【正文】 　　3 、解：吸附：固體表面力場(chǎng)與被吸附分子發(fā)生的力場(chǎng)相互作用的結(jié)果，發(fā)生在固體表面上，分物理吸附和化學(xué)吸附；　　4 、解：1J=107爾格（erg），1卡=，設(shè)方鎂石為正方體邊長(zhǎng)為a ，V=a3 ， S表 = 6a2 ，比表面積S表/V= 6a2/ a3 =6/a ，1cm方鎂石顆粒粉碎為1μm顆粒時(shí)，比表面積 增加為:104倍，若相鄰晶粒的原子彼此無作用，那么，每單位面積晶界能將等于兩晶粒表面能之和，晶界結(jié)構(gòu)和表面結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致的。　　8 、解：γ sg = γ lg cos θ + γ ls cosθ= == θ =144 176。 =γss γss=1000dyn/cm=102 N/cm=1N/m=1J/m2 =103erg/cm2γsg=500　　10 、解：(1)γgs= 176。γgs= 176。(3) 略。3 、解：可逆多晶轉(zhuǎn)變： β石英←→α石英 α石英←→α鱗石英 不可逆多晶轉(zhuǎn)變： β方石英←→β石英 γ鱗石英←→β石英 4 、解：(1) 硅磚(含 SiO2 98%) 主要晶相： SiO2 、 2Al203 粘土磚(含 Al203 35 ～ 50%) 主要晶相： SiO2 、A3S2 72 ～ 90% Al203 、A3S2 (3)略。 H2O Al203 B→C→A (2) B 最陡， C 次之， A 最次； (3)在 M 點(diǎn)所在的溫度下開始析晶， 液相組成點(diǎn) M→M→1→E （結(jié)晶結(jié)束） 固相組成點(diǎn) A→ A→ D→ M (4)第一次析晶僅析出晶相 A ，到 M 1 時(shí)第一次析晶結(jié)束，晶相 A 的百分?jǐn)?shù)為 65% ， 結(jié)晶結(jié)束時(shí)，析晶相 A 、 B 、 C ，液相消失，固相組成點(diǎn)在 M 點(diǎn)。 10 、解： (1)見圖，付三角形 3 分，界線性質(zhì) 1 分，界線上溫度降低的方向； (5) E2 溫度，H 點(diǎn)所在溫度；過H點(diǎn)做副三角形BCM的兩條邊CM 、BM的平行線HH1 、HH2，C%=BH2/BC 100% ， B%=CH1/BC100% ， C%=H1H2/BC100% 。3 點(diǎn) 位于 A 初晶區(qū)，在 △ BCS 內(nèi)，結(jié)晶產(chǎn)物為 B 、 C 、 S 12 、解：(1) S1 不一致熔融二元化合物，高溫穩(wěn)定，低溫分解 S2 一致熔融二元化合物 S3 不一致熔融二元化合物，低溫穩(wěn)定，高溫分解 16 、解：(1) k 點(diǎn)開始出現(xiàn)液相，溫度為 1455 ℃ ,連接 3k 交 CaOC3S 線于 6 點(diǎn) ,線段長(zhǎng)度可直接量?。?2H2O 與CaCO3配料， SiO2 mol%/Al203 mol%=2 ：1 二者比較， SiO2 量不夠，所以需加入 SiO2 。 2H2O 提供 SiO2 8/102 2 60= 還需 SiO2 量 = CaCO3 wt%=% ，AS2 19 、解： 50%AS2 20 、解： 40%A3S2 + 6% 液相 K20: wt%=% Al203 : wt%=% SiO2: wt%=% Al203 僅從長(zhǎng)石中獲得K2O 另需加Al203: = SiO2: = 長(zhǎng)石 wt%== 第六章答案解：擴(kuò)散的基本推動(dòng)力是化學(xué)位梯度，只不過在一般情況下以濃度梯度的方式表現(xiàn)出來；擴(kuò)散是從高化學(xué)位處流向低化學(xué)位處，最終系統(tǒng)各處的化學(xué)位相等。 