【正文】
非氧化物陶瓷的重視,開始將A1N作為一種新材料進(jìn)行研究,側(cè)重于將其作為結(jié)構(gòu)材料。第四階段:20世紀(jì)八十年代至今20世紀(jì)八十年代以來,人們開始將A1N作為基片和封裝材料來進(jìn)行研究,但由于粉末質(zhì)量不高以及其他技術(shù)因素的影響,最初的產(chǎn)品質(zhì)量并不穩(wěn)定,工藝重復(fù)性也較差。隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,對所用材料的性能提出了更高的要求,氮化鋁陶瓷也必將在許多領(lǐng)域得到更為廣泛的應(yīng)用。由于氮化鋁對氧有很強(qiáng)的親合力,部分氧會固溶入氮化鋁的晶格中,從而產(chǎn)生鋁空位,形成的鋁空位會對聲子產(chǎn)生散射,降低聲子的平均自由程,從而導(dǎo)致氮化鋁陶瓷制品導(dǎo)熱率的下降,嚴(yán)重的甚至得不到氮化鋁陶瓷。本文以Y2O3和CaF2兩個體系的燒結(jié)助劑為研究對象,探討燒結(jié)助劑的添加量及燒結(jié)工藝特別是保溫時間對樣品性能的影響。實驗用的高純(%)氮氣、高純氫氣和高純氬氣等氣體由上海春雨特種氣體有限公司提供。(3)烘干球磨時間到后,將磨好的漿料倒入洗凈的托盤,放入60℃烘箱烘10小時以上,目的是讓酒精充分揮發(fā),得到干燥的AlN粉料。(7)等靜壓成型將干壓成型好的柱狀陶瓷素胚做好隔油措施,裝入等靜壓機(jī)腔體,在200Mpa壓力條件下保壓1min,保壓完成后即可取出素坯。 氮化鋁陶瓷的性能測試 體積密度測試使用千分卡尺分別測量燒成前后樣品的直徑,利用公式(21)計算收縮率。隨后置樣品于去離子水中,放在真空干燥箱進(jìn)行半小時抽真空,使樣品充分吸收水分。實驗條件:40 KV,200 mA,Cu靶,l= 197。此項測試在中科院硅酸鹽研究所進(jìn)行。第三章:實驗數(shù)據(jù)處理分析為研究燒結(jié)助劑Nd2OCaO、Y2OCaFLi2O、LiYOSm2O3對氮化鋁陶瓷燒結(jié)性的影響,本實驗設(shè)計了一系列配方進(jìn)行試驗,配方如下表所示:表31. 實驗原料配方配方編號AlNwt%Y2O3wt%Sm2O3wt%Nd2O3wt%CaOwt%CaF2wt%LiYO2wt%Li2Owt%2S1CF97210CO3Y0L0CF3Y0L0CO4YL40CF4YL41S4C95142S3C95233S2C95324S1C95412F1N97121F2N97214F1N95143F2N95232F3N95321F4N9541按表31進(jìn)行配料,在相同的燒結(jié)溫度下(1600176。C,分別保溫2h、4h、6h、8h;保溫結(jié)束后,先2h降溫到800176。不同保溫時間所得的AlN陶瓷的體積密度和收縮率如下表所示:表32. AlN陶瓷的體積密度和收縮率燒結(jié)助劑收縮率體積密度97%AlN2% Sm2O31% GaF2%% %% % Li2O% g/cm3% % % % Li2O% g/cm397%AlN1%Nd2O32% GaF2% g/cm3表32是添加了不同燒結(jié)助劑的氮化鋁陶瓷樣品,在1600176。 g/cm3,宏觀上標(biāo)明該種配方的氮化鋁陶瓷樣品有很好的致密性。圖中,添加3%的燒結(jié)助劑的陶瓷樣品收縮率和體密度均比添加5%的燒結(jié)助劑的陶瓷樣品的相應(yīng)值要大。相比于Y2O3GaF2體系所得陶瓷樣品的高致密度,GaF2 Sm2O3體系所制得的陶瓷樣品的體積密度都很低。燒結(jié)過程中,氧與燒結(jié)助劑反應(yīng)促進(jìn)AlN燒結(jié),根據(jù)XRD圖譜分析,在無壓燒結(jié)過程中有如下反應(yīng)發(fā)生【2627】:(31)在燒結(jié)過程中,通過該反應(yīng)降低了燒結(jié)溫度,有助于通過液相燒結(jié)提升樣品致密度。C,導(dǎo)致液相生成不充分,不能使AlN晶粒發(fā)生有效,均勻的重排,進(jìn)而導(dǎo)致本體系A(chǔ)lN陶瓷樣品比較低的體積密度。表明AlN陶瓷樣品的體積密度與Nd2O3含量呈正相關(guān),適當(dāng)加大燒結(jié)助劑中Nd2O3的含量可提高氮化鋁的致密度。保溫時間的延長,促進(jìn)坯體內(nèi)液相由內(nèi)部向表面轉(zhuǎn)移,對氮化鋁晶格的凈化有一定影響,從而提高了樣品的致密度。圖34. Y2O3GaF2體系氮化鋁樣品的體積密度隨保溫時間變化曲線% % % % Li2O配方的氮化鋁樣品的體積密度隨保溫時間的變化曲線。從圖中可以看出,保溫時間從2h延長到4h的過程中,相對介電常數(shù)隨著保溫時間的延長而減??;而從4h到8h的過程中,保溫時間的延長并沒有使相對介電常數(shù)的值減小。由圖可知,保溫時間從4h延長到6h,陶瓷樣品的熱導(dǎo)率有一定的增大,但保溫時間從6h延長到8h后,熱導(dǎo)率反而下降。