電力電子器件——電氣工程講壇-預覽頁
【正文】 I F U F t F t 0 t rr t d t f t 1 t 2 t U R U RP I RP d i F d t d i R d t 正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置 電力二極管的主要參數(shù) ■ 正向平均電流 IF(AV) ◆ 指電力二極管長期運行時，在指定的管殼溫度（簡稱殼溫，用 TC表示）和散熱條件下，其允許流過的最大 工頻正弦半波電流 的平均值。 ◆ 使用時，應(yīng)當留有 兩倍 的裕量。 ■ 反向恢復時間 trr ■ 浪涌電流 IFSM ◆ 指電力二極管所能承受最大的連續(xù)一個或幾個工頻周期的過電流 。 1958年商業(yè)化 。 121 晶閘管 （ Thyristor） ：晶體閘流管 ， 可控硅整流器 （ Silicon Controlled Rectifier—— SCR） 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理 外形有 螺栓型 和 平板型 兩種封裝 。 122 圖 16 晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和電氣圖形符號 a) 外形 b) 結(jié)構(gòu) c) 電氣圖形符號 AAGGKKb) c)a)AGKKGAP1N1P2N2J1J2J3 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理 常用 晶閘管的結(jié)構(gòu) 123 螺栓型晶閘管 晶閘管模塊 平板型晶閘管外形及結(jié)構(gòu) 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理 式中 ?1和 ?2分別是晶體管 V1和 V2的共基極電流增益； ICBO1和 ICBO2分別是 V1和 V2的共基極漏電流。 開通狀態(tài) ： 注入觸發(fā)電流使晶體管的發(fā)射極電流增大以致 ?1+?2趨近于 1的話 ， 流過晶閘管 的電流 IA， 將趨近于無窮大 ， 實現(xiàn)飽和導通 。 126 其他幾種可能導通的情況 ： 晶閘管的基本特性 承受反向電壓時 ， 不論門極是否有觸發(fā)電流 ，晶閘管都不會導通 。 127 晶閘管正常工作時的特性總結(jié)如下： 晶閘管的基本特性 （ 1） 正向特性 IG=0時，器件兩端施加正向電壓，只有很小的正向漏電流，為正向阻斷狀態(tài)。 128 正向 導通 雪崩 擊穿 O + U A U A I A I A I H I G2 I G1 I G = 0 U bo U DSM U DRM U RRM U RSM 1） 靜態(tài)特性 圖 18 晶閘管的伏安特性 IG2IG1IG 晶閘管的基本特性 反向特性類似二極管的反向特性 。 反向重復峰值電壓 URRM —— 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時 ， 允許重復加在器件上的反向峰值電壓 。 使用注意： 1） 電壓定額 晶閘管的主要參數(shù) 通態(tài)平均電流 IT(AV） —— 在環(huán)境溫度為 40?C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的 最大工頻正弦半波電流的平均值 。 擎住電流 IL —— 晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后， 能維持導通所需的最小電流。 —— 電壓上升率過大 ， 使充電電流足夠大 ， 就會使晶閘管誤導通 。引言 門極可關(guān)斷晶閘管 ——在晶閘管問世后不久出現(xiàn) 。引言 常用的 典型全控型器件 136 電力 MOSFET IGBT單管及模塊 門極可關(guān)斷晶閘管 晶閘管的一種派生器件 。 和普通晶閘管的 不同點 ： GTO是一種多元的功率集成器件 。 門極可關(guān)斷晶閘管 GTO能夠通過門極關(guān)斷的原因是其與普通晶閘管有如下 區(qū)別 ： 140 設(shè)計 ?2較大，使晶體管 V2控 制靈敏，易于 GTO。 GTO關(guān)斷過程中有強烈正反饋使器件退出飽和而關(guān)斷 。 通常 tf比 ts小得多 ， 而 tt比 ts要長 。 GTO：兆瓦以上首選 ， 制造水平 6kV / 6kA。 143 思考題： ? 電力二極管的反向擊穿類型及其內(nèi)涵？ ? 晶閘管導通的條件是什么？ ? 維持晶閘管導通的條件是什么，怎么才能才使晶閘管由導通變?yōu)殛P(guān)斷？ 14
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1