相控陣工作原理-預覽頁
【正文】 頻率 (f) 晶片數(shù)量 (n) 晶片陣列方向孔徑 (A) 晶片加工方向?qū)挾? (H) 單個晶片寬度 (e) 兩個晶片中心之間的間距 (p) 相控陣探頭設計參數(shù) ? 一個長方形晶片被切割成許多個小晶片，形成一維陣列探頭，每個小晶片都可以單獨激發(fā)。 波束偏轉(zhuǎn)和聚焦 圖中有陣列里的各個晶片 。 相控陣波束形成原理 ? 常規(guī)超聲探頭波束角度偏轉(zhuǎn) (發(fā)射 ) – 根據(jù)惠更斯原理產(chǎn)生超聲波束 – 通過帶角度楔塊的延時使波束角度產(chǎn)生偏轉(zhuǎn) Crystal Wedge Material Excitation pulse Wave front Delay Location A B C A B C 常規(guī)超聲波束形成 ? 常規(guī)超聲探頭波束角度偏轉(zhuǎn) (接收 ) – 根據(jù)惠更斯原理在楔塊中產(chǎn)生超聲波束 – 在超聲波接收過程中帶角度楔塊提供延時使同相位信號在壓電晶片上產(chǎn)生結(jié)構(gòu)干涉。 波束在返回時重新聚焦 動態(tài)深度聚焦 標準的相控陣 動態(tài)深度聚焦 DDF 在掃查時不斷為接收信號重新載入聚焦法
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鄂ICP備17016276號-1