【正文】 太近。表23是Poly的設(shè)計(jì)規(guī)則， 表22 Active層和Sub層版圖規(guī)則規(guī)則標(biāo)號(hào)規(guī)則描述單位R1Active區(qū)最小寬度umR2Sub區(qū)最小寬度umR3同類(lèi)型（N型或P型）Active區(qū)/Sub之間的最小間距umR4不同類(lèi)型（N型貨P型）Active區(qū)/Sub之間的最小間距um Active層和Sub層的設(shè)計(jì)規(guī)則表23 Poly版圖規(guī)則規(guī)則標(biāo)號(hào)規(guī)則描述單位G1柵極多晶硅（Gate Poly）最小寬度umG2非柵極多晶硅（NonGate Poly）最小寬度umG3Gate Poly之間的最小間距umG4NonGate Poly之間的最小間距umG5Gate Poly伸出Active區(qū)的最小延伸長(zhǎng)度umG6Active伸出Gate Poly區(qū)的最小延伸長(zhǎng)度umG7NonGate Poly和Active之間的最小間隔um Poly層的設(shè)計(jì)規(guī)則表24Contact版圖設(shè)計(jì)規(guī)則標(biāo)號(hào)規(guī)則描述單位C1Contact的尺寸umC2Contact間的最小間隔umC3Active區(qū)/Sub區(qū)包含Contact的最小長(zhǎng)度umC4Poly包含Contact的最小長(zhǎng)度umC5Active區(qū)/Sub區(qū)上的Contact和Gate Poly之間的最小間隔umC6Active區(qū)/Sub區(qū)上的Contact和NonGate Poly之間的最小間隔umC7Active區(qū)/Sub區(qū)上的Contact和帶有Contact的Poly之間的最小間隔umC8Poly上的Contact和Active/Sub區(qū)的最小間隔um Contact層的設(shè)計(jì)規(guī)則 MOS集成運(yùn)放的版圖設(shè)計(jì) MOS運(yùn)放的版圖設(shè)計(jì)過(guò)程；先進(jìn)行電路分析，計(jì)算出各端點(diǎn)的電壓及各管的電流，從而求出各管的W/L，進(jìn)而設(shè)計(jì)各管圖形，進(jìn)行布局、布線(xiàn)，完成版圖設(shè)計(jì)。即邏輯門(mén)乃至管子的安放位置和方向要合適，它不僅包括單元具體形狀的確定，也包括單元方位的選擇。這點(diǎn)在MOS運(yùn)放版圖設(shè)計(jì)中較為重要，這不僅是因?yàn)殡娐分胁季€(xiàn)所占的面積往往是其元件總面積的好幾倍，而且由于小尺寸MOSFET構(gòu)成的電路線(xiàn)延遲是最小的，此時(shí)布線(xiàn)的RC時(shí)間常數(shù)將是電路工作速度的主要限制因素。要根據(jù)流過(guò)電流的大小及性能要求，選擇連線(xiàn)種類(lèi)。由于整個(gè)硅片表面起伏不平，因此在鋁布線(xiàn)時(shí)，盡量避免鋁線(xiàn)的爬坡梯度過(guò)大，由最低處到最高處要分幾個(gè)臺(tái)階過(guò)渡。 小結(jié)由于想采用CMOS技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)模擬集成電路，所以這一章介紹了CMOS工藝過(guò)程，為了了解這一工藝的基本要素，我們描述了半導(dǎo)體的制造步驟，包括擴(kuò)散、離子注入、淀積等。CMOS運(yùn)放同雙極型運(yùn)放的結(jié)構(gòu)很相似。當(dāng)差分輸入級(jí)沒(méi)有完成差分單端變換時(shí)，就由第二級(jí)反相器來(lái)完成。在大多數(shù)采用無(wú)緩沖CMOS運(yùn)放的實(shí)例中，開(kāi)環(huán)增益達(dá)5000197。要想得到大的增益我們可以采用共源共柵結(jié)構(gòu)來(lái)極大地提高輸出阻抗的值，但是共源共柵結(jié)構(gòu)中堆疊的MOS管不可避免地減少了輸出電壓的范圍。如本文討論的兩級(jí)運(yùn)放，大的增益靠第一級(jí)與第二級(jí)相級(jí)聯(lián)而組成，而大的輸出電壓范圍靠第二級(jí)這個(gè)共源放大器來(lái)獲得。 電流鏡有源負(fù)載M3，M4充當(dāng)2個(gè)負(fù)載，只是他是有源負(fù)載，為什么要用有源負(fù)載，我們知道在集成電路中，不能使用過(guò)大的電阻，而且|Av|≈gmRc也就是說(shuō)Rc增大，直流功耗也增大，對(duì)電源電壓的要求也會(huì)提高。在模擬IC中，恒流源是使用得最多的一種單元格，使用恒流源不但符合在IC中多用有源器件的原則，而且恒流源作偏置電路還具有工作點(diǎn)對(duì)溫度和電源電壓變化不敏感的優(yōu)點(diǎn)。