浙大材料科學(xué)基礎(chǔ)課件part-預(yù)覽頁
【正文】 +Vr吸引力：依賴于鍵的類型而不同，總體上有：排斥力：對于所有固體都相同，玻恩定義：凈作用力：式中a、b、m及n均為常數(shù)，且mn從Error! Reference source not 174。范德瓦耳斯半徑：(有范德瓦耳斯鍵的）隋性氣體元素的晶體中原子間范德瓦耳斯鍵長的一半共價半徑：具相同原子（如HNO2和F2）的雙原子分子中兩個原子間共價鍵長的一半離子半徑：由于離子可考慮成去掉價電子的硬球，兩個離子的中心距離（即鍵長）有：r0=rc+ra通過借助標準離子如氧（O2）或氟（F）進行計算而得到金屬半徑：與離子半徑類似處理，由于無正負離子之分，所以是鍵長的一半167。理想情況下，晶體中堆積離子可認為是“硬球”（一） 晶體中的原子排列及典型金屬晶體結(jié)構(gòu)最典型結(jié)構(gòu)：面心立方(Al)、體心立方(A2)和密排六方結(jié)構(gòu)(A3)如Error! Reference source not found.（及動畫演示3），Error! Reference source not found.（及動畫演示5），Error! Reference source not found.堆積特征：面心立方和密排六方中，每個原子和最近鄰的原子間都相切；體心立方中，體心原子與頂角八原子相切，八個頂角原子互不相切密排面：原子密排程度最高的晶面。K=nv/V ，A1——，A2——，A3——間隙及表述：以rB/rA描述間隙?！ ⌒纬删w結(jié)構(gòu)的泡林規(guī)則：第一規(guī)則：圍繞每一個正離子,負離子的排列是多面體的各頂角位置；離子半徑的總和決定于正、負離子間距；正離子配位數(shù)決定于正、負離子半徑比。第五規(guī)則（節(jié)約規(guī)則）：相同的離子，在可能范圍內(nèi)，其周圍的配位關(guān)系往往相同。據(jù)第一規(guī)則Na和Cl形成八面體配位；從第二規(guī)則，為了電價平衡，Cl的周圍必須有六個Na+離子包圍。CsCl晶體：立方Pm3m， AX型，rC/rA=。如Error! Reference source not found.滿足第二規(guī)則，O2離子的兩價負電被2/4價（∵[MgO4]）的一個MgO鍵與3/6價（∵[AlO6]）的三個AlO鍵抵消表110列出了典型晶體結(jié)構(gòu)的分類。前者具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，后者則為纖鋅礦結(jié)構(gòu)，方石英的密度略比鱗石英高。滿足第三規(guī)則，共頂連接比較：SiOTiO6 、CsCl8分別為共頂、共棱、共面,它們的比較給出于 圖160中。 頂共 面晶體結(jié)構(gòu)SiO2TiO2CsCl陽離子配位數(shù)(CN)CN(Si4+)=4CN(Ti4+)=6CN(Cs+)=8陽離子與陰離子的半徑比陽離子半徑rC=rTi4+=rCs+=鍵強EBS=EBS=2/3EBS=1/8分類：據(jù)SiO2四面體的排列方式進行總體分類。同晶取代條件：i.） 離子電荷差不易太大如：Ca2+可取代Zr4+；Y3+可取代Zr4+，但Li+不能取代Zr4+或Si4+iii.）Si4+：鎂方柱石，如Error! Reference source not 判據(jù)式為：環(huán)狀硅酸鹽：每個硅氧四面體中有二個橋氧，結(jié)構(gòu)特征：以環(huán)為島結(jié)構(gòu)的硅酸鹽。判據(jù)通式：鏈狀硅酸鹽：鏈之間通過調(diào)節(jié)陽離子相連接，典型表達式：AB(Si2O6)或BSiO3，結(jié)構(gòu)特征：A位的陽離子有8配位，但一般沒有離子填充，所以常是空的，B位則常被Fe2+，Ni2+，Li+，Al3+陽離子占據(jù)，Si可以有少量的被Fe2+或Al3+離子取代。 “原始層”(sheet)與“組合層”(layer)的區(qū)別：原始層（如Error! Reference source not ）結(jié)構(gòu)均一，原始層和相鄰原始層間的結(jié)合模式可能不同（如ABA…）；組合層可以是單一原始層也可以是多個不同類型的原始層所組成；組合層與相鄰組合層間鍵合環(huán)境總相同（如[AB][AB][AB]…）。層與層主要通過層間陽離子靜電力鍵合，也是很弱的。），結(jié)構(gòu)非電中性，蒙脫石和云母等
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