本次試驗中測得的熱導(dǎo)率的數(shù)值在60 W()上下波動,和文獻(xiàn)上的同樣配方所測得的數(shù)據(jù)有一定的差距。而CaN化合物是一類低熔點物質(zhì)。而4h8h過程中,致密度幾乎保持不變,從SEM圖上看,晶粒沒有發(fā)生特別明顯生長現(xiàn)象。(3)Y2O3 CaF2燒結(jié)助劑體系中,添加2%Y2O31%CaF2得到的樣品性能好,在1600℃,保溫6小時的條件下, W/。(2)實驗過程中要多和導(dǎo)師、學(xué)長溝通,才能保證實驗的準(zhǔn)確性。在低于1650176。在一個相對低的溫度下,液相(Ca,Y)F 2使AlN顆粒周圍的YF3能均勻分布,而這有利于去除AlN晶格中的氧雜質(zhì),從而使AlN獲得更高的熱導(dǎo)率。這些燒結(jié)助劑在燒結(jié)過程中扮演了一個雙重角色。然后,根據(jù)他們的研究,尚且不能明確YF3對于熱導(dǎo)率的影響。隨后將球磨后的粉料置于烘箱內(nèi)烘干。表1:在實驗中的不同組合物的樣品用游標(biāo)卡尺測量樣品燒結(jié)后的直徑,從而得出樣品的收縮率。在室溫下的熱傳導(dǎo)率通過激光閃光法測定。的范圍進(jìn)行掃描,從而確定了其晶格參數(shù)。然而,Y2O3成為YF3和A12O3之間反應(yīng)的中間產(chǎn)物似乎是不可能的,就如同Hundere等人推測在樣品YFA在1500℃之前隨著釔鋁酸鹽的生成不會發(fā)現(xiàn)Y2O3。隨著溫度的升高,YF3大致是從(Ca,Y)F2和與A12O3反應(yīng)生成YAP和YAM的反應(yīng)中釋放的,這些在1500℃時可以被檢測出來,如表2。K,這是比樣品CYOA的152W/m由于到他們相似的密度,液相CaYAl04促進(jìn)樣品CYFA在1750℃的致密化。加入YF3與加入Y2O3相比明顯改善了在燒結(jié)時晶粒生長對致密度的影響。燒結(jié)體中的實測氧含量強(qiáng)烈反映了A1N晶格中的氧含量,因為所有第二相是燒結(jié)助劑在燒結(jié)過程中蒸發(fā)所產(chǎn)生的。根據(jù)熱導(dǎo)率和A1N細(xì)胞體積之間的關(guān)系,如圖3所示,可以看出,樣品CYFA和CYOA的熱傳導(dǎo)率與多項式擬合曲線具有良好的一致性。 氧在A1N陶瓷的燒結(jié)過程中在1400℃和1800℃之間的溫度下,覆蓋在A1N粉末的表面,擴(kuò)散到A1N晶格,形成與氧有關(guān)的缺陷。因此,樣本CYFA與CYOA相比有更高的熱導(dǎo)率主要是由于晶格中較低的氧濃度。然而,在CaF2YF 3系統(tǒng)中,(Ca,Y)F2相根據(jù)相圖在相對低的1350℃生成,并在高于1400℃是變?yōu)橐合唷_@是由于A1N晶格在1750℃時除去了氧。液相(Ca,Y)F2和Ca12Al14O32F2的生成,在1650℃之前是影響AlN陶瓷致密度的主要原因。同時添加CaF2和YF 3,由于在相對低的溫度下液相(Ca,Y)F2的形成減少了燒結(jié)的樣品中的A1N晶格中的氧含量,因而有利于得到高的熱傳導(dǎo)率。參考文獻(xiàn)[1] . 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Negas, , Phase Diagrams for Ceramists(V), Acers, Columbus, 1983.英文原文Thermal conductivity of AlN ceramics sintered with CaF2 and YF3Liang Qiao, Heping Zhou, Renli FuAbstractDense A1N ceramics with a thermal conductivity of 180W/m?K were obtained at the sintering temperature of 1750℃ using CaF2 and YF3 as additives. At temperatures below 1650℃, the shrinkage of A1N ceramics is promoted by liquid (Ca,Y)F2 and Ca12A114O32F2. Liquid CaYAlO4 mainly improves the densification of the sample when the sintering temperature increases to 1750℃. The formation of liquid (Ca,Y)F2 at a relatively low temperature results in homogeneous YF3 distribution around the A1N particles, which benefits the removal of oxygen impurity in the A1N lattice, and thus a higher thermal conductivity.Keywords: A. Sinterin