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模電自測(cè)題、思考題與習(xí)題參考答案-預(yù)覽頁(yè)

 

【正文】 。 (a)放大狀態(tài)。圖(b)電路不能放大,因?yàn)閂CC極性接反。(3) 當(dāng)S→C時(shí),截止,IC=0。L=1kΩ。LUCE UCES,所以Uom=ICR39。L/rbe= ?,故得Uim=Uom/ Au = ?36mV,即最大幅值為36 mV。故Rc=4kΩ,RE=64=2 kΩ。由?UCE+ICRc?VCC=0 得UCE = ?。(2) Au = ?β(R2//RL)/rbe,Ri=R1//rbe;Ro ≈R2 。 (1) UB ≈4V,IC≈,IB=IC/β≈28μA,UCE ≈。(5)若UCE=4V,則IC= (VCCUCE)/ (Rc+Re)=,UB=+ ICRe=,Rb1≈。(2) rbe =,Au = ?108。Ro≈Rc=。 (1)IC≈ IE= (VCCUE)/(Re1+Re2)≈,UCE= ?[10?IC(RC+RE1+RE2)]= ?。(5) 當(dāng)RB1調(diào)大時(shí),Au減小、Ri增大,而Ro將保持不變。 (1) IC≈(UBUBE)/Re≈,IB=IC/β=18μA,UCE≈VCCIC(Rc+Re)=。 (1) IB=28μA,IC=,UCE≈。第3章自測(cè)題一;電壓控制;輸入電阻高;不參與導(dǎo)電。;減小;減小。3. ④。三、5對(duì);6錯(cuò)。(1)Au= gmRD= 66。(1)將UGS==,ID2=;再分別代入U(xiǎn)GS==(舍去)和UGS2=。(3)因gm=1mA/V,故Au= gm(Rd//RL)/(1+gmRs1) = 。(1)解方程得ID1=,ID2=(舍去),進(jìn)而得UGS=,UDS = 。(2) 因gm=,Au=,Ri =1MΩ,Ro≈Rs//(1/gm) =。2.80;104。 ;低。4. ④。思考題與習(xí)題(1) IB1=20μA,IC1=2mA,UCE1≈10V。Ro≈Rc2=2kΩ。rbe1=;rbe2=。 (1) 因VT1管的UGS =0V,所以IDQ=IDSS=2mA,UDS=VCC–IDQR2=。Ro≈R5=。(2)≈62, Aus= Ri Au/(Ri+Rs) ≈。 (1) Aum= 103,60dB。(2)603=57dB。 (1) UB=4V,IE=1mA,IB=10μA,UCE=。(4)。(3) fL=1/2π(Rc2+Ri3)C3=36Hz。;%;交越;甲乙。二、1. ③。5. ①。(4)PCM1=PCM2≥=2W。=VCC 2/2RL得Uom=16V,則ILm=Uom/RL=1A,故ICM 1A。(2)增大R2。(3)PC=β(VCC/2)(VCC2UBE)/(R1+R3)=896mWPCM,兩管將燒毀。=18/2=9V,(1)Pom=Uom2/2RL=。;共模。二、1. ②。5. ③。由于其等效交流電阻非常大,因此把它作為VT3的集電極負(fù)載可提高電壓放大倍數(shù)。故uo=Auduid=() 8 = mV 。若設(shè)UB1=0V,則UE1= ,故Re=[UE(VEE)]/IRe=17kΩ。 (1)圖(a): Aud= β1(Rc1+RP/2)/(Rs1+rbe1)= 220,Rid=2(Rs1+rbe1)=6kΩ,Ro=2(Rc1+RP/2)=22kΩ。(1) Aud2= β2(Rc2//RL)/2[Rs+rbe2+(1+β2)Re2]=12。由ID=IDSS(1UGS/UP)2得UGS= 。R1= (VCC+VEEUBE)/IR1=。(1)IR=IC5 =[VCCUBE6(VEE)]/R≈,ID1=IC5/2= mA。第7章自測(cè)題一、1. ;;。5. 909;900。4. ②。