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正文內(nèi)容

小型風(fēng)力發(fā)電機(jī)控制器的設(shè)計(jì)畢業(yè)論文-預(yù)覽頁

2025-07-16 21:06 上一頁面

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【正文】 展。為了滿足工業(yè)控制要求,一般單片機(jī)的指令系統(tǒng)中均有極豐富的條件分支轉(zhuǎn)移指令、I/O口的邏輯操作以及位處理功能。在單片機(jī)內(nèi)部,它是一反相放大器輸入端,這個(gè)放大器構(gòu)成了片內(nèi)振蕩器。當(dāng)采用外部振蕩器時(shí),則此引腳接外部振蕩信號(hào)的輸入。在非訪問外部存儲(chǔ)器期間,ALE引腳的輸出頻率是系統(tǒng)工作頻率的1/16,因此可以用來驅(qū)動(dòng)其他外圍芯片的時(shí)鐘輸入。此外,在將程序代碼輸入至8751內(nèi)部EPROM、89C51內(nèi)部Flash時(shí),可以利用此引腳來輸入提供編程的電壓。在執(zhí)行片內(nèi)程序存儲(chǔ)器指令時(shí),不產(chǎn)生PSEN信號(hào),在訪問外部數(shù)據(jù)時(shí),亦不產(chǎn)生PSEN信號(hào)。在Flash編程時(shí),PO口接收指令字節(jié),而在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié),校驗(yàn)時(shí),要求外接上拉電阻。Flash編程和程序校驗(yàn)期間,P1接收低8位地址。在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2口線上的內(nèi)容在整個(gè)訪問期間不改變。對(duì)P3口寫“1”時(shí),它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。 INT0 外部中斷0 輸入,低電平有效。 WR外部隨機(jī)存儲(chǔ)器的寫選通,低電平有效。對(duì)外接電容C1, C2雖然沒有十分嚴(yán)格的要求,但電容容量的大小會(huì)輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性,如果使用石英晶體,推薦電容使用30pF177。只要在復(fù)位引腳RST出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平時(shí),單片機(jī)內(nèi)部則初始復(fù)位。*為隨機(jī)狀態(tài)。①軟件狗實(shí)際上就是通常所說的軟件陷阱,是純軟件的處理方法。設(shè)計(jì)中看門狗復(fù)位電路的工作原理是:,計(jì)數(shù)器對(duì)脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)。單片機(jī)系統(tǒng)的供電電源有時(shí)候因?yàn)楦鞣N原因而不穩(wěn)定,發(fā)生電壓波動(dòng)或瞬間掉電的現(xiàn)象,從而影響系統(tǒng)的正常工作和數(shù)據(jù)保存。它除有看門狗作用以外,還有電源電壓檢測的功能。單片機(jī)處理的結(jié)果,也常常需要轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào),若輸入的是非電量模擬信號(hào)還需經(jīng)過傳感器或電位器轉(zhuǎn)換成模擬電信號(hào)。如一個(gè)10位D/A,參考電壓為5V,當(dāng)10位輸入全為1時(shí),標(biāo)稱值為+5V1023/1024=4.995V;當(dāng)D/A輸入的10位全部為0時(shí),由于存在零點(diǎn)誤差,D/A輸出與OV有一定偏差,常采用片外調(diào)零電位器使之為零。最高采樣電流為50A,50/2048=,故選用的是ADC574滿足精度。DI0~DI7:8位數(shù)據(jù)輸入端;ILE:數(shù)據(jù)允許所存信號(hào);WR1:輸入寄存器寫信號(hào);XFER:數(shù)據(jù)傳送信號(hào);WR2:DAC寄存器寫信號(hào);Vref:基準(zhǔn)電壓輸入引腳;Rfb:反饋信號(hào)輸入端;Iout1:電流輸出1端;Iout2:電流輸出2端;VCC:電源;AGND:模擬地。