第7章mems工藝(體硅微加工技術(shù))-預(yù)覽頁
【正文】 111）面在腐蝕過程中會因表面重建或吸附變得更平坦，因而容易在腐蝕過程中顯露出來。216。各向異性腐蝕的特點：216。腐蝕液：216。常用體硅腐蝕液：216。乙二胺 (NH2(CH2) 2NH2)216。但因其價格低廉、溶液配制簡單、對硅 (100)蝕刻速率也較其它的蝕刻液為快，更重要的是操作時穩(wěn)定、無毒性、又無色，可以觀察蝕刻反應(yīng)的情況，是目前最常使用的蝕刻液之一。溫度： 60 – 80186。Ethylenedamine 為有機淡黃色溶液，加入pyrocatechol后顏色會變成暗褐色，隨著反應(yīng)的進行，顏色會加深，故不易觀察蝕刻表面的反應(yīng)過程，蝕刻速率也會改變，這是因為蝕刻液接觸到空氣中的氧氧化所引起，此一氧化過程會使得化合物pyrazine (C4H4N2)增加而改變其蝕刻速率；216。特點：蒸 氣有毒，時效較差， P+選擇性好EDP腐蝕條件216。磁裝置攪拌，保證腐蝕液均勻；216。 N2H4 （聯(lián)氨、無水肼）216。 TMAH 216。216。晶格方向216。操作溫度溫度216。 硅的各向同性腐蝕在半導(dǎo)體工藝中以及在微機械加工技術(shù)中有著極為廣泛的應(yīng)用。優(yōu)點：無尖角， 較低應(yīng)力刻蝕速度快可用光刻膠掩膜 目前主要的各向同性腐蝕液為： NHA和 HNWH：氫氟酸 (HF)N：硝酸 (HNO3)A：乙酸 (CH3COOH) W: Water三、自停止腐蝕技術(shù)216。（ 1） 重?fù)诫s自停止腐蝕 (KOH和 EDP： 5?1013/cm3)216。（ 5）電化學(xué)自停止腐蝕重?fù)诫s自停止腐蝕自停止腐蝕典型工藝流程薄膜自停止腐蝕216。2 、重?fù)诫s自停止腐蝕技術(shù)216。與標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS工藝不兼容216。KOH溶液對（ 100）和（ 111）面硅的腐蝕速率差別很大，可高達(dá) 100～ 400倍，因此可利用（ 111）面作為停止腐蝕的晶面。如果硅晶片表面已經(jīng)形成一些圖案，其中部分薄膜會被腐蝕液所影響，所以必須利用腐蝕保護技術(shù)來保護已完成的結(jié)構(gòu)。另一種是淀積氮化硅將正面包住，待背后腐蝕完后再將氮化硅去除薄膜殘余應(yīng)力問題216。凸角腐蝕是指在硅島或硅梁的腐蝕成型過程中，凸角部分被腐蝕掉的現(xiàn)象，體硅各向異性腐蝕時經(jīng)常出現(xiàn)，這是因為對 (100)晶面的硅片體硅腐蝕時，凸角的邊緣與[110]方向平行，而腐蝕液對此方向的腐蝕速度較快。當(dāng)目標(biāo)結(jié)構(gòu)的厚度相對較薄時216。狹義的干法刻蝕主要是指利用等離子體放電產(chǎn)生的化學(xué)過程對材料表面的加工216。具有分辨率高、各向異性腐蝕能力強、腐蝕的選擇比大、能進行自動化操作等216。吸附及反應(yīng)216。干法腐蝕的主要形式：216。在 物理腐蝕方法 中，利用放電時所產(chǎn)生的高能惰性氣體離子對材料進行轟擊，腐蝕速率與轟擊粒子的能量、通量密度以及入射角有關(guān)；216。反應(yīng)離子刻蝕（ Reactive ion etch）是在等離子中發(fā)生的。衡量反應(yīng)離子刻蝕的指標(biāo) ：216。216。 ；216。（ 3）利用各向同性腐蝕，滿足犧牲層腐蝕要求。改善刻蝕的方向性，即各向異性，一直是反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)發(fā)展過程中不懈追求的目標(biāo)。電感耦合等離子體（ ICP）， Bosch工藝216。216。八氟環(huán)丁烷離化后在底面和側(cè)壁形成聚合物鈍化層。離子濺射刻蝕216。干法刻蝕與濕法腐蝕對比作業(yè)
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