led專利競爭分析-預(yù)覽頁
【正文】 材料、大失配外延低溫緩沖層、P型GaN的摻雜及退火激活技術(shù)、高質(zhì)量InGaN材料的生長及控制技術(shù)、P型GaN/Al GaN超晶格提高空穴濃度技術(shù)、GaN基LED透明電極技術(shù)等等。這種國內(nèi)無法形成專利網(wǎng)布局、境外沒有專利保護(hù)的現(xiàn)狀，使得我國半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的知識產(chǎn)權(quán)成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的軟肋。在下游產(chǎn)業(yè)中，普遍相差10年左右。封裝領(lǐng)域，我國專利申請雖然有自身的優(yōu)勢分支，但在近年來較為熱門的基座和熒光粉材料方面與國外差距巨大。而企業(yè)占有發(fā)明專利的比例不超過5%，實(shí)用新型專利不超過10%。因此我們還是有很多突破機(jī)會的。，對我國外延方面的專利訴訟比較困難。 三、中國利用專利制度方面存在的問題 一是專利制度運(yùn)用不恰當(dāng)。國外申請的專利，產(chǎn)品權(quán)利要求非常寬泛，一般會采用功能性限定，或者物理化學(xué)性質(zhì)的方式來撰寫。自1985年我國建立專利制度到1999年期間，是專利申請的空白期。 四、半導(dǎo)體照明專利戰(zhàn)略應(yīng)務(wù)實(shí) ，對有可能形成中國特色的技術(shù)路線有所側(cè)重，在產(chǎn)業(yè)層次上做到有所為、有所不為。而第二或第三梯隊(duì)就要研究國外也沒有實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的新方法，走出國際三種技術(shù)路線的包圍，例如開發(fā)直接發(fā)白光的芯片，開發(fā)受激發(fā)后直接發(fā)白光的白光熒光粉。專利權(quán)具有地域性。如進(jìn)入歐美和日本市場，就要仔細(xì)研究這些國家的專利的權(quán)利要求保護(hù)范圍以及專利侵權(quán)判斷原則。前者可以采用多種方法來規(guī)避或替代，例如整體變劣、等同替換等。我國要想在上游產(chǎn)業(yè)立足，也可以采取這一策略。
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