思考題與習(xí)題(a):Re1和Re3分別引入一、三級(jí)直流和交流負(fù)反饋;Re2和Ce2引入第二級(jí)直流負(fù)反饋;ReRf1和Re1引入一、三級(jí)間直流和交流負(fù)反饋;ReCe2和Rf2引入一、二級(jí)間直流負(fù)反饋。圖(e):R4引入第二級(jí)直流和交流負(fù)反饋;R2引入級(jí)間直流和交流負(fù)反饋。(2) Af =A/(1+|AF|)=,20lg|A/(1+|AF| )|=。圖(d):Rf和Rb引入級(jí)間交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋。%。 (1)需要引入電壓并聯(lián)負(fù)反饋。Rf 、Cf支路接在①和③之間。(2) ac、bd、je、ih。(2)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),電路引入了電壓串聯(lián)負(fù)反饋。 為電壓串聯(lián)負(fù)反饋。 (1) 由圖知20lg||=80,所以Aum=104;該電路由三級(jí)組成,其中在f=100KHz,特性斜率變化40dB/dec(= 20dB/dec2),即有相同的兩級(jí)。2. 1V。二、1.①。5. ③。 因uO1= Rf uI/R1,uO2= uO1,故uO=uO2uO1= 2uO1= 2Rf uI/R1。 因uO1= [245/6+24(5)/4]=10mV, uO2= (1+24/4)[(6//6)/(6+6//6)(612)]= 14mV,故uO=(1+6/12)[6 (14)/(12+6)](610/12) = 12mV。uO的波形圖略。因uO=uO1+,可先畫(huà)出uO1波形。 (1)比例恒流源Io≈(R4/R5)IR3=(R4/R5)[()/(R3+R4)]=1mA。(4) Auf =1+Rf /R1。 (1)二階壓控電壓源低通濾波器;左側(cè)電容下端接至輸出端是為了改善在特征頻率fn附近的幅頻特性。2. 選頻網(wǎng)絡(luò);RC;RC。6. 輸出電壓;閾值電壓。4. ②。思考題與習(xí)題 (1) 14238 。 (1)連接MJ,MN兩點(diǎn)。 (1)上負(fù)下正。(5) PCM≥=。 圖(a)不能振蕩;圖(b)可能振蕩。~。(a)變壓器同名端錯(cuò),改為次級(jí)下端;基極直流接地,應(yīng)在次級(jí)與基極間接一耦合電容,改后電路為變壓器反饋式LC正弦波振蕩電路。 圖(a)電路為并聯(lián)型晶體振蕩器,晶體起到電感作用;圖(b)為串聯(lián)型晶體振蕩器,晶體起電阻作用。6V。當(dāng)t=1s時(shí),有uO2= (1/R5C) uO1 t =。2V,當(dāng)uO1(t1)=2V時(shí),即10(10)t1=2,得t1=20ms。uO1不變;當(dāng)UREF0,uO上移;反之,下移。一般用電位器代替R4來(lái)調(diào)節(jié)f。;反向擊穿;電壓。2. ①。6. ①;④。 (1)正上下負(fù)。 (1)因UO=,故U2=10V。(2)ID=IO/2=125mA;因U2=UO/=25V,故URM=35V。(2)因I=[33(1+10%)12]/=,ID=I/2=;因U2=(1+10%)=,則URM=43V。(3)因ILmax≈ (1+β1)[UI (UOmin+UBE1)]/R2UOmin/(R3+R4+RP)=170mA。(2)由式()可得12~24V。(2)因PC1=UCE1IC1≈(UIUO)UO/R39。(2)當(dāng)電網(wǎng)電壓波動(dòng)177。(4)因?yàn)镮O=,IR1=,IC3=IR5/2≈,IR3=() /1=,IR4=,則IE1應(yīng)為上述各電流之和,即IE1=。14
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