擴(kuò)散系數(shù)宏觀表達(dá)式 D=D0exp(Q/RT) Q=103104J/mol D=1014exp()=1014=1017m2/s cx=1017/106=1023 20個(gè)Fe的晶胞體積：20a3m3 ， 30個(gè)Fe的晶胞體積：30a3m3 1個(gè)晶胞面積a2， n=Jx60a2=82個(gè)解：根據(jù)恒定源擴(kuò)散深度 已知x不變， T=563+273=836K時(shí)，D=31014cm2/s 代入上式可求 Q=48875J，D0=1015cm2/s 體擴(kuò)散 DV=104exp(38200/T) T，DgbDV，高溫時(shí)，體積擴(kuò)散占優(yōu)； Dα Dβ13 解：離子晶體一般為陰離子作密堆積，陽離子填充在四面體或八面體空隙中。晶體的內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列有周期性，每個(gè)質(zhì)點(diǎn)力場(chǎng)是對(duì)稱的，質(zhì)點(diǎn)在表面遷移所需活化能較晶體內(nèi)部小，則相應(yīng)的擴(kuò)散系數(shù)大。 但晶界上質(zhì)點(diǎn)與晶體內(nèi)部相比，由于晶界上質(zhì)點(diǎn)受兩個(gè)晶粒作用達(dá)到平衡態(tài)，處于某種過渡的排列方式，其能量較晶體表面質(zhì)點(diǎn)低，質(zhì)點(diǎn)遷移阻力較大因而D晶界D表面。 區(qū)別： : ： 非均勻成核——在異相界面上進(jìn)行，如容器壁，氣泡界面或附著于外加物（雜質(zhì)或晶核劑） : 14解：登山擴(kuò)散負(fù)擴(kuò)散，爬坡擴(kuò)散，擴(kuò)散的結(jié)果是增大濃度梯度。：在后期是無法區(qū)分的。 對(duì)于成核生長(zhǎng)機(jī)理的相變，在相分離早期，由于新相核的產(chǎn)生必須達(dá)到臨界尺寸，因此在形態(tài)上就看不到同相之間的連接性，新相傾向于以球形析出。還可以用電子顯微鏡對(duì)等溫下相生長(zhǎng)隨時(shí)間變化進(jìn)行觀察。 ，且擴(kuò)散截面積一定。: Q=50kcal/mol 及圖918各種類型反應(yīng)中Gt/ G50%，Gt呈線性關(guān)系G50%，Gt小于線性規(guī)律，是由擴(kuò)散控制的反應(yīng)，G2=kt G1=G，G2=10G， （1） 　　　其中：固相燒結(jié)中傳質(zhì)機(jī)理：(1) 流動(dòng)傳質(zhì) (2) 擴(kuò)散傳質(zhì) (2) 氣相傳質(zhì)　　　　　　液相燒結(jié)中的傳質(zhì)機(jī)理 (1) 流動(dòng)傳質(zhì) (2) 溶解沉淀　?。簾Y(jié)過程是經(jīng)過成型的固體粉狀顆粒在加熱到低于熔點(diǎn)溫度的溫度下,產(chǎn)生顆粒粘結(jié)；通過物質(zhì)傳遞,使成型題逐漸變成具有一定幾何形狀和性能的整體的過程。與氣孔接觸的顆粒表面為空位源,質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散以體積擴(kuò)散和晶界擴(kuò)散為主而擴(kuò)散到氣孔表面,空位返鄉(xiāng)擴(kuò)散而消失。 　　　　　　　　(3) 收縮率達(dá)90~100%, 密度達(dá)理論值的95% 以上。 　?。悍哿狭⒎襟w1mm=104cm　　　1cm3壓塊中有1/（104）3=1012個(gè)顆粒 　　　最初表面能=6*（104）2*1000erg/cm3*1012個(gè)/cm3=6*107erg/cm3　　　最后晶界能=1/2*6 *（104）2*550erg/cm3*1012個(gè)/cm3=*107 erg/cm3　　　推動(dòng)力D=6*107erg/*107erg/cm3 =*107 erg/cm3　　： 　　:(1) 晶粒的大小取決于起始晶粒的大小,燒結(jié)溫度和燒結(jié)時(shí)間 　　　(2) 防止二次再結(jié)晶引起的晶粒異常長(zhǎng)大 其總體的推動(dòng)力由系統(tǒng)表面能提供。這些燒結(jié) 過程除了常規(guī)燒結(jié)中由系統(tǒng)表面能提供的驅(qū)動(dòng)力之外,還由特殊工藝條件增加了系統(tǒng)燒結(jié)的驅(qū)動(dòng)力,因此提高了坯體的燒結(jié)速率,大大增加了坯體的致密化程度。 　　：由D0= 和t=30min,D=3D0=：　　　　　D2D02=kt 　K=　　　　　D=1181。