D7~D0: 8位數(shù)字量輸出引腳;INT0~I(xiàn)NT7:8路模擬量輸入引腳;VCC:+5V工作電壓;GND:地;REF(+):參考電壓正端;REF():參考電壓負(fù)端;START:A/D轉(zhuǎn)換啟動(dòng)信號(hào)輸入端;ALE:地址鎖存允許信號(hào)輸入端;EOC:轉(zhuǎn)換結(jié)束信號(hào)輸出引腳,開始轉(zhuǎn)換時(shí)為低電平,當(dāng)轉(zhuǎn)換結(jié)束時(shí)為高電平;OE:輸出允許控制端,用以打開三態(tài)數(shù)據(jù)輸出鎖存器;CLK:時(shí)鐘信號(hào)輸入端。地址譯碼引腳A、B、C分別與地址總線的低三位A0、AA2相連,以選通IN0~I(xiàn)N7中的一個(gè)通路。本設(shè)計(jì)采用的是查詢方式的接法。帶有RAM和定時(shí)器的并行口8155的引腳功能:RESET:復(fù)位信號(hào)線,高電平有效,在該輸入端加一脈沖寬度為600ns 的高電平信號(hào),就可使8155可靠復(fù)位,復(fù)位時(shí)三個(gè)輸入/輸出口預(yù)置為輸入方式。IO/M:IO和RAM選擇信號(hào)線,高電平造反輸入/輸出,該線低電平選擇存儲(chǔ)器。PB0~PB7:輸入/輸出口B的信號(hào)線,通用8位輸入/輸出口,輸入/輸出的方向通過對(duì)命令/狀態(tài)寄存器的編程來選擇。VCC:電源線,接+5V直流電源。LED顯示器是由發(fā)光二極管顯示字段組成的顯示器件。LED顯示方式有動(dòng)態(tài)顯示和靜態(tài)顯示兩種。2位顯示PWM輸出百分比,顯示精確到1。獨(dú)立式按鍵電路配置靈活,軟件結(jié)構(gòu)簡單,每個(gè)按鍵占用一根I/O口線。8155 PC0口為“UP”鍵,PC1口為“DOWN”鍵, PC2口為“OK”鍵。如果設(shè)定值工作一段時(shí)間,不能滿足充電的基本要求系統(tǒng)將推出中斷返回主程序。推挽式電路由兩個(gè)處于開關(guān)工作狀態(tài)的三極管Q3,、Q5組成,電路工作的任何時(shí)間內(nèi),兩個(gè)三極管處于一個(gè)導(dǎo)通另一個(gè)關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉的狀態(tài)時(shí),續(xù)流二極管Dl起作用,和自舉電容串聯(lián)的電容充電限流電阻R7阻值很小,較大的電流使自舉電容很快充足電,其兩端電位差達(dá)到12V左右。自舉電容正端電位在幾十伏以上,大于12V電壓值,這時(shí),+12V電源和自舉電容正端存在的二極管幾使自舉電容不會(huì)對(duì)+l2V電源放電。當(dāng)MOSFET1處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),f2,f3兩端電壓是負(fù)的,因此MOSFET2此時(shí)是關(guān)斷的。TL494價(jià)格低廉、易購得,和分立單元系統(tǒng)相比,在一個(gè)芯片內(nèi),同時(shí)解決了電流和電壓調(diào)節(jié)器,脈寬調(diào)制,最大電流限制。當(dāng)調(diào)寬電壓變化時(shí),TL494輸出的脈沖寬度也隨之改變,從而改變MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間,達(dá)到調(diào)節(jié)、穩(wěn)定輸出電流的目的,使電池充電電流值與設(shè)定值保持一致,形成閉環(huán)回路控制。設(shè)定輸入信號(hào)是由TL494的+5V基準(zhǔn)電壓源經(jīng)一精密多圈電位器分壓,由電位器滑動(dòng)端通過濾波電路接入TL494的誤差放大器I的IN反相輸入端。 電壓檢測電壓檢測電路的設(shè)計(jì)主要考慮的問題有:在正常充電的過程中,要使單片機(jī)檢測U,需以某種途徑把U的變化映射到O至5V的范圍內(nèi);在測量中,需要用低壓器件去測量高電壓、強(qiáng)電流模擬量,如果模擬量與數(shù)字量之間沒有電氣隔離,那么,高電壓、強(qiáng)電流很容易串入低壓器件,并將其燒毀。 充電流采樣電路 霍爾電流傳感器的選型因?yàn)槌潆婋娐分凶畲蟮某潆婋娏鳛?0A,選擇了HNC100US型霍爾傳感器。蓄電池不能吸收的電能將通過MOSFET2導(dǎo)通在卸荷電阻上,從而保護(hù)蓄電池,即失速保護(hù)。