M6為共源放大器，M7為其提供恒定偏置電流同時(shí)作為第二級(jí)輸出負(fù)載。M3和M4為第一級(jí)負(fù)載，將差模電流恢復(fù)為差模電壓，M6為第二級(jí)跨導(dǎo)級(jí)，將差分電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流，而M7再將此電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓輸出。在仿真時(shí)，要對(duì)不同的指標(biāo)分別建立仿真電路，這樣有利于電路的檢查；DC、AC分析是獲得電路某一性能指標(biāo)信息的一種手段，它需要一些相關(guān)的條件來(lái)支持，當(dāng)我們忽略了某一條件或根本沒(méi)有弄清還有哪些條件時(shí)，DC、AC分析的結(jié)果就可能與實(shí)際情況不一致，導(dǎo)致錯(cuò)誤的發(fā)生。（利用MOS管的GD極性相反來(lái)判斷放大器的同相端與反相端） 測(cè)量共模輸入范圍的原理圖 運(yùn)放的輸入共模電壓范圍 測(cè)量輸出電壓范圍在單位增益結(jié)構(gòu)中，傳輸曲線(xiàn)的線(xiàn)性受到ICMR限制。 運(yùn)放的交流小信號(hào)分析從圖中看出，相位裕度63176。需要注意的是，電路仿真是，認(rèn)為MOS管都是完全一致的。建立時(shí)間是運(yùn)算放大器受到小信號(hào)激勵(lì)時(shí)輸出達(dá)到穩(wěn)定值（在預(yù)定的榮差范圍內(nèi)）所需的時(shí)間，較長(zhǎng)的建立時(shí)間意味著模擬信號(hào)處理速率將降低。經(jīng)計(jì)算得，上升沿的轉(zhuǎn)換速率SR+。 測(cè)量CMRR的原理圖 放大器的CMRR的頻率響應(yīng)曲線(xiàn)。并通過(guò)Spectre對(duì)CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大器進(jìn)行了仿真。↙（回車(chē)鍵），其中amp。Library（庫(kù)）的地位相當(dāng)于文件夾，它用來(lái)存放一整個(gè)設(shè)計(jì)的所有數(shù)據(jù)，像一些單元以及子單元中的多種視圖。① 建立庫(kù)（library）：窗口分Library和Technology File兩部分。② 建立單元文件，在Library Name中選擇存放新文件的庫(kù)，在Cell Name中輸入名稱(chēng)，然后在Tool選項(xiàng)中選擇Composer—schematic。按e打開(kāi)Display Options修改X Snap spacing和Y Snap spacing 。（2） 隔離層：這些層是用于隔離的層，它在垂直方向和水平方向上將各個(gè)導(dǎo)電層互相隔離開(kāi)來(lái)。（4） 注入層：這些層并不明確的規(guī)定一個(gè)新的分層或者接觸，而是去定值或改變已經(jīng)存在的導(dǎo)體的性質(zhì)。 CMOS運(yùn)放版圖 差動(dòng)放大器版圖這里我們主要介紹差動(dòng)放大器的版圖。四方交叉非常適合用于兩個(gè)管子需要高度對(duì)稱(chēng)的情況。這一技術(shù)之所以稱(chēng)為四方交叉是因?yàn)樗伤膫€(gè)部分，并且相互交叉放置。通過(guò)這一章的學(xué)習(xí)，我們應(yīng)該能夠使用Cadence繪制簡(jiǎn)單的電路版圖。集成運(yùn)放電路由四部分組成，包括輸入級(jí)，輸出級(jí)，中間級(jí)和偏置電路。輸出級(jí)應(yīng)具有電壓線(xiàn)性范圍寬，輸出電阻?。磶ж?fù)載能力強(qiáng)），非線(xiàn)性失真小等特點(diǎn)。了解電路應(yīng)當(dāng)怎樣才能達(dá)到電氣要求，將使我們能正確的選擇采用什么樣的尺寸和版圖技術(shù)。使我們的版圖設(shè)計(jì)更加出色。參考文獻(xiàn)[1]Christopher Saint/Judy ——實(shí)用指南[M].李偉華，孫偉峰，：清華大學(xué)出版社，[2] Christopher Saint/Judy ——基礎(chǔ)版圖設(shè)計(jì)[M].周潤(rùn)德，金申美，：清華大學(xué)出版社，[3]Alan （第二版）[M].張為等，：電子工業(yè)出版社，[4][M]. [5][M].北京:[6]、布局與仿真[M].北京：[7]廖欲評(píng)，[M].北京：[8].[M]致謝詞歷時(shí)將近三個(gè)月的時(shí)間終于將這篇論文寫(xiě)完，在論文的寫(xiě)作過(guò)程中遇到了無(wú)數(shù)的困難和障礙，都在同學(xué)和老師的幫助下度過(guò)了。在此向幫助和指導(dǎo)過(guò)我的各位老師表示最中心的感謝！感謝這篇論文所涉及到的