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【正文】 將進人顛覆性技術創(chuàng)新和應用的階段。我國開展第3代半導體的研究工作雖然起步比發(fā)達國家稍晚，但在國家科技計劃項目多年連續(xù)支持下，在技術和人才方面形成了良好的積累和基礎，并在國防、電動汽車等領域已開始相關器件的應用。5G通信的數(shù)據(jù)流量需求將是現(xiàn)有技術流量的1000倍以上，屆時對GaN射頻器件的使用量將為現(xiàn)有GaAs器件的100倍以上。據(jù)Yole預測，2020年末，GaN射頻器件市場規(guī)模將擴大至目前的2倍，年均復合增長率20% 。圖2 2020年我國第3代半導體微波射頻市場規(guī)模預測在光電子領域，從全球范圍看，目前基于第3代半導體技術的半導體照明替代傳統(tǒng)光源已出現(xiàn)井噴式增長，美國、歐洲等國家在光品質及智能化等方面正加速發(fā)展。我國半導體照明產業(yè)發(fā)展迅速，已經形成了完整的產業(yè)鏈，產業(yè)規(guī)模持續(xù)增長(詳見圖3)，芯片從無到有，創(chuàng)新應用走在世界前列，成為全球發(fā)展最快的區(qū)域，為實現(xiàn)我國第3代半導體材料及應用的發(fā)展奠定了良好的基礎。LED照明能效有望提高50%70%，節(jié)能效果極其可觀。“互聯(lián)網+”作為一種新的經濟形態(tài)，將與社會經濟各領域深度融合，并將成為提升實體經濟創(chuàng)新力和生產力的技術基礎，而基于互聯(lián)網的移動通訊產業(yè)、大數(shù)據(jù)產業(yè)必將迅猛發(fā)展，支撐大量移動終端、海量數(shù)據(jù)傳輸、數(shù)據(jù)中心運行的材料需求非常迫切。GaN材料的功率密度是現(xiàn)有GaAs器件的10倍，是制造微波器件的理想材料，正在并將更廣泛應用于雷達、電子對抗、智能化系統(tǒng)及火控裝備等空天和國防領域。參考文獻： 半導體材料維基百科 ，2012 、2016 ，2003 ，2015 楊靜、201
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