4 軟件設(shè)計(jì) 程序流程圖包括主程序流程圖、A/D轉(zhuǎn)換子程序流程圖、控制子程序、UP、DOWN子程序、鍵盤中斷子程序流程圖、顯示子程序流程圖等。如果大于則判斷是否小于浮充電壓,如果小于則系統(tǒng)用50A的大電流充電,否則用7A的浮充電流充電。因?yàn)樾铍姵鼐麟娏髦禐?A,6/=,因此PWM輸出導(dǎo)通時(shí)間百分比應(yīng)為36%。在此程序中,如果風(fēng)速過大,實(shí)際充電電流大于涓流電流,程序會(huì)跳轉(zhuǎn)到“k4”子程序,使充電電流變小,蓄電池會(huì)以更小的電流充電。 “k3”子程序流程圖 “k4”子程序流程圖 “k4”、“K5”子程序流程圖“k4”子程序使涓流狀態(tài)或浮充狀態(tài)的充電電流變小。由以上ADC0809硬件分析可知,在軟件編寫時(shí),=A14=0。程序是采用軟件延時(shí)的方法,分別對(duì)2路模擬信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換,并依次把結(jié)果轉(zhuǎn)儲(chǔ)到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)54H~5AH?!癉OWN”鍵每按下一次PWM輸出百分比就減一。判斷是否有UP鍵按下,如果沒有則執(zhí)行DOWN子程序。其中2位顯示充電電流,3位顯示充電電壓,2位顯示PWM輸出百分比。在顯示緩沖單元中,54H存放電流值的個(gè)位數(shù),55H存放電流值的十位數(shù)。: 動(dòng)態(tài)顯示子程序流程圖結(jié)論本文通過分析蓄電池的工作特性和探討幾種充電器,總結(jié)出了一種基于單片機(jī)AT89C51在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的蓄電池控制器的設(shè)計(jì)。并在每個(gè)圖的旁邊附有相關(guān)描述。結(jié)束語 首先感謝學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)和老師給我們這樣一個(gè)這么好的鍛煉機(jī)會(huì),使我學(xué)到了一些新的知識(shí)和很好地總結(jié)了四年大學(xué)學(xué)過的知識(shí)。 進(jìn)鍵盤中斷 ORG 100HMAIN: MOV DPTR,7F00H。 開中斷 LCALL ADC。 如果小則轉(zhuǎn)移mm MOV A,61HSUBB A,1CH。 PWM輸出24% MOV A,62H MOVX DPTR,A MOV 59H,04H MOV 5AH,02H MOV A,60H SUBB A,07H JC K4 LCALL DISPLAY。 PWM 輸出21% MOV A,62H MOVX DPTR,A。 PWM輸出98% MOV A,62H MOVX DPTR,A MOV 59H,08H MOV 5AH,09H MOV A,60H SUBB A,32H JNC K5 LCALL DISPLAY。 調(diào)延遲子程序,延遲1s ADC: MOV R1,52H。 啟動(dòng)A/D轉(zhuǎn)換 MOV R6,0AH。 指向下一個(gè)通道 INC R1。 將電壓值變成BCD碼 MOV R1,05H RETDISPLAY: MOV R0,54H。 加偏移量 MOVC A,A+PC。 延時(shí)子程序DL: MOV R6,0FFHDL6: DJNZ R6,DL6 DJNZ R7,DL RETADC1: MOV A,52H CALL BCD。 個(gè)數(shù)位放在55中 MOV 54H,A。 除以10 DIV AB MOV 58H,B。 十位數(shù)放在56H RETDLAY1: MOV R3,0AH。 是則DA地址送寄存器 MOV A,53H。 是則執(zhí)行“K6”子程序 MOV A,53H SUBB A,1CH。 置8155PC口地址 XRL A, 01H。 PWM輸出個(gè)位數(shù)送ASUBB A,09H JC INT0 MOV A,59H MOV A,0H INC 5AH LCALL INT0DOWN: INC 62H DEC 59H MOV A,59H SUBB A,0EH JNC INT0 DEC 5AH MOV 59H,09H LCALL INT0K6: MOV A,52H SUBB A,06H。 當(dāng)前電流值是否小于50H JC
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