【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,
2025-01-01 04:40
【摘要】常用電力電子器件介紹一、晶閘管(Thyristor)的結(jié)構(gòu)及工作原理二、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)三、大功率晶體管(GTR)四、功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)五、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)復(fù)習(xí)提問?1、什么是直流
2025-01-01 04:10
【摘要】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
2025-07-25 07:03
【摘要】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時(shí),首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時(shí),稱為小信號。這時(shí)晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【摘要】PN結(jié)在正向電壓下電流很大,在反向電壓下電流很小,這說明PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,可作為二極管使用。PN結(jié)的直流電流電壓方程結(jié)的直流電流電壓方程PN結(jié)二極管的直流電流電壓特性曲線,及二極管在電路中的符號為本節(jié)的重點(diǎn)本節(jié)的重點(diǎn)1、中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界處的少子濃度與外加電壓
2024-12-27 19:38
【摘要】電力電子器件的驅(qū)動電路1)、驅(qū)動電路功能:是主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài),縮短開關(guān)時(shí)間,減小開關(guān)損耗,提高運(yùn)行效率、對裝置的可靠性和安全性都有重要的意義。2)、驅(qū)動電路的基本任務(wù):–將信息電子電路傳來的信號,轉(zhuǎn)換為電力電子器件所要求的開通或關(guān)斷的信號,及必要的隔離電路。–對
2024-12-29 06:38
【摘要】第1章電力電子器件??電力電子器件概述電力電子器件概述??不可控器件不可控器件————二極管二極管??半控型器件半控型器件————晶閘管晶閘管??典型全控型器件典型全控型器件??其他新型電力電子器件其他新型電力電子器件??電力電子
2025-01-17 18:13
【摘要】MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電本節(jié)以前的漏極電流公式只適用于VGSVT,并假設(shè)當(dāng)VGS=VT時(shí)ID=0。但實(shí)際上當(dāng)VGSVT時(shí),MOSFET仍能微弱導(dǎo)電,這稱為亞閾區(qū)導(dǎo)電。這時(shí)的漏極電流稱為亞閾電流,記為IDsub。定義:使硅表面處于本征狀態(tài)
2024-12-28 23:00
【摘要】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時(shí)間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個(gè)區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-25 01:56
【摘要】電器維修工應(yīng)聘個(gè)人簡歷姓 名:李先生國籍:中國目前所在地:湖南民族:漢族戶口所在地:湖南身材:170cm 65kg婚姻狀況:已婚年齡:36歲人才類型:普通求職應(yīng)聘職位:電腦、建筑/房地產(chǎn)/物業(yè)管理類工作年限:15職稱:高級求職類型:均可可到職日期:一個(gè)星期月薪要求:8000--12000希望工作地區(qū):廣州湖南
2025-07-25 07:44
【摘要】庫侖堵塞與單電子器件當(dāng)體系尺度進(jìn)到納米級(金屬粒子為幾個(gè)納米,半導(dǎo)體粒子為幾十納米),體系電荷“量子化”,即充電放電過程是不連續(xù)的,前一個(gè)電子對后一個(gè)電子的庫侖排斥能EC(庫侖堵塞能)極大,導(dǎo)致一個(gè)一個(gè)單電子的傳輸,電子不能集體傳輸,這種單電子輸運(yùn)行為稱為庫侖堵塞效應(yīng)。庫侖排斥能EC???充一個(gè)電子作功:對于孤立導(dǎo)體
2025-01-01 05:14
【摘要】微電子器件工藝學(xué)序言趙岳聯(lián)系電話:13817882241,56336339Email:地址:電子材料系319室或210室微電子科技的重要性?微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到社會的各個(gè)領(lǐng)域,影響面極廣,發(fā)展微電子技術(shù)是當(dāng)今高科技發(fā)展的關(guān)鍵問題?微電子科學(xué)是固體物理,微電子器件工藝和電子學(xué)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一門新科學(xué)微電子工業(yè)是戰(zhàn)略性
【摘要】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個(gè)電阻產(chǎn)生的,稱這個(gè)電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
【摘要】第三章雙極型晶體管的直流特性內(nèi)容雙極晶體管基礎(chǔ)均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)雙極晶體管的直流電流電壓方程基極電阻雙極晶體管的基礎(chǔ)由兩個(gè)相距很近的pn結(jié)組成:分為:npn和pnp兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射
2025-04-29 01:25
【摘要】幾種重要的微電子器件幾種重要的微電子器件主要內(nèi)容?薄膜晶體管TFT?光電器件?電荷耦合器件薄膜晶體管?薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)通常是指利用半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場效應(yīng)晶體管?非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT)?多晶硅薄膜晶體管(poly-SiTFT)?碳化硅薄膜晶體管
2025-01-01 04:14