時(shí)起動電流也較大。根據(jù)工程的需要，起動時(shí)常有以下幾種情況需要考慮：起動電流最小，或起動損耗最小，或起動時(shí)間最短。變頻器如進(jìn)行PID控制，需要對相關(guān)參數(shù)進(jìn)行設(shè)定。D參數(shù)為微分時(shí)間常數(shù)，該時(shí)間越大，反饋的微小變化就越會引起較大的響應(yīng)，微分作用一般使輸出響應(yīng)超前。當(dāng)設(shè)定自動再起動時(shí)，報(bào)警信號中的UVT和IPT 在瞬時(shí) 掉電發(fā)生時(shí)將不動作。， 再起動第一緩沖電壓。（2）對切換功能進(jìn)行預(yù)置“”。2）“18” 。5．變頻器發(fā)生故障后的工作過程1）當(dāng)變頻器發(fā)生故障時(shí)，“報(bào)警輸出”端A和C之間接通，繼電器KA0吸合（為了保護(hù)變頻器內(nèi)部的端點(diǎn)，KA0線圈兩端并聯(lián)了一個RC吸收電路）。參數(shù)設(shè)定與功能選擇參數(shù)號名稱設(shè)定值說明137起動等待時(shí)間設(shè)定值應(yīng)比信號輸入到變頻器時(shí)到KM1實(shí)際接通的時(shí)間稍微長點(diǎn)（~）185JOG端子變?yōu)镺N端子7接受外部熱繼電器的控制信號186CS端子功能選擇6自動再起動控制192IPF端子功能選擇17瞬時(shí)停電193OL端子功能選擇18過負(fù)荷194FU端子功能選擇19頻率檢測輸入端子的選擇參數(shù)號信號使用端子功能開關(guān)狀態(tài)STFSTF變頻運(yùn)行指令（對工頻運(yùn)行無效）ON：電動機(jī)正轉(zhuǎn)OFF：電動機(jī)停止186CS用于功能端子定義變頻運(yùn)行和工頻運(yùn)行的切換ON：變頻運(yùn)行OFF：工頻電源運(yùn)行RESRES運(yùn)行狀態(tài)初始化ON：初始化OFF：正常運(yùn)行輸出端子的選擇參數(shù)號信號出廠設(shè)定功能設(shè)定范圍192IPF2瞬時(shí)掉電/低電壓0~199，9999193OL3過負(fù)荷報(bào)警0~199，9999194FU4頻率檢測0~199，9999195A、B、C 99報(bào)警輸出0~199，9999【5】變頻器接線圖 軟起動部分【1】三相異步電動機(jī)的起動方法三相籠型異步電動機(jī)有直接起動與減壓起動兩種起動方法.直接起動，也叫全壓起動。直接起動的起動線路是最簡單的。另外過大的起動電流，會使線路壓降增大，造成電網(wǎng)電壓的顯著下降，從而影響同一電網(wǎng)的其他設(shè)備的正常工作，有時(shí)甚至使它們停下來或無法帶負(fù)載起動。且易受電網(wǎng)電壓波動的影響。二是周波控制，即把晶閘管作為靜止接觸器，交替的接通與切斷幾個周波的電源電壓，用改變接通時(shí)間與切斷時(shí)間之比來控制輸出電壓的有效值，從而達(dá)到調(diào)壓的目的。為了保證在電路起始工作時(shí)有兩個晶閘管同時(shí)導(dǎo)通，以及在感性負(fù)載反向晶問管導(dǎo)通。單相交流調(diào)壓電路是三相交流調(diào)壓電路的基礎(chǔ)，這里就用單相交流調(diào)壓電路為例進(jìn)行討論電阻負(fù)載.（1）電阻負(fù)載圖 3. 2為 電阻負(fù)載的單相交流調(diào)壓電路圖。在穩(wěn)態(tài)情況下，應(yīng)使正負(fù)半周的相等。隨著的增大，逐漸降低，直到時(shí)，．此外時(shí)，功率因數(shù)，隨著的增大，輸入電流滯后于電壓并且發(fā)生畸變，也逐漸降低。為了方便，把的時(shí)刻仍定在電源電壓過零時(shí)刻。其情況與一樣，相控不起任何調(diào)壓作用，甚至在晶閘管觸發(fā)脈沖不夠?qū)挼那闆r下，出現(xiàn)只有一個方向上的晶閘管工作，負(fù)載上出現(xiàn)直流分量，在使用相控晶閘管電路時(shí)采用寬脈沖觸發(fā)，移相范圍限制在.，主電路的每相由反并聯(lián)的兩個晶閘管構(gòu)成。是晶閘管的觸發(fā)角，是負(fù)載的功率因數(shù)角(也叫晶閘管的續(xù)流角)，是晶閘管的導(dǎo)通角。對于恒定的負(fù)載而言，功率因數(shù)角是常量，導(dǎo)通角僅僅與觸發(fā)角有關(guān)。在電機(jī)起動過程中，隨著轉(zhuǎn)速逐漸變大，改變晶閘管觸發(fā)角的同時(shí)也要兼顧功率因數(shù)角的變化情況。(1)自由停車(2)軟停車(3)能耗制動【3】軟起動器接線圖 控制電路設(shè)計(jì)控制電路主要是模擬量輸入﹑輸出控制以及PLC控制部分的設(shè)計(jì)。對于控制要求比較高的場合，一般都采用閉環(huán)控制方式。