主要有點(diǎn)腐蝕(孔腐蝕) 、縫隙腐蝕、晶間腐蝕、選擇腐蝕,應(yīng)力腐蝕、腐蝕疲勞、湍流腐蝕等。 　　　應(yīng)力腐蝕：(英文縮寫SCC,stress corrosion crack) 是指金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)和拉應(yīng)力共同作用下發(fā)生的脆性斷裂。 　　　KISCC ： 一般認(rèn)為當(dāng)拉伸應(yīng)力低于某一個(gè)臨界值時(shí),不再發(fā)生斷裂破壞,這個(gè)臨界應(yīng)力稱應(yīng)力腐蝕開裂門檻值,用KISCC或臨界應(yīng)力243。 　　2 以不銹鋼在充氣的NaCl溶液中孔腐蝕為例,簡(jiǎn)述小孔腐蝕的機(jī)理。 　　　曲線的最高點(diǎn)代表 裂紋深度已接近臨界尺寸,馬上就要斷裂。 　　5 影響晶間腐蝕的因素有哪些？　　　影響晶間腐蝕的因素主要有： 　　　(1) 加熱溫度與時(shí)間 　　　(2) 合金成分 　　　不銹鋼中除了主要成分Cr、Ni C外,還含有Mo、Ti、Nb 等合金元素。例如,當(dāng)不銹鋼中鉻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)從18％提高到22％時(shí),％ ％。 　　　(2) 閉塞電池理論 　　　該理論認(rèn)為,在已存在的陽極溶解的活化通道上,腐蝕優(yōu)先沿著這些通道進(jìn)行。在應(yīng)力或活性離子(Cl)的作用下易引起鈍化膜破裂,露出活性的金屬表面。參余應(yīng)力往往是引起SCC的主要原因,熱處理退火可消除殘余應(yīng)力。 　　?、?涂層好的鍍層(涂層)可使金屬表面和環(huán)境隔離開,從而避免產(chǎn)生SCC。 除熔融制品(如玻璃、鑄石) 外,陶瓷材料結(jié)構(gòu)中或多或少地含有一定的孔隙。而當(dāng)孔隙為開口時(shí),腐蝕性液體容易透入材料內(nèi)部。而無定形的二氧化硅就易溶于堿溶液中?！　　〔ＡР牧系母g主要由含水介質(zhì)的作用而引起的?！　? 混凝土的腐蝕有哪幾種形式? 簡(jiǎn)要說明之?！　?1 什么是高分子材料的腐蝕?有何主要表現(xiàn)？　　　高分子材料在加工、儲(chǔ)存和使用過程中,由于內(nèi)外因素的綜合作用,其物理化學(xué)性能和機(jī)械性能逐漸變壞,以至最后喪失使用價(jià)值,這種現(xiàn)象稱為高分子材料的腐蝕,亦稱為老化。由于玻璃態(tài)高聚物多數(shù)處于非平衡態(tài),其凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)是不穩(wěn)定的。第十二章1 解釋系列概念：疲勞、低溫疲勞、熱疲勞、韌－脆轉(zhuǎn)化溫度、氫致斷裂、疲勞強(qiáng)度、蠕變強(qiáng)度　　解：疲勞是指材料或構(gòu)件在交變應(yīng)力(應(yīng)變)作用下發(fā)生的破壞。 　　韌－脆轉(zhuǎn)化溫度是指材料 由韌性斷裂轉(zhuǎn)變?yōu)榇嘈詳嗔训臏囟萒K,也稱為冷脆轉(zhuǎn)化溫度。 　　　(3) 疲勞是與時(shí)間有關(guān)的一種失效方式,具有多階段性?！　? 分析材料高溫下的失效方式。 氫壓裂紋包括鋼中白點(diǎn)、H2S浸泡裂紋、焊接冷裂紋以及高逸度充氫時(shí)產(chǎn)生的微裂紋。 　　　(4) 可逆氫脆。 但是,由于氫對(duì)鋼的性能影響十分復(fù)雜,而且氫脆過程的一些重要參數(shù)缺乏精確的測(cè)試手段,所以對(duì)氫脆機(jī)理的看法仍然存在分歧。當(dāng)局部區(qū)城CH很高,則壓力很大,若該壓力超過了原子鍵合力σth,就會(huì)使局部地區(qū)的原于鍵斷裂而形成微裂紋。這樣一來就會(huì)使造成局部應(yīng)力集中所需的臨界外加應(yīng)力從σc降為σc(H),或使臨界應(yīng)力強(qiáng)度因子從KIC降為KIH。根據(jù) Griffith 理論,斷裂應(yīng)力σs或斷裂韌性KIC和成正比,因而當(dāng)氫使下降,必然使σ降為σ(H),或使KIC為KIH,從而增大裂紋形成傾向