其一是接地問題，這里包括PLC接地端的接地?！?】模擬量輸入部分硬件選擇本設(shè)計(jì)主要是氣體壓力信號的采集。PLC部分，由CPU226（24點(diǎn)開關(guān)量輸入/16開關(guān)量輸出，提供給擴(kuò)展單元DC5V電流能力為1000MA）主機(jī)，EM232模擬量輸出模塊（2模擬量輸出，消耗DC5V電流為10MA）一塊，組成硬件系統(tǒng)。6個獨(dú)立的30kHz高速計(jì)數(shù)器，2路獨(dú)立的20kHz高速脈沖輸出，具有PID控制器。可完全適應(yīng)于一些復(fù)雜的中小型控制系統(tǒng)。S7200以其高可靠性、指令豐富、內(nèi)置功能豐富、強(qiáng)勁的通訊能力、較高的性價(jià)比等特點(diǎn)，在工業(yè)控制領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用。 可編程控制器與計(jì)算機(jī)之間的通訊一般是通過RS422口或RS232C口進(jìn)行的，信息交換的方式為字符串方式，運(yùn)用RS232C或RS422通道，容易配置一個與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通信的系統(tǒng)，將所有軟元件的數(shù)據(jù)和狀態(tài)用可編程控制器送入計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)采集這些數(shù)據(jù)，進(jìn)行分析及運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測。在自由口模式下，可由用戶控制串行通訊接口，實(shí)現(xiàn)用戶自定義的通訊協(xié)議。 　　S7200的自由口通訊方式，使用戶可以通過PLC指令自己定義通訊協(xié)議，從而與任何公開通訊協(xié)議的RS422或RS232C接口設(shè)備進(jìn)行通訊，使通訊范圍大為增加，控制系統(tǒng)配制更加靈活。使用繼電器接點(diǎn)時(shí)，可能會因?yàn)榻佑|不良帶來誤動作；而使用晶體管時(shí)應(yīng)考慮晶體管的電壓、電流和容量等因素，可保證系統(tǒng)工作的可靠性。模擬輸入則通過接線端子由外部給定，通常是0～10V/5V的電壓信號或0/4～20mA的電流信號輸入。2）當(dāng)電源條件不太好時(shí)，應(yīng)在PLC的電源模塊以及輸入/輸出模塊的電源線上接入噪聲濾波器和降低噪音用的變壓器。傳統(tǒng)的測量力的方法是利用彈性元件的變和位移來表示的，其特點(diǎn)是成本低，不需要電源，但體積大，笨重，輸出為非電量。而且半導(dǎo)體壓力傳感器正向集成化和智能化方向發(fā)展。15V DC輸出信號4~20mA /1~5V /0~5V 精 度177。%FS/℃年穩(wěn)定性 %絕緣電阻≥500MΩ（250V DC ）環(huán)境溫度20～85℃介質(zhì)溫度40~85/ 125/ 150/ 200/ 300℃可選相對濕度0～90% RH過載能力150%FS連接方式M20 \ 1/2NPT \ 1/4NPT接液材料膜片174PH過程連接件1Cr18Ni9Ti引線方式電纜引出 / 航空插頭 / 赫思曼插頭重 量220 g防爆等級本安防爆ExiaIICT6【3】 技術(shù)特點(diǎn)● 高溫、高壓、高精度、高穩(wěn)定性 ；● 抗振動、沖擊、耐腐蝕全不銹鋼結(jié)構(gòu)； ● 外部可直接調(diào)整零點(diǎn)和靈敏度；● 高穩(wěn)定性，%。它的主要參數(shù)是額定電壓﹑額定電流和允許切斷的極限電流。接觸器由主電路電流種類來決定選擇直流接觸器還是交流接觸器。根據(jù)接觸器所控制負(fù)載的工作任務(wù)來選擇相應(yīng)使用類別的接觸器．如負(fù)載是一般任務(wù)則選用AC3類別；負(fù)載為重任務(wù)則應(yīng)選用AC4類別；如果負(fù)載為一般任務(wù)與重任務(wù)混合時(shí)，則可根據(jù)實(shí)際情況選用AC3或AC4類接觸器，如選用AC3類別時(shí)，應(yīng)降級使用。接觸器吸引線圈的額定電壓應(yīng)由所控制電路電壓確定。2）額定工作電流與額定工作電壓的選用　繼電器在對應(yīng)使用類別下，繼電器的最高工作電壓為繼電器的額定絕緣電壓，繼電器的最高工作電流應(yīng)小于繼電器的額定發(fā)熱電流。一般采用增加銜鐵西和后的氣隙﹑減小銜鐵打開后的氣隙或適當(dāng)放松釋放談行等措施來達(dá)到增大返回系數(shù)的目的。*本設(shè)計(jì)選用J2722。斷電延時(shí)型當(dāng)接受輸入信號后，瞬時(shí)產(chǎn)生相應(yīng)的輸出信號，當(dāng)輸入信號消失后，延遲一段時(shí)間，輸出信號才還原。但對于過載能力較差的電動機(jī)，其配用的熱繼電器的額定電流應(yīng)適當(dāng)小些，通常選用熱繼電器的額定電流（選取熱元件的額定電流）為電動機(jī)額定電流的60%~80%。*本設(shè)計(jì)選用T熔體﹑熔斷器額定電流的選擇　熔體額定電流大小與負(fù)載大小﹑負(fù)載性質(zhì)有關(guān)。子程序主要是變速積分PID程序。引進(jìn)變速積分PID 控制算法能使控制性能得到滿足。反之則增大。排除故障后變頻器復(fù)位并重新起動電機(jī)，正常運(yùn)行至定時(shí)時(shí)間到，則采集壓力信號進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換，然后調(diào)用子程序進(jìn)行PID調(diào)節(jié)，將調(diào)節(jié)參數(shù)送給變頻器，控制管網(wǎng)壓力恒定。下面結(jié)合我的畢業(yè)設(shè)計(jì)《基于S7200PLC的廠用氣管網(wǎng)壓力控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)》，對設(shè)計(jì)出的該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的基本功能做一個簡單的論述。本設(shè)計(jì)中的不足之處就是沒有鍵盤和顯示部分，不能顯示壓力大小，主要原因是為了保證精度。s with and without the amplifying gate. High dildt. highenergy single shot experiments were first done. Devices without the amplifying gate performed much better than the devices with the amplifying gate. A physical model is presented to describe the role of the amplifying gate in the turnon process, thereby explaining the differences in the switching characteristics. The turnon area for the failure of the devices was theoretically estimated and correlated with observations. This allowed calculation of the current density required for failure. Since the failure of these devices under high dildt conditions was thermal in nature, a simulation using a finiteelement method was performed to estimate the temperature rise in the devices. The results from this simulation showed that the temperature rise was significantly higher in the devices with the amplifying gate than in the devices without the amplifying gate. From these results, the safe operating frequencies for all the devices under high dildt conditions was estimated. These estimates were confirmed by experimentally stressing the devices under high di/dt repetitive operation. I. INTRODUCTION Recent innovations in semiconductor device designs and advances in manufacturing technologies have helped evolve highpower thyristors. These devices are designed to operate in a continuous mode for applications such as ac todc power conversion and motor drives